近日，德国慕尼黑和佛罗里达州博卡拉顿（GLOBENEWSWIRE），传感器解决方案供应商HENSOLDT与领先的3D打印电子（AME）/印刷电子（PE）供应商NanoDimension合作，在利用3D打印技术开发高性能电子元件的过程中取得了重大突破。利用NanoDimension公司新开发的介电聚合物油墨和导电油墨，HENSOLDT公司成功地组装出了世界上第一块10层3D打印电路板(PCB)，电路板的两面都焊接了高性能的电子结构。记者了解到，在此之前，3D打印电路板无法承受元件双面口的焊接工艺。世界首块10层3D打印PCB电路板"军事传感器解决方案要求的性能和可靠性水平远远高于商用元件。"HENSOLDT首席执行官ThomasMüller说。"通过3D打印的方式，以更少的工作量更快获得高密度的组件，使我们在这类高端电子系统的开发过程中具有竞争优势。"世界首块10层3D打印PCB电路板AME电子电路3D打印技术在生产前验证新设计和专用电子元件的功能是非常有用的，是一种高度敏捷和个性化的工程方法，用于新的电子电路原型设计。这使得开发过程中的时间和成本大大减少。此外，AME在开始生产之前就能提供经过验证和批准的设计，从而提高了最终产品的质量。正是这个突破性的技术进展，2020年5月19日NanoDimensionLtd.(纳斯达克，TASE：NNDM)股价暴涨341%。HENSOLDT于2016年开始与NanoDimension的DragonFly3D打印系统合作，以研究3D打印电子产品的可能性。2019年，HENSOLDT成功实施了DragonFlyLights-OutDigitalManufacturing(LDM)打印技术，这是行业内唯一的全天候3D打印电子电路的快速成型制造平台。本文来源自：南极熊3D打印网

一般来说，官方宣传数据都是最理想的状态，有时候还会掺杂一些水分，但是你见过实测比官方数字更漂亮的吗？台积电已在本月开始5nm工艺的试产，第二季度内投入规模量产，苹果A14、华为麒麟1020、AMDZen4等处理器都会使用它，而且消息称初期产能已经被客户完全包圆，尤其是苹果占了最大头。台积电尚未公布5nm工艺的具体指标，只知道会大规模集成EUV极紫外光刻技术，不过在一篇论文中披露了一张晶体管结构侧视图。WikiChips经过分析后估计，台积电5nm的栅极间距为48nm，金属间距则是30nm，鳍片间距25-26nm，单元高度约为180nm，照此计算，台积电5nm的晶体管密度将是每平方毫米1.713亿个。相比于初代7nm的每平方毫米9120万个，这一数字增加了足足88％，而台积电官方宣传的数字是84％。虽然这些年摩尔定律渐渐失效，虽然台积电的工艺经常面临质疑，但不得不佩服台积电的推进速度，要知道16nm工艺量产也只是不到5年前的事情，那时候的晶体管密度才不过每平方毫米2888万个，5nm已经是它的几乎六倍！另外，台积电10nm工艺的晶体管密度为每平方毫米5251万个，5nm是它的近3.3倍。

近日，IBM披露了其新一代主机IBMz15的诸多技术细节，再次彰显了蓝色巨人的雄厚实力，尤其是缓存容量和密度惊人。IBMz15集成了122亿个晶体管，比上代z14增加了25亿个，每颗芯片12个物理核心，总面积696平方毫米，与上代完相同。缓存分为四个级别，其中一二级集成于核心内部，三四级位于核心外，容量则都大大提升：每个核心一级指令缓存128KB、一级数据缓存128KB，总容量3MB；每个核心二级指令缓存4MB、二级数据缓存4MB，总容量96MB，比上代翻番。三级缓存从128MB翻番至256MB，四级缓存则从672MB来到了960MB，几乎增加了一半。这样算下来，每一颗处理器的四个级别缓存总容量就达到了惊人的1315MB。频率方面，一二级缓存与CPU核心一样都运行在5.2GHz，三四级缓存则是半速2.6GHz。更惊人的是，IBMz15的制造工艺依然是IBM、GlobalFoundries联合研发的14nmFinFETSOI。缓存增加如此之多，总面积却保持不变，当真是宝刀不老。另外，z15的二三四级缓存都是高密度的eDRAM存储单元，每单元面积为0.0174平方微米，甚至比台积电5nm工艺下的SRAM密度还要高，后者每单元面积为0.021平方微米。当然这样比较并不完全精确，因为SRAM每单元一般是六个晶体管，eDRAM则是一个，但也足以看出14nm工艺的炉火纯青。WikiChip分析师DavidSchor也表示，IBM/GF14nm被证明是极为出色的。

上周台积电和博通联手公布了最新强化版的CoWoS封装工艺，强化版CoWoS能够支持最大面积为1700mm2的中介层，这也就意味着它能够封装出更大面积的芯片来，在多芯片上互联渐成趋势的现在，更大面积意味着更高的性能上限。CoWoS全称Chip-on-Wafer-on-Substrate，是一种2.5D封装技术，多见于使用HBM的计算芯片上，我们比较熟悉的有NVIDIA的TeslaV100和RadeonVII。实际上从2012年台积电发布这项技术以来他们已经对CoWoS进行了多次强化，中介层的最大面积从约1070mm2扩张到了约1700mm2。更大面积的中介层可以封装下更多的HBM模组，从而提供更高的内存带宽。在最新版CoWoS上面，已经可以封装下6枚HBM，最大容量可达96GB，此时的带宽高达2.7TB/s，比2016年的CoWoS高了2.7倍。新版的CoWoS将支持台积电在开发中的N5制程，首批使用新版技术的客户中将会有博通。预计未来将有诸如AI处理器、机器学习处理器这样对芯片规模有较高要求的芯片会使用上CoWoS，当然，高性能的通用计算卡也会用上它。

28nm由于性价比提升一直以来都被视为摩尔定律的核心意义，所以20nm以下制程的成本上升问题一度被认为是摩尔定律开始失效的标志，而28nm作为最具性价比的制程工艺，具有很长的生命周期。在设计成本不断上升的情况下，只有少数客户能负担得起转向高级节点的费用。据Gartner统计，16nm/14nm芯片的平均IC设计成本约为8000万美元，而28nm体硅制程器件约为3000万美元，设计7nm芯片则需要2.71亿美元。IBS的数据显示：28nm体硅器件的设计成本大致在5130万美元左右，而7nm芯片需要2.98亿美元。对于多数客户而言，转向16nm/14nm的FinFET制程太昂贵了。就单位芯片成本而言，28nm优势明显，将保持较长生命周期。一方面，相较于40nm及更早期制程，28nm工艺在频率调节、功耗控制、散热管理和尺寸压缩方面具有明显优势。另一方面，由于16nm/14nm及更先进制程采用FinFET技术，维持高参数良率以及低缺陷密度难度加大，每个逻辑闸的成本都要高于28nm制程的。28nm处于32nm和22nm之间，业界在更早的45nm阶段引入了high-k值绝缘层/金属栅极（HKMG）工艺，在32nm处引入了第二代high-k绝缘层/金属栅工艺，这些为28nm的逐步成熟打下了基础。而在之后的先进工艺方面，从22nm开始采用FinFET（鳍式场效应晶体管）等。可见，28nm正好处于制程过渡的关键点上，这也是其性价比高的一个重要原因。目前，行业内的28nm制程主要在台积电，GF（格芯），联电，三星和中芯国际这5家之间竞争，另外，2018年底宣布量产联发科28nm芯片的华虹旗下的华力微电子也开始加入竞争行列。虽然高端市场会被7nm、10nm以及14nm/16nm工艺占据，但40nm、28nm等并不会退出。如28nm~16nm工艺现在仍然是台积电营收的重要组成部分，特别是在中国大陆建设的代工厂，就是以16nm为主。中芯国际则在持续提高28nm良率。14/16nm14nm制程主要用于中高端AP/SoC、GPU、矿机ASIC、FPGA、汽车半导体等制造。对于各厂商而言，该制程也是收入的主要来源，特别是英特尔，14nm是其目前的主要制程工艺，以该公司的体量而言，其带来的收入可想而知。而对于中国大陆本土的晶圆代工厂来说，特别是中芯国际和华虹，正在开发14nm制程技术，距离量产时间也不远了。目前来看，具有或即将具有14nm制程产能的厂商主要有7家，分别是：英特尔、台积电、三星、格芯、联电、中芯国际和华虹。同为14nm制程，由于英特尔严格追求摩尔定律，因此其制程的水平和严谨度是最高的，就目前已发布的技术来看，英特尔持续更新的14nm制程与台积电的10nm大致同级。今年5月，英特尔称将于第3季度增加14nm制程产能，以解决CPU市场的缺货问题。然而，英特尔公司自己的14nm产能已经满载，因此，该公司投入15亿美元，用于扩大14nm产能，预计可在今年第3季度增加产出。其14nm制程芯片主要在美国亚利桑那州及俄勒冈的D1X晶圆厂生产，海外14nm晶圆厂是位于爱尔兰的Fab24，目前还在升级14nm工艺。三星方面，该公司于2015年宣布正式量产14nmFinFET制程，先后为苹果和高通代工过高端手机处理器。目前来看，其14nm产能市场占有率仅次于英特尔和台积电。台积电于2015下半年量产16nmFinFET制程。与三星和英特尔相比，尽管它们的节点命名有所不同，三星和英特尔是14nm，台积电是16nm，但在实际制程工艺水平上处于同一世代。2018年8月，格芯宣布放弃7nmLP制程研发，将更多资源投入到12nm和14nm制程。格芯制定了两条工艺路线图：一是FinFET，这方面，该公司有14LPP和新的12LPP（14LPP到7LP的过渡版本）；二是FD-SOI，格芯目前在产的是22FDX，当客户需要时，还会发布12FDX。联电方面，其14nm制程占比只有3%左右，并不是其主力产线。这与该公司的发展策略直接相关，联电重点发展特殊工艺，无论是8吋厂，还是12吋厂，该公司会聚焦在各种新的特殊工艺发展上。中芯国际方面，其14nmFinFET已进入客户试验阶段，2019年第二季在上海工厂投入新设备，规划下半年进入量产阶段，未来，其首个14nm制程客户很可能是手机芯片厂商。据悉，2019年，中芯国际的资本支出由2018年的18亿美元提升到了22亿美元。华力微电子方面，在年初的SEMICONChina2019先进制造论坛上，该公司研发副总裁邵华发表演讲时表示，华力微电子今年年底将量产28nmHKC+工艺，2020年底将量产14nmFinFET工艺。12nm从目前的晶圆代工市场来看，具备12nm制程技术能力的厂商很少，主要有台积电、格芯、三星和联电。联电于2018年宣布停止12nm及更先进制程工艺的研发。因此，目前来看，全球晶圆代工市场，12nm的主要玩家就是台积电、格芯和三星这三家。台积电的16nm制程经历了16nmFinFET、16FF＋和16FFC三代，之后进入了第四代16nm制程技术，此时，台积电改变策略，推出了改版制程，也就是12nm技术，用以吸引更多客户订单，从而提升12吋晶圆厂的产能利用率。因此，台积电的12nm制程就是其第四代16nm技术。格芯于2018年宣布退出10nm及更先进制程的研发，这样，该公司的最先进制程就是12nm了。该公司是分两条腿走路的，即FinFET和FD-SOI，这也充分体现在了12nm制程上，在FinFET方面，该公司有12LP技术，而在FD-SOI方面，有12FDX。12LP主要针对人工智能、虚拟现实、智能手机、网络基础设施等应用，利用了格芯在纽约萨拉托加县Fab8的专业技术，该工厂自2016年初以来，一直在大规模量产格芯的14nmFinFET产品。由于许多连接设备既需要高度集成，又要求具有更灵活的性能和功耗，而这是FinFET难以实现的，12FDX则提供了一种替代路径，可以实现比FinFET产品功耗更低、成本更低、射频集成更优。三星方面，其晶圆代工路线图中原本是没有12nm工艺的，只有11nmLPP。不过，三星的11LPP和格芯的12nmLP其实是“师出同门”，都是对三星14nm改良的产物，晶体管密度变化不大，效能则有所增加。因此，格芯的12nmLP与三星的12nm制程有非常多的共同之处，这可能也是AMD找三星代工12nm产品的原因之一。中芯国际方面，不仅14nmFinFET制程已进入客户风险量产阶段，而且在2019年第一季度，其12nm制程工艺开发进入客户导入阶段，第二代FinFETN+1研发取得突破，进度超过预期，同时，上海中芯南方FinFET工厂顺利建造完成，进入产能布建阶段。这意味着用不了多久，一个新的12nm制程玩家将杀入战团。10nm到了10nm这个节点，行业玩家就只剩下台积电、三星和英特尔了。总的来说，台积电还是领先的，其典型产品就是2017年为苹果代工的A11处理器。而三星也紧跟步伐，在10nm这个点，双方的进度相差不大，但总体水平，台积电仍然略胜一筹。今年，英特尔的老对手AMD打起了翻身仗，凭借台积电代工的7nm锐龙3000系列处理器，让AMD在CPU处理器的制程工艺上首次超越了英特尔。而目前，英特尔的主流制程是14nm，不过，前不久传来消息，经过多年的攻关，该公司终于解决了10nm工艺的技术难题，已经开始量产。不过，英特尔对制程节点的严谨追求是很值得称道的，从具体的性能指标，特别是PPA和晶体管密度来看，英特尔的10nm比台积电的10nm有优势。7nm在7nm，目前只有台积电和三星两家了，而且三星的量产时间相对于台积电明显滞后，这让三星不得不越过7nm，直接上7nmEUV，这使得像苹果、华为、AMD、英伟达这样的7nm制程大客户订单，几乎都被台积电抢走了。在这种先发优势下，台积电的7nm产能已经有些应接不暇。而在7nmEUV量产方面，台积电也领先了一步，代工的华为麒麟990已经商用，三星7nmEUV代工的高通新一代处理器也在生产当中，估计很快就会面市了。英特尔方面，在10nm之后，该公司称会在2021年推出7nm工艺，据悉，其7nm工艺已经走上正轨，功耗及性能看起来都非常好，根据之前的消息，7nm工艺会在2021年的数据中心GPU上首发。结语以上，就业界已经量产的主流先进制程工艺的发展情况，以及相关厂商的进展进行了阐述。而更先进的5nm、3nm、2nm等还没有进入量产阶段，就不再详述了。这些制程节点已经鲜有玩家了，目前只有台积电和三星这两家，台积电称将于明年量产5nm，而三星似乎要越过5nm，直接上3nm。原文来自半导体行业观察

从今年发布的一些手机来看，快充也逐渐成为智能手机的招牌或者说是“标配”，例如OPPO推出的65W氮化镓快充充电头器快充充电器，小米9Pro的40W有线充电……有线快充功率排行榜，来源：燃财经但此前的充电头都面临过一个痛点：功率越大，个头越大。要弄清手机个头大这个问题，首先要了解材料的功率特性，单位体积的元器件功率转换是定量的，一般来说功率越大，功率元器件的体积越大，如果仅仅为了追求快充功能，将充电头设计成板砖大小，那设计的价值将大打折扣，还不如充电宝使用方便。另一方法，就是寻找高功率且转换效率高的材料，以GaN（氮化镓）为代表的第三代半导体材料开始进入大众的视野。“GaN”中文名“氮化镓”，是一种新型半导体材料，它具有禁带宽度大、热导率高、耐高温、抗辐射、耐酸碱、高强度和高硬度等特性，在早期广泛运用于新能源汽车、轨道交通、智能电网、半导体照明、新一代移动通信等。随着技术突破成本得到控制，目前氮化镓还被广泛运用到消费类电子等领域，充电器便是其中一项，由于氮化镓的技术门槛高，目前入局氮化镓充电领域的企业尚少，主要包括ANKER、UIBI柚比、APE、紫米、Aukey等。1、GaN从哪里来？氮化镓是由氮元素和镓元素组成的一种化合物半导体材料。氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、氮化铝（ALN）、氧化镓（Ga2O3）等，因为禁带宽度大于2.2eV统称为宽禁带半导体材料，在国内也称为第三代半导体材料。在半导体业内从材料端分为：第一代元素半导体材料，如硅（Si）和锗(Ge)；第二代化合物半导体材料：如砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等；第三代宽禁带材料，如碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氮化铝（ALN）、氧化镓（Ga2O3）等。基于禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度高、介电常数小等特性，当前应用主要领域为半导体照明、电力电子、射频微波器件、激光器和探测器件等。随着成本的下降，GaN有望在中低功率领域替代二极管、IGBT、MOSFET等硅基功率器件。以电压来分，0-300V是Si材料占据优势，600V以上是SiC占据优势，300V-600V之间则是GaN材料的优势领域。根据Yole统计，GaN器件可以适用于68%的功率器件市场。在应用领域中领域，半导体照明行业发展最为迅速，已形成百亿美元的产业规模。半导体照明所使用的材料体系主要分为3种：蓝宝石基GaN、SiC基GaN、Si基GaN，每种材料体系的产品都对应不同的应用。其中，蓝宝石基GaN是最常用的，也是最为成熟的材料体系，大部分LED照明都是通过这种材料体系制造的。在电力电子领域，宽禁带半导体的应用刚刚起步，市场规模仅为几亿美元。由于GaN材料电子漂移饱和速度高，击穿场强大，目前硅基GaN功率器件具有高反向关断电压、更高的工作频率和更低的导通电阻等特性，可使电源做的更小，效率更高，更高的功率密度。半导体在节能领域中应用最多就是功率器件，绝大多数电子产品都会使用到一颗或多颗功率器件产品。数据显示，宽禁带半导体芯片可以消除整流器在进行交直流转换时90%的能量损失，还可以使笔记本电源适配器体积缩小80%。在开关电源、电动汽车、光伏发电、UPS、数据中心、无线充电，芯片处理器等应用具有非常好的前景。在射频微波领域，GaN熔点在1700℃，频率目前可达到25G，功率达到1800w，在航空航天，微波雷达，卫星通信，5G通信有非常大的优势。全球有超过30家企业从事氮化镓半导体的研发，其中，实现商业化量产的企业仅有10家左右。在激光器方面，GaN基激光器可以覆盖到很宽的频谱范围，实现蓝、绿、紫外激光器和紫外探测的制造。紫色激光器可用于制造大容量光盘，其数据存储盘空间比蓝光光盘高出20倍。除此之外，紫色激光器还可用于医疗消毒、荧光激励光源等应用，总计市场容量为12亿美元；蓝色激光器可以和现有的红色激光器、倍频全固化绿色激光器一起，实现全真彩显示，使激光电视实现广泛应用；GaN基紫外探测器可用于导弹预警、卫星秘密通信、各种环境监测、化学生物探测等领域，但尚未实现产业化。在探测器方面，GaN基紫外探测器可用于导弹预警、卫星秘密通信、各种环境监测、化学生物探测等领域，但尚未实现产业化。2、GaN发展概况：国外先发优势，国内潜力无限GaN器件产业链各环节依次为：GaN单晶衬底（或SiC、蓝宝石、Si）→GaN材料外延→器件设计→器件制造。目前产业以IDM企业为主，但是设计与制造环节已经开始出现分工，如传统硅晶圆代工厂台积电开始提供GaN制程代工服务，国内的三安集成也有成熟的GaN制程代工服务。（国内GaN企业汇总，可文末查阅）全球范围内，氮化镓专利申请量排名前四的国家及地区是日本、中国大陆、美国、韩国、中国台湾，其中中国专利量占全球的23%。虽然在专利方面国内有一定有一定优势，但从目前的技术发展状况来说，仍以欧美日企业为主。这和GaN布局早晚有一定的联系，美国和欧洲分别于2002年和2007年启动了氮化镓功率半导体推动计划，我国的GaN研究始于2013年。GaN衬底主要由日本公司主导，日本住友电工的市场份额达到90%以上。国内已经小批量生产2英寸衬底，具备4英寸衬底生产能力，并开发出6英寸衬底样品，国内可提供相关产品的企业有：纳维科技、中镓半导体。GaN外延片相关企业主要有比利时的EpiGaN、英国的IQE、日本的NTT-AT。中国厂商有苏州晶湛、苏州能华和世纪金光，苏州晶湛2014年就已研发出8英寸硅基外延片，现阶段已能批量生产，2018年12月聚能晶源成功研制了8英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延晶圆。GaN器件设计厂商方面，有美国的EPC、MACOM、Transphom、Navitas，德国的Dialog，国内有被中资收购的安谱隆（Ampleon）等。全球GaN射频器件独立设计生产供应商（IDM）中，住友电工和Cree是行业的龙头企业，市场占有率均超过30%，其次为Qorvo和MACOM。住友电工在无线通信领域市场份额较大，其已成为华为核心供应商，为华为GaN射频器件最大供应商。此外，还有法国Exagan、荷兰NXP、德国英飞凌、日本三菱电机、美国Ⅱ-Ⅵ等。国内外氮化镓（GaN）产业链代表企业一览表来源：材料深一度我的氮化镓发展虽然起步晚，但政策方面在不断加持：2013年的“863计划”明确将第三代半导体材料及其应用列为重要内容。2015年5月，国务院印发了《中国制造2025》，其中四次提到了以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体功率器件。2015年和2016年国家科技重大专项02专项也对第三代半导体功率器件的研制和应用进行立项。2017年，北京、江苏、山东和广东等地陆续出台促进化合物半导体发展的62项相关政策。国内已经形成了第三代半导体产业发展的聚集区：京津冀、长三角、珠三角、和闽三角。地方政府出台“十三五规划”、“重点研发计划”、“科技创新规划”中涉及第三代半导体条款的政策有30条。同时我们发现，今年以来无论是地方第三代半导体产业布局还是以第三代半导体为主题的研讨会也在增多。政策支持新兴高技术产业发展对当地经济结构调整、产业转型升级起到积极的促进作用。到目前为止，国内已有四条4/6英寸SiC生产/中试线和三条GaN生产/中试线相继投入使用，并在建多个与第三代半导体相关的研发中试平台。（国内GaN企业汇总，可文末查阅）3、GaN前景广阔由于第三代半导体材料及其制作的各种器件的优越性、实用性和战略性，毫无疑问，未来以第三代半导体材料SiC和GaN制成的半导体功率器件将成为发展主流，当前许多发达国家已经将第三代半导体材料列入国家计划，全面部署。据Yole预测，2020年末，GaN射频器件市场规模将扩大至目前的2.5倍。2019-2020年，5G网络的实施将接棒推动GaN市场增长。未来10年，GaN市场将有望超过30亿美元。从研发角度来看，中国专利占据全球的23%，但产业化发展程度较欧美低，但我国发展的应用场景广阔：我国是全球最大的半导体照明产业生产地、全球规模最大的5G移动通信、全球增速最快的新能源汽车、智能手机和军工领域对功率半导体需求增速，这些应用的发展都离不开第三代半导体材料和器件的支撑。同时，国内投资GaN热度高涨。根据第三代半导体产业技术创新战略联盟的统计，仅仅2017年一年，投产氮化镓材料相关项目金额已经超过19亿元。政策扶持、应用推进、资本追捧，以GaN为代表的第三代半导体产业前景广阔，氮化镓手机快充充电器只是一个开始。国内GaN企业汇总如下：GaN衬底企业东莞市中稼半导体科技有限公司东莞市中镓半导体科技有限公司成立于2009年1月，总部设于广东东莞，总注册资本为1.3亿元人民币，总部设立厂房办公区等共17000多平方米，并在北京有大型研发中心，为中国国内一家专业生产氮化镓衬底材料的企业。官网显示，中镓半导体已建成国内首家专业的氮化镓衬底材料生产线，制备出厚度达1100微米的自支撑GaN衬底，并能够稳定生产。2018年2月，中镓半导体实现4英寸GaN自支撑衬底的试量产。东莞市中晶半导体科技有限公司东莞市中晶半导体科技有限公司成立于2010年，是广东光大企业集团在半导体领域继中镓半导体、中图半导体后布局的第三个重点产业化项目。中晶半导体主要以HVPE设备等系列精密半导体设备制造技术为支撑，以GaN衬底为基础，重点发展Mini/MicroLED外延、芯片技术，并向新型显示模组方向延展；同时，中晶半导体将以GaN衬底材料技术为基础，孵化VCSEL、电力电子器件、化合物半导体射频器件、车灯封装模组、激光器封装模组等国际前沿技术，并进行全球产业布局。苏州纳维科技有限公司苏州纳维科技有限公司成立于2007年，致力于氮化镓单晶衬底的研发与产业化，实现了2英寸氮化镓单晶衬底的生产、完成了4英寸产品的工程化技术开发、突破了6英寸的关键技术，现在是国际上少数几家能够批量提供2英寸氮化镓单晶产品的单位之一。据官网介绍，目前纳维科技GaN单晶衬底产品已提供给300余家客户使用，正在提升产能向企业应用市场发展，重点突破方向是蓝绿光半导体激光器、高功率电力电子器件、高可靠性高功率微波器件等重大领域。镓特半导体科技（上海）有限公司镓特半导体科技（上海）有限公司成立于2015年4月，主要从事大尺寸的高质量、低成本氮化镓衬底的生长，以推动诸多半导体企业能够以合理价来购买并使用氮化镓衬底。镓特半导体已自主研发出HVPE设备，并用以生长高质量的氮化镓衬底。官网显示，借助自主研发的HVPE设备，镓特半导体已成功生长出4英寸的自支撑氮化镓衬底。镓特半导体表示，未来几年内将建成全球最大的氮化镓衬底生长基地，以此进一步推广氮化镓衬底在半导体材料市场上的广泛应用，并将依托自支撑GaN衬底进行中下游的高端LED、电力电子及其他器件的研发和制造。GaN外延片企业苏州晶湛半导体有限公司苏州晶湛半导体有限公司成立于2012年3月，致力于氮化镓（GaN）外延材料的研发和产业化。2013年8月，晶湛半导体开始在苏州纳米城建设GaN外延材料生产线，可年产150mm氮化镓外延片2万片；2014年底，晶湛半导体发布其商品化8英寸硅基氮化镓外延片产品。官网介绍称，截至目前，晶湛半导体已完成B轮融资用于扩大生产规模，其150mm的GaN-on-Si外延片的月产能达1万片。晶湛半导体现已拥有全球超过150家的著名半导体公司、研究院所客户。聚能晶源（青岛）半导体材料有限公司聚能晶源（青岛）半导体材料有限公司成立于2018年6月，专注于电力电子应用的外延材料增长。针对外延材料市场，聚能晶源正在开发硅基氮化镓材料生长技术并销售硅基氮化镓外延材料作为产品。2018年12月，聚能晶源成功研制了达到全球业界领先水平的8英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延晶圆。该型外延晶圆在实现了650V/700V高耐压能力的同时，保持了外延材料的高晶体质量、高均匀性与高可靠性，可以完全满足产业界中高压功率电子器件的应用需求。北京世纪金光半导体有限公司北京世纪金光半导体有限公司成立于2010年12月，经过多年发展，世纪金光已成为集半导体单晶材料、外延、器件、模块的研发、设计、生产与销售于一体的、贯通第三代半导体全产业链的企业。在碳化硅领域，世纪金光已实现碳化硅全产业链贯通，氮化镓方面，官网显示其目前则以氮化镓基外延片为主。聚力成半导体（重庆）有限公司聚力成半导体（重庆）有限公司成立于2018年9月，是重庆捷舜科技有限公司在大足区设立的公司。2018年9月，重庆大足区政府与重庆捷舜科技有限公司签约，拟在重庆建设“聚力成外延片和芯片产线项目”。2018年11月，聚力成半导体（重庆）有限公司举行奠基仪式，项目正式开工。该项目占地500亩，计划投资50亿元，将在大足高新区建设集氮化镓外延片、氮化镓芯片的研发与生产、封装测试、产品设计应用为一体的全产业链基地。2019年6月5日，该项目一期厂房正式启用，预计将于今年10月开始外延片的量产。GaN制造企业成都海威华芯科技有限公司成都海威华芯科技有限公司成立于2010年，是国内首家提供6英寸砷化镓/氮化镓微波集成电路的纯晶圆代工企业。据了解，海威华芯由海特高新和央企中电科29所合资组建，2015年1月，海特高新以5.55亿元收购海威华芯原股东股权，并以增资的方式取得海威华芯52.91%的股权成为其控股股东，从而涉足高端化合物半导体集成电路芯片研制领域。海威华芯6英寸第二代/第三代半导体集成电路芯片生产线已于2016年8月投入试生产。官网显示，海威华芯已开发了5G中频段小于6GHz的基站用氮化镓代工工艺、手机用砷化镓代工工艺，发布了毫米波频段用0.15um砷化镓工艺。砷化镓VCSEL激光器工艺、电力电子用硅基氮化镓制造工艺在2019年也取得了较大的进展。厦门市三安集成电路有限公司厦门市三安集成电路有限公司成立于2014年，是LED芯片制造公司三安光电下属子公司，基于氮化镓和砷化镓技术经营业务，是一家专门从事化合物半导体制造的代工厂，服务于射频、毫米波、功率电子和光学市场，具备衬底材料、外延生长以及芯片制造的产业整合能力。三安集成项目总规划用地281亩，总投资额30亿元，规划产能为30万片/年GaAs高速半导体外延片、30万片/年GaAs高速半导体芯片、6万片/年GaN高功率半导体外延片、6万片/年GaN高功率半导体芯片。官网显示，三安集成在微波射频领域已建成专业化、规模化的4英寸、6英寸化合物晶圆制造产线，在电子电路领域已推出高可靠性、高功率密度的SiC功率二极管及硅基氮化镓功率器件。华润微电子有限公司华润微电子有限公司是华润集团旗下负责微电子业务投资、发展和经营管理的企业，亦是中国本土具有重要影响力的综合性微电子企业，其聚焦于模拟与功率半导体等领域，业务包括集成电路设计、掩模制造、晶圆制造、封装测试及分立器件，目前拥有6-8英寸晶圆生产线5条、封装生产线2条、掩模生产线1条、设计公司3家，为国内拥有完整半导体产业链的企业。2017年12月，华润微电子完成对中航（重庆）微电子有限公司（后更名为“华润微电子（重庆）有限公司”）的收购，重庆华润微电子采用8英寸0.18微米工艺技术进行芯片生产，并在主生产线外建有独立的MEMS和化合物半导体工艺线，具备氮化镓功率器件规模化生产制造能力。杭州士兰微电子股份有限公司杭州士兰微电子股份有限公司成立于成立于1997年，专业从事集成电路芯片设计以及半导体相关产品制造，2001年开始在杭州建了第一条5英寸芯片生产线，现已成为国内集成电路芯片设计与制造一体（IDM）企业。近年来，士兰微逐步布局第三代化合物功率半导体。2017年，士兰微打通一条6英寸的硅基氮化镓功率器件中试线。2018年10月，士兰微厦门12英寸芯片生产线暨先进化合物半导体生产线开工，其中4/6英寸兼容先进化合物半导体器件生产线总投资50亿元，定位为第三代功率半导体、光通讯器件、高端LED芯片等。GaNIDM企业苏州能讯高能半导体公司苏州能讯高能半导体有限公司成立于2011年，致力于宽禁带半导体氮化镓电子器件技术与产业化，为5G移动通讯、宽频带通信等射频微波领域和工业控制、电源、电动汽车等电力电子领域等两大领域提供高效率的半导体产品与服务。能讯半导体采用整合设计与制造（IDM）的模式，自主开发了氮化镓材料生长、芯片设计、晶圆工艺、封装测试、可靠性与应用电路技术，目前公司拥有专利256项。该公司在江苏建有一座氮化镓（GaN）电子器件工厂，厂区占地55亩，累计投资10亿元。江苏能华微电子科技发展有限公司江苏能华微电子科技发展有限公司成立于2010年6月，是由国家千人计划专家朱廷刚博士领衔的、由留美留澳留日归国团队创办的一家专业设计、研发、生产、制造和销售以氮化镓为代表的复合半导体高性能晶圆、以及用其做成的功率器件、芯片和模块的高科技公司。能华微电子先后承担了国家电子信息产业振兴和技术改造专项的大功率GaN功率电子器件及其材料的产业化项目、国家重点研发计划战略性先进电子材料重点专项的GaN基新型电力电子器件关键技术项目等。2017年，能华微电子建成8英寸氮化镓芯片生产线并正式启用。英诺赛科（珠海）科技有限公司英诺赛科（珠海）科技有限公司成立于2015年12月，该公司采用IDM全产业链模式，致力于打造一个集研发、设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析为一体的第三代半导体生产平台。2017年11月，英诺赛科的8英寸硅基氮化镓生产线通线投产，成为国内首条实现量产的8英寸硅基氮化镓生产线，主要产品包括30V-650V氮化镓功率与5G射频器件。2018年6月，总投资60亿元的英诺赛科苏州半导体芯片项目开工，今年8月30日项目主厂房封顶，预计12月底生产设备正式进厂，2020年可实现规模化量产。该项目聚焦在氮化镓和碳化硅等核心产品，将打造将成为集研发、设计、外延生产、芯片制造、分装测试等于一体的第三代半导体全产业链研发生产平台。大连芯冠科技有限公司大连芯冠科技有限公司成立于2016年3月，该公司采用整合设计与制造（IDM）的商业模式，主要从事第三代半导体硅基氮化镓外延材料及电力电子器件的研发、设计、生产和销售，产品应用于电源管理、太阳能逆变器、电动汽车及工业马达驱动等领域。官网介绍称，芯冠科技已建成首条6英寸硅基氮化镓外延及功率器件晶圆生产线。2019年3月，芯冠科技在国内率先推出符合产业化标准的650伏硅基氮化镓功率器件产品（通过1000小时HTRB可靠性测试），并正式投放市场。江苏华功半导体有限公司江苏华功半导体有限公司成立于2016年5月，注册资本为2亿元人民币，一期投入10亿元人民币。官网介绍称，目前公司已全面掌握大尺寸Si衬底高电导、高耐压、高稳定性的GaN外延技术并掌握具有自主知识产权的增强型功率电子器件制造技术。根据官网显示，华功半导体可提供2英寸、4英寸、6英寸及8英寸GaN-on-Si功率电子器件用外延片产品，并基于华功自有知识产权的GaN-on-Si外延技术设计和制造，提供650V/5A-60A系列化高速功率器件。资料来源于网络。

作为全球晶圆代工厂的一哥，TSMC台积电今年在先进制程上的优势还会进一步加强，除了7nm供不应求之外，6nm及5nm工艺也会量产，以满足苹果、华为、高通等大客户需求。为此台积电2020年的资本开支再创新高，2019年台积电将资本开支提升到了140-150亿美元，相比之前增加了40亿美元，而2020年至少是150-160亿美元，是史上最高的资本支出。巨额资本主要用于扩增先进工艺产线，除了7nm满载之外，今年还会有6nm工艺及5nm工艺，尤其是后者，苹果的A14、华为的海思麒麟1020芯片都会上5nm工艺。为此台积电正在加快设备购买，主要受益的厂商就是ASML、KLA科磊、应用材料等公司，他们供应的光刻机、蚀刻机等都是制造芯片的重要装备。这其中，ASML的EUV光刻机无疑是最关键的，台积电的第二代7nm工艺、5nm工艺都会大量使用EUV光刻机，这种设备只有ASML能产，每台售价超过1.2亿美元。根据ASML公司发布的财报，2019年全年一共出货了26台EUV光刻机，预计2020年交付35台EUV光刻机，2021年则会达到45台到50台的交付量，是2019年的两倍左右。文章来源网络

荷兰ASML阿斯麦公司今天发布了2019年Q4季度及全年财报，Q4营收40.36亿欧元，同比增长35%，净利润11.34亿欧元，同比增长81%，全年共计出货26台EUV光刻机。2019年全年，ASML公司营收118.2亿欧元，同比增长了8%，毛利率从46%下滑到了44.7%，全年净利润25.92亿欧元，维持不变。去年Q4季度，ASML出货了8台EUV光刻机，收到了9台EUV光刻机订单，全年EUV光刻机订单量达到了62亿欧元，总计出货了26台EUV光刻机，比2018年的18台有了明显增长，使得EUV光刻机的营收占比也从23%提升到了31%。由于三星、台积电在2019年大规模量产EUV工艺，所以2019年是ASML的EUV光刻机大幅增长的一年，未来也会保持这个趋势，预计2020年交付35台EUV光刻机，2021年则会达到45台到50台的交付量，是2019年的两倍左右。这也侧面证明了未来一两年才是EUV工艺大规模量产的时间点。展望2020年Q1季度，ASML预计营收31到33亿欧元之间，毛利率46%到47%之间，研发费用约为5.5亿欧元，SG&A管理营销费用1.4亿欧元，税率13%。文章来源网络

一、概伦电子收购博达微2019年12月31日，概伦电子（ProPlus）收购博达微科技（PDA）。据悉，双方将保留各自品牌、产品、团队，预示博达微将以概伦电子的子公司独立运行。概伦电子创始人刘志宏将继续担任概伦电子董事长兼总裁，还出任博达微的董事长；博达微创始人李严峰将担任概伦电子执行副总裁，并继续担任博达微总经理。概伦电子与博达微在器件建模仿真EDA工具领域合计市占率超过70%。二、新思科技完成收购DINIGroup2019年12月5日新思科技宣布已完成对DINIGroup的收购。DINIGroup总部位于加州拉霍亚，在基于FPGA的电路板和解决方案领域处于领先地位。汽车、人工智能、5G和高性能计算(HPC)中所需软件数量的快速增长为芯片设计人员带来了巨大的硬件/软件验证挑战。为了克服这一挑战，芯片设计人员正在部署基于FPGA的原型验证解决方案，以提早软件开发时间，并加速硬件验证和系统验证。DINIGroup基于FPGA的解决方案进一步扩大了新思科技在物理原型验证方面的领先地位，并将其FPGA解决方案拓展到网络应用和高频/低延迟算法交易中。三、楷登电子收购国家仪器旗下子公司AWR2019年12月3日，楷登电子（CadenceDesignSystems）已同意以约1.6亿美元从国家仪器（NationalInstruments）收购AWR公司。该交易已经于2020年1月16日完成。AWR的高频RFEDA软件可以助力微波和射频工程师为复杂的高频RF应用设计无线产品。该技术适用于通信、航天和国防、半导体、计算机及消费电子领域，可帮助客户加速系统设计和产品开发周期，大大缩短从概念到生产的时间。目前约110人规模的专业射频人才团队加入楷登电子，楷登电子期望能够在其现有的模拟和RF设计工具与AWR产品组合之间提供更好的集成。作为新战略的一部分，集成的流程还将与NI的LabVIEW和PXI模块化仪器系统连接，从而支持设计和半导体测试。同时，楷登电子与国家仪器达成战略合作协议，深化合作，推动通信领域的电子系统创新。四、InphiCorp收购eSilicon大部分业务2019年11月11日，Inphi宣布以2.16亿美元收购eSiliconASIC业务以及56/112GSerDes设计和相关IP组件。Inphi指出，eSilicon的资产有助于改善Inphi的财务状况，同时eSilicon的2.5D封装以及定制化硅芯片设计技术配合Inphi的DSP、TIA、驱动以及硅光技术有助于进一步提升他们在5nmCMOS制程方面和定制化DSP的领先程度。这次收购也有助于加强Inphi在云数据中心和5G移动领域的市场势力。五、新思科技收购eSilicon部分IP业务2019年11月11日，eSilicon宣布将其嵌入式内存IP（SRAM，TCAM和多端口内存编译器）和接口IP（HBM和HBI）资产出售给新思科技（Synopsys）。交易已经于2020年1月17日完成。新思科技指出，此次收购将扩展公司具有TCAM和多端口存储器编译器的DesignWare嵌入式存储器IP产品组合，以及其具有高带宽接口（HBI）IP的接口IP产品组合。通过此次收购，新思科技还将获得一支经验丰富的研发工程师团队，增强其在最先进的工艺技术方面的开发能力，以满足客户在AI和云等不断增长的市场中不断变化的设计要求。DesignWareIP核组合包括逻辑库、嵌入式存储器、嵌入式测试、模拟IP、有线和无线接口IP、安全IP、嵌入式处理器和子系统。为了加速原型设计、软件开发以及将IP整合进芯片，新思科技IPAccelerated计划提供IP原型设计套件、IP软件开发套件和IP子系统。新思科技对IP核质量的广泛投资、全面的技术支持以及强大的IP开发方法使设计人员能够降低整合风险，并加快上市时间。六、新思科技完成购QTronicGmbH2019年8月，新思科技宣布收购QTronicGmbH，交易已于2019年10月完成。QTronicGmbH是总部位于德国的汽车软件和系统开发的仿真，测试工具和服务的领导者。收购完成后，QTronic仿真和测试工具将加速新思科技为汽车电子供应链中的系统和软件开发提供全面的汽车虚拟原型解决方案的速度，扩大新思科技的汽车解决方案产品组合，满足汽车一级供应商和OEM公司的需求，并增加一支经验丰富的工程师团队，加快技术开发和用户部署。汽车软件的迅速发展，加上硬件、软件和物理部件之间复杂的相互作用，给汽车制造商及其供应商开发未来的动力系统、电动汽车、先进的驾驶辅助和自动驾驶系统带来了巨大的挑战。为了应对这些挑战，汽车公司正在积极部署虚拟开发和测试环境，实现更早地软件开发，加速软件推送更新的持续集成和测试。新思科技基于QTronic仿真和测试工具将为整个汽车电子供应链的系统和软件开发加快提供全面的汽车虚拟原型验证解决方案。新思科技芯片验证事业部总经理ManojGandhi表示，从半导体到原始设备制造商，汽车公司正寻求加速开发、验证和测试的汽车电子系统。通过收购QTronic，我们巩固了作为虚拟原型验证解决方案领导者的地位，并将继续提供强大的虚拟开发和测试解决方案，使汽车公司能够更早、更快和更好地开发汽车软件。七、Rambus收购NorthwestLogic2019年7月29日，Rambus宣布签署收购NorthwestLogic的最终协议。NorthwestLogic的高性能，高质量和经过硅验证的数字IP控制器内核经过优化，可用于ASIC和FPGA。由物理接口（PHY）和配套数字控制器组成的接口IP解决方案使优化芯片与电子设备之间的数据传输成为可能。每个使用内存，PCIe或MIPIPHY的SoC设计也需要使用与其关联的控制器。NorthwestLogic和Rambus互补的数字和物理IP产品组合的结合将为客户提供一站式服务。八、脸书收购IP提供商Sonics2019年3月，脸书（Facebook）收购了一家私有IP提供商Sonics。Sonics主要从事片上网络（NoC）和电源管理技术开发，是第一家开发和商业化NoC的公司，加速了包含多个处理器内核的复杂片上系统（SoC）的批量生产。基于ICE-Grain电源架构，Sonics的ICE-G1是业界首个完整的能量处理单元（EPU），可实现SoC电源管理子系统的快速开发。Sonics拥有大约150个专利产权，支持出货超过40亿个SoC产品。九、ARM完成收购wigwag2019年2月5日，全球领先的半导体知识产权(IP)提供商ARM完成对物联网智能家居创企wigwag的收购，这为ARM的loT产业布局注入了新的活力，也是AIoT领域的一次整合。WigWag的核心产品DeviceJS软件实现了用户与家居的智能互动，强化了用户的参与感和个性化体验，加上WigWag自主研发的家居硬件，这使其在物联网智能家居领域具有很强竞争力。

未来的CPU还会如何发展？Intel高管在采访中表示他们会把EMIB封装技术用于桌面处理器，这样一来未来的酷睿处理器可以同时集成7/10/14nm等工艺的芯片。作为摩尔定律的提出者及最坚定的支持者，Intel之前表示会在10nm节点之后恢复此前的2年升级一次工艺的周期，继续给摩尔定律续命。不过话说回来，现在的摩尔定律内涵也变了，Intel未来还会通过先进工艺，比如EMIB技术推动处理器继续高密度集成。Aandtech网站之前在IEDM会议上采访了Intel工艺及产品集成总监RamuneNagisetty，谈到了Intel在先进封装技术上的进展及发展方向，尤其是EMIB技术。RamuneNagisetty表示Intel已经出货了200万个基于EMIB封装的芯片，11月底的时候Intel才提到他们出货了100万EMIB封装芯片，看起来进展还不错。目前Intel使用EMIB技术的主要是Lakefield芯片，奇特的1+4核架构，主要用于低功耗移动设备，微软未来的Surface某款产品就会用这个芯片。RamuneNagisetty在采访中表示，EMIB未来会用于大规模出货的产品，包括桌面处理器，不过她没有提及详情，我们也不知道Intel打算在哪一代酷睿CPU上使用EMIB技术。但可以肯定的是，2021年量产7nm之后，Intel的10nm、14nm甚至22nm工艺都不会被淘汰，可以按需组合用于未来的桌面处理器。EMIB详细解释后面有，简单来说EMIB是一种2.5D封装技术，可以让不同工艺、不同架构的芯片几何在一起，好处是灵活搭配，毕竟不是所有芯片都需要最顶级的工艺。EMIB技术的核心思想也是chiplets小芯片设计，跟AMD的7nmZen2处理器差不多，不过技术上不同，AMD的模块化芯片封装没这么先进，两家的目标是差不多的。EMIB全称为EmbeddedMulti-DieInterconnectBridge，意为“嵌入式多裸片互连桥接”。这个名词大家可能会感觉比较陌生，不过说起最典型的产品肯定就明白了，那就是KabyLake-G，Intel首次集成AMDVegaGPU图形核心，它和HBM显存之间就是独立裸片采用EMIB整合封装在一起的。EMIB是一种高密度的2D平面式封装技术，可以将不同类型、不同工艺的芯片IP灵活地组合在一起，类似一个松散的SoC。在这种封装方式中，发挥核心作用、连接不同裸片的是硅中介层(Interposer)，通过它可以灵活地混搭各种裸片，诸如CPU、GPU、HBM显存等等，对于裸片的尺寸等也没有严格要求，而且整体制造简单，封装工艺也是标准的，成本上非常经济。不过它也有一些不足之处，比如中介层增加了额外的连接步骤，容易影响性能，而且中介层的尺寸也有限制，所以更适合一些集成裸片不多、互连要求不太高的产品。文章来源于网络

2020年AMD、Intel即将推出的新一代CPU处理器还会支持DDR4内存，但是下一代DDR5内存已经近在眼前，2021年就会正式上市。今天美光宣布开始向客户出样最新的DDR5内存，基于1Znm工艺，性能提升了85%。与DDR4内存相比，DDR5标准性能更强，功耗更低，起步频率至少4800MHz，最高6400MHz。其它变化还有，电压从1.2V降低到1.1V，同时每通道32/40位（ECC）、总线效率提高、增加预取的BankGroup数量以改善性能等。美光现在出样的DDR5内存使用了最新的1Znm工艺，大概是12-14nm节点之间，ECCDIMM规格，频率DDR5-4800，比现在的DDR4-3200内存性能提升了87%左右，不过距离DDR5-6400还有点距离，后期还有挖掘的空间。对DDR5内存来说，平台的支持才是最大的问题，目前还没有正式支持DDR5内存的平台，AMD预计会在2021年的Zen4处理器上更换插槽，支持DDR5内存，而Intel这边14nm及10nm处理器都没有明确过DDR5内存支持，官方路线图显示2021年的7nm工艺SapphireRapids处理器才会上DDR5，而且是首发服务器产品，消费级的估计还要再等等。

由于在7nm节点激进地采用了EUV工艺，三星的7nm工艺量产时间比台积电要晚了一年，目前采用高通的骁龙765系列芯片使用三星7nmEUV工艺量产。在这之后，三星已经加快了新工艺的进度，日前6nm工艺也已经量产出货，今年还会完成3nmGAE工艺的开发。在进入10nm节点之后，半导体工艺制造越来越困难，但需求还在不断提升，这就导致台积电、三星把不同的工艺改进下就推出新工艺了，而三星的6nm工艺实际上也就是7nm工艺的改进版，在7nmEUV基础上应用三星独特的SmartScaling方案，可以大大缩小芯片面积，带来超低功耗。消息人士透露，三星晶圆制造业务的高管已经确认6nm工艺的芯片出货量产，交付给北美的客户——虽然三星官方没有提及具体信息，但这个北美客户应该是高通公司，目前还不确定是哪款芯片。如果6nm成功量产，那三星手里现在进入真正量产阶段的工艺就有7nmEUV、6nmLPP两种了，可以更好地从台积电手中抢市场了。在6nm之后，三星还希望今年推出5nmEUV工艺，台积电也是预定今年上半年量产5nmEUV工艺的，这样一来三星总算上追上台积电的工艺进度了，不过三星依然没有公布5nm的客户是谁。三星真正有希望超越台积电的工艺是3nm，他们是第一家官宣使用全新GAA晶体管的，在3nm节点将会用GAA环绕栅极晶体管取代FinFET晶体管，三星希望2021年量产3nm工艺，而今年上半年完成3nm工艺开发。文章来源于网络

1月3日消息，台积电创始人张忠谋日前在接受媒体采访时谈到了竞争对手三星电子，他表示，目前台积电暂时占优。张忠谋称，三星电子是很厉害的对手，目前台积电暂时占优势，但台积电跟三星的战争绝对还没结束，台积电还没有赢。张忠谋表示，台积电只是赢了一、两场battle（战役），可是整个war（战争）还没有赢。张忠谋还谈到，三星的管理是很霸道的，也不是英特尔或台积电模式，是它自己的模式。谈论模式，必须考虑到，这家企业是什么民族、什么文化里头。台积电已在规划3纳米制程量产。今年早些时候，台湾地区媒体曾报道，台积电位于台湾南科的3纳米厂环评已在去年顺利通过，落脚在新竹的3纳米研发厂房环评，也顺利通过初审，待环评大会确认结论后，预计可顺利赶上量产时程。台媒称，台积电也透露持续深耕台湾的决心，预计把五年后的2纳米厂研发及量产都放在新竹。周四，三星电子领导人李在镕表示，该公司计划采用正在开发的最新3纳米全栅极(gate-all-around，简称GAA)工艺技术来制造尖端芯片，并提供给全球客户。台积电成立于1987年，是全球最大的晶圆专工半导体制造厂，客户包括苹果、高通等。其总部位于台湾新竹的新竹科学工业园区。台积电公司股票在台湾证券交易所上市，股票代码为2330，另有美国存托凭证在美国纽约证券交易所挂牌交易，股票代号为TSM。周四收盘，台积电(NYSE:TSM)上涨3.34%至60.04美元，总市值约3113.72亿美元。本文转载自网络

2019年显卡市场总算熬过了矿卡崩盘导致的加密宿醉期，NVIDIA继续独大，AMD也推出了7nmNavi家族，只是两家的正面交锋并不激烈，AMD的RDNA架构避开了硬件光追技术。2020年显卡市场情况如何呢？除了GDDR6显存可能涨价会有一些负面影响之外，今年的显卡市场变化还是会很大，AMD、NVIDIA都会发布新一代7nmGPU芯片，而Intel也会在年底正式入局高性能GPU市场。NVIDIA这边会有7nmAmpere安培GPU，从Pascal到Turing，NVIDIA一直在用16/12nm工艺，对7nm先进工艺不感冒，但在2020年怎么着也得升级7nm了，最快会在3月份的GTC2020上宣布。不过按照NVIDIA的习惯，首发的应该是面向数据中心的GA100大核心，面向桌面游戏市场的GA102/104/106等核心会在年中陆续布局，RTX3000系列值得关注。至于AMD，CES展会上应该会正式推出RX5600系列，其中RX5600XT基本上确定是Navi10核心阉割了，保留完整的2304个流处理器单元，但显存从256-bit8GBGDDR6削减到192-bit6GBGDDR6，功耗也有所降低，相当意外，相当惊喜。不过AMD真正的杀器还是RDNA2架构的新品，除了用于微软、索尼新一代主机之外，7nm+EUV工艺的RDNA2最大的看点是支持硬件光追，而且会有Navi21这样的大核心，性能是否可以达到RTX3080Ti这个级别的还有待关注，不过5000+高端显卡市场上应该可以一战了。今年显卡市场最大的变数并不是AMD/NVIDIA这两家，而是Intel，因为他们在1998年推出i740独显之后，2020年再次杀入高性能GPU市场，而且PC游戏是一个重点，7nm工艺首发是给数据中心GPU的，桌面版只可能用上10nm工艺。Intel自研的GPU架构、自己的10nm工艺，这两点很吸引人，不过Intel的游戏GPU公布的信息太少，官方确认的只有DG1这一个型号，之前泄漏信息显示DG1显卡性能也就是GTX950级别的，不过Intel也辟谣过了，表示DG1显卡进展良好。对Intel来说，首款游戏GPU芯片不管性能如何，最大的考验是如何赢得显卡厂商支持，能不能从目前已经站好队的AIC、AIB厂商中找到突破点，成功拉拢几家显卡厂商支持Intel的GPU计划，这点很重要，否则只靠Intel自产自销的话，那显卡的成本是没可能降下来了。本文转载自网络

PCB作为各种元器件的载体与电路信号传输的枢纽已经成为电子信息产品的最为重要而关键的部分，其质量的好坏与可靠性水平决定了整机设备的质量与可靠性。随着电子信息产品的小型化以及无铅无卤化的环保要求，PCB也向高密度高Tg以及环保的方向发展。但是由于成本以及技术的原因，PCB在生产和应用过程中出现了大量的失效问题，并因此引发了许多的质量纠纷。为了弄清楚失效的原因以便找到解决问题的办法和分清责任，必须对所发生的失效案例进行失效分析。失效分析的基本程序要获得PCB失效或不良的准确原因或者机理，必须遵守基本的原则及分析流程，否则可能会漏掉宝贵的失效信息，造成分析不能继续或可能得到错误的结论。一般的基本流程是，首先必须基于失效现象，通过信息收集、功能测试、电性能测试以及简单的外观检查，确定失效部位与失效模式，即失效定位或故障定位。对于简单的PCB或PCBA，失效的部位很容易确定，但是，对于较为复杂的BGA或MCM封装的器件或基板，缺陷不易通过显微镜观察，一时不易确定，这个时候就需要借助其它手段来确定。接着就要进行失效机理的分析，即使用各种物理、化学手段分析导致PCB失效或缺陷产生的机理，如虚焊、污染、机械损伤、潮湿应力、介质腐蚀、疲劳损伤、CAF或离子迁移、应力过载等等。再就是失效原因分析，即基于失效机理与制程过程分析，寻找导致失效机理发生的原因，必要时进行试验验证，一般尽应该可能的进行试验验证，通过试验验证可以找到准确的诱导失效的原因。这就为下一步的改进提供了有的放矢的依据。最后，就是根据分析过程所获得试验数据、事实与结论，编制失效分析报告，要求报告的事实清楚、逻辑推理严密、条理性强，切忌凭空想象。分析的过程中，注意使用分析方法应该从简单到复杂、从外到里、从不破坏样品再到使用破坏的基本原则。只有这样，才可以避免丢失关键信息、避免引入新的人为的失效机理。就好比交通事故，如果事故的一方破坏或逃离了现场，在高明的警察也很难作出准确责任认定，这时的交通法规一般就要求逃离现场者或破坏现场的一方承担全部责任。PCB或PCBA的失效分析也一样，如果使用电烙铁对失效的焊点进行补焊处理或大剪刀进行强力剪裁PCB，那么再分析就无从下手了，失效的现场已经破坏了。特别是在失效样品少的情况下，一旦破坏或损伤了失效现场的环境，真正的失效原因就无法获得了。失效分析技术光学显微镜光学显微镜主要用于PCB的外观检查，寻找失效的部位和相关的物证，初步判断PCB的失效模式。外观检查主要检查PCB的污染、腐蚀、爆板的位置、电路布线以及失效的规律性、如是批次的或是个别，是不是总是集中在某个区域等等。X射线(X-ray)对于某些不能通过外观检查到的部位以及PCB的通孔内部和其他内部缺陷，只好使用X射线透视系统来检查。X光透视系统就是利用不同材料厚度或是不同材料密度对X光的吸湿或透过率的不同原理来成像。该技术更多地用来检查PCBA焊点内部的缺陷、通孔内部缺陷和高密度封装的BGA或CSP器件的缺陷焊点的定位。切片分析切片分析就是通过取样、镶嵌、切片、抛磨、腐蚀、观察等一系列手段和步骤获得PCB横截面结构的过程。通过切片分析可以得到反映PCB(通孔、镀层等)质量的微观结构的丰富信息，为下一步的质量改进提供很好的依据。但是该方法是破坏性的，一旦进行了切片，样品就必然遭到破坏。扫描声学显微镜目前用于电子封装或组装分析的主要是C模式的超声扫描声学显微镜，它是利用高频超声波在材料不连续界面上反射产生的振幅及位相与极性变化来成像，其扫描方式是沿着Z轴扫描X-Y平面的信息。因此，扫描声学显微镜可以用来检测元器件、材料以及PCB与PCBA内部的各种缺陷，包括裂纹、分层、夹杂物以及空洞等。如果扫描声学的频率宽度足够的话，还可以直接检测到焊点的内部缺陷。典型的扫描声学的图像是以红色的警示色表示缺陷的存在，由于大量塑料封装的元器件使用在SMT工艺中，由有铅转换成无铅工艺的过程中，大量的潮湿回流敏感问题产生，即吸湿的塑封器件会在更高的无铅工艺温度下回流时出现内部或基板分层开裂现象，在无铅工艺的高温下普通的PCB也会常常出现爆板现象。此时，扫描声学显微镜就凸显其在多层高密度PCB无损探伤方面的特别优势。而一般的明显的爆板则只需通过目测外观就能检测出来。显微红外分析显微红外分析就是将红外光谱与显微镜结合在一起的分析方法，它利用不同材料(主要是有机物)对红外光谱不同吸收的原理，分析材料的化合物成分，再结合显微镜可使可见光与红外光同光路，只要在可见的视场下，就可以寻找要分析微量的有机污染物。如果没有显微镜的结合，通常红外光谱只能分析样品量较多的样品。而电子工艺中很多情况是微量污染就可以导致PCB焊盘或引线脚的可焊性不良，可以想象，没有显微镜配套的红外光谱是很难解决工艺问题的。显微红外分析的主要用途就是分析被焊面或焊点表面的有机污染物，分析腐蚀或可焊性不良的原因。扫描电子显微镜分析(SEM)扫描电子显微镜(SEM)是进行失效分析的一种最有用的大型电子显微成像系统，最常用作形貌观察，现时的扫描电子显微镜的功能已经很强大，任何精细结构或表面特征均可放大到几十万倍进行观察与分析。在PCB或焊点的失效分析方面，SEM主要用来作失效机理的分析，具体说来就是用来观察焊盘表面的形貌结构、焊点金相组织、测量金属间化物、可焊性镀层分析以及做锡须分析测量等。与光学显微镜不同，扫描电镜所成的是电子像，因此只有黑白两色，并且扫描电镜的试样要求导电，对非导体和部分半导体需要喷金或碳处理，否则电荷聚集在样品表面就影响样品的观察。此外，扫描电镜图像景深远远大于光学显微镜，是针对金相结构、显微断口以及锡须等不平整样品的重要分析方法。热分析差示扫描量热仪(DSC)差示扫描量热法(DifferentialScanningCalorim-etry)是在程序控温下，测量输入到物质与参比物质之间的功率差与温度(或时间)关系的一种方法。是研究热量随温度变化关系的分析方法，根据这种变化关系，可研究分析材料的物理化学及热力学性能。DSC的应用广泛，但在PCB的分析方面主要用于测量PCB上所用的各种高分子材料的固化程度、玻璃态转化温度，这两个参数决定着PCB在后续工艺过程中的可靠性。热机械分析仪(TMA)热机械分析技术(ThermalMechanicalAnalysis)用于程序控温下，测量固体、液体和凝胶在热或机械力作用下的形变性能。是研究热与机械性能关系的方法，根据形变与温度(或时间)的关系，可研究分析材料的物理化学及热力学性能。TMA的应用广泛，在PCB的分析方面主要用于PCB最关键的两个参数：测量其线性膨胀系数和玻璃态转化温度。膨胀系数过大的基材的PCB在焊接组装后常常会导致金属化孔的断裂失效。热重分析仪(TGA)热重法(ThermogravimetryAnalysis)是在程序控温下，测量物质的质量随温度(或时间)的变化关系的一种方法。TGA通过精密的电子天平可监测物质在程控变温过程中发生的细微的质量变化。根据物质质量随温度(或时间)的变化关系，可研究分析材料的物理化学及热力学性能。在PCB的分析方面，主要用于测量PCB材料的热稳定性或热分解温度，如果基材的热分解温度太低，PCB在经过焊接过程的高温时将会发生爆板或分层失效现象。

近日，苹果PCB供应商东山精密因量产和良率等问题，丢失苹果新机iPhone11订单的消息甚嚣尘上，引发其股价大幅跳水。东山精密不得不紧急召开澄清会议，因子公司mflex在研发和试产出现小问题，但均已顺利解决并量产。业内人士坦言，在苹果备战5GiPhone的关口，为明年顺利推出5G新机，东山精密的“丢单”事件，或将削弱其在苹果5G订单上的优势。相比之下，背靠富士康的鹏鼎控股自2004年切入苹果供应链以来，不仅是首批抢到苹果5GPCB订单的三家供应商之一，也是苹果AirPodsPro的FPC核心供应商。电子行业分析师表示，目前鹏鼎控股正积极扩充SLP和FPC产能，将持续受益于苹果5GiPhone和AirPodsPro两大产品。SLP需求提升，产能持续扩充不久前，天风国际证券分析师郭明錤报告称，苹果会在明年发布的三款新iPhone中都支持5G网络，同时他们也计划最快明年为中国市场推出定制版低价5G手机，即推出仅支持Sub-6GHz的5GiPhone，用较低的成本与售价争取市场占有率。相比华为、三星、OPPO、小米等终端厂商在今年已经推出5G手机，苹果5GiPhone的推出时间不断提速，其供应链消息因而备受关注。基于5G智能手机的电路、散热等比以往机种更繁杂，PCB与新材料扮演通讯传输模块化的关键，承担着打头阵的角色，也是苹果5G供应链最先释放的消息。早在今年3月，据台湾经济日报显示，苹果为推出5GiPhone做准备，首批已经敲定最关键的印刷电路板（PCB）与相关材料订单。其中台光电、臻鼎KY、台郡三家企业成为首批抢到印刷电路板订单的零部件厂商。同是3月，鹏鼎控股在投资者互动平台表示，母公司臻鼎科技替代鹏鼎国际，成为苹果新增的PCB供应商。而作为臻鼎科技旗下唯一生产印制电路板的子公司，鹏鼎控股与苹果公司的合作关系未发生变化。自2004年切入苹果供应链，2017年苹果iPhoneX开始全面导入SLP，以及iWatch用SLP，鹏鼎控股拿下其20%的SLP订单。此次，随着iPhone5G版要满足耗电量增加下对更大电池容量的需求，SLP面积有望变大且集成度更高，SLP的需求也将提升30%-50%，这也解释了上文提到的鹏鼎控股的SLP产能处于扩充中的原因。截止目前，鹏鼎／臻鼎是明年新款iPhone的MPI与LCP软板重要的供应商；台光电今年重返苹果主板材料主要供应商行列，具有材料端技术优势；台郡则是携手材料商研发陶瓷和高频材料，配合客户进行LCP新材料的开发量产。无线耳机市场，PCB持续增量中鹏鼎控股作为PCB领域的龙头厂商，拥有包括FPC、SLP、RPBC、HDI等多种类型的PCB产品，是苹果第一大FPC供应商，其营收70%来自于苹果。除了给苹果供应SLP，鹏鼎控股的FPC业务也在苹果AirPodsPro供应体系中也占据着重要席位。据拆解机构iFixit的AirPodsPro拆解报告显示，其FPC供应商来自鹏鼎控股。受益于AirPodsPro的销量带动，从年初至今，鹏鼎控股的股价上涨约170%。从拆解来看，苹果AirPodsPro内含FPC排线、软硬结合的PCB板以及柔性软板，用于集成多个元器件和便于组装，这也是鹏鼎控股FPC成为业绩主力的重要原因。据财报显示，鹏鼎控股2018年营收为258亿元，其中FPC占比72%，HDI（SLP）及多层板占比28%。至今年三季度财报显示，PCB行业回暖，鹏鼎控股前三季度营收增长驱动力主要是苹果AirPodsPro等可穿戴软板需求的高增长，以及来自国内华为等客户的收入高增长。与此同时，不仅AirPodsPro销量大增为鹏鼎控股的FPC业务带来利好，国内的TWS耳机市场需求也急剧升温，助力国内PCB厂商的出货增量。据Counterpoint统计，2019年上半年TWS耳机共计实现出货量4450万台，其中Q1和Q2出货量分别达1750万台和2700万台，环比增长40%和54%，预计全年有望超1亿台。值得关注的是，面对TWS耳机的巨大市场红利，国内厂商也翘首以待。今年8月，在络达推出McSync技术，突围了蓝牙连接技术的瓶颈，正式迎来TWS耳机的爆发式增长期。据业内人士透露，当前TWS耳机的PCB板，主要分两类，一是高端采用的软硬结合板，另一个类是低端采用软板+硬板结合或是纯硬板4-6HDI。除了鹏鼎控股主要为苹果AirPods供应FPC，国内TWS耳机的主要FPC厂商是崇达技术、新丝路科技、博敏电子、深联电路等，主要为华为、三星、vivo及小米等出货。此外，随着白牌TWS耳机的剧增，在苹果AirPods持续增量的第三年，TWS耳机市场也即将出现一个高速增长期。但随着品牌厂商凭借产品质量与品牌优势，加速TWS耳机行业向品牌厂商集中，苹果AirPods凭借自身优势占据着高端市场一定的份额。而鹏鼎控股有赖于在SLP和FPC两大业务领域与苹果的深度合作，其PCB的产能状况依然相对乐观。

根据目前已有的消息，苹果在明年将发布的三款iPhone都会支持5G网络连接。对于新iPhone将支持5G连接一事，“地表最强苹果分析师”郭明錤在一份报告中指出，2020年5G版的iPhone的主板面积将会增加约10%的面积，这样才能够使用最新的技术。同时，在面积增加的同时，主板的制造以及天线技术的使用将会使得主板的成本上涨35%。据报道，电路板尺寸的增加与5G技术的散热有关，并且与连接到5G新天线技术的电路有关。虽然主板的成本上涨，但这并不意味着整部手机的成本会增加35％。而从更大的主板上受益的公司将会是是Avary、EMC和AT&S。这三个都是现有的苹果供应商。从目前的情况来看，三星Note10+5G的售价比三星Note10的售价高了1000元。主板成本的上涨不知是否会导致新iPhone出现新一轮的售价上涨。其他成本上，郭明錤表示，2020年iPhone的金属中框的制造成本将增加50%-60%，玻璃外壳的成为预计上涨40%-50%，另外，如果将钢化玻璃用于开槽盖，则金属中间框架和底盘成本可能分别上升25％至35％和20％至30％。在成本上涨之外，主板面积的增加同样值得注意。目前，苹果通过搜刮iPhone其他硬件的空间来塞入更大的电池，如果新款iPhone的主板面积上涨的话，意味着在不削减其他硬件的空间的情况下，电池的空间就会受到挤压。按照爆料的信息，如果苹果明年发布的三款机型的尺寸为5.4英寸、6.1英寸以及6.7英寸，那么5.4英寸版本的机身内空间将会非常拥挤，也就意味着电池受到的限制将会非常大。如果说成本上涨、主板面积增大挤压电池空间是两个坏消息，那么，好消息是目前这些消息都还是爆料，是分析师的预测。

先来说说元器件布局比较重要的9条规则：（1）遵照“先大后小，先难后易”的布置原则，即重要的单元电路、核心元器件应当优先布局．（2）布局中应参考原理框图，根据单板的主信号流向规律安排主要元器件．（3）元器件的排列要便于调试和维修，亦即小元件周围不能放置大元件、需调试的元、器件周围要有足够的空间。（4）相同结构电路部分，尽可能采用“对称式”标准布局；（5）按照均匀分布、重心平衡、版面美观的标准优化布局；（6）同类型插装元器件在X或Y方向上应朝一个方向放置。同一种类型的有极性分立元件也要力争在X或Y方向上保持一致，便于生产和检验。（7）发热元件要一般应均匀分布，以利于单板和整机的散热，除温度检测元件以外的温度敏感器件应远离发热量大的元器件。（8）布局应尽量满足以下要求:总的连线尽可能短，关键信号线最短；高电压、大电流信号与小电流，低电压的弱信号完全分开；模拟信号与数字信号分开；高频信号与低频信号分开；高频元器件的间隔要充分。（9）去偶电容的布局要尽量靠近IC的电源管脚，并使之与电源和地之间形成的回路最短。在设计PCB时，应注意以下几点：(1)从减小辐射骚扰的角度出发，应尽量选用多层板，内层分别作电源层、地线层，用以降低供电线路阻抗，抑制公共阻抗噪声，对信号线形成均匀的接地面，加大信号线和接地面间的分布电容，抑制其向空间辐射的能力。(2)电源线、地线、PCB走线对高频信号应保持低阻抗。在频率很高的情况下，电源线、地线、或PCB走线都会成为接收与发射骚扰的小天线。降低这种骚扰的方法除了加滤波电容外，更值得重视的是减小电源线、地线及其他PCB走线本身的高频阻抗。因此，各种PCB走线要短而粗，线条要均匀。(3)电源线、地线及印制导线在PCB上的排列要恰当，尽量做到短而直，以减小信号线与回线之间所形成的环路面积。(4)时钟发生器尽量靠近到用该时钟的器件。(5)石英晶体振荡器外壳要接地。(6)用地线将时钟区圈起来，时钟线尽量短。(7)PCB尽量使用45°折线而不用90°折线布线以减小高频信号对外的发射与耦合。(8)单面板和双面板用单点接电源和单点接地；电源线、地线尽量粗。(9)I/O驱动电路尽量靠近PCB边的接插件，让其尽快离开PCB。(10)关键的线要尽量粗，并在两边加上保护地。高速线要短而直。(11)元件引脚尽量短，去耦电容引脚尽量短，去耦电容最好使用无引线的贴片电容。(12)对A/D类器件，数字部分与模拟部分地线宁可统一也不要交叉。(13)时钟、总线、片选信号要远离I/O线和接插件。(14)模拟电压输入线、参考电压端要尽量远离数字电路信号线，特别是时钟。(15)时钟线垂直于I/O线比平行I/O线干扰小，时钟元件引脚需远离I/O电缆。(16)石英晶体下面以及对噪声敏感的器件下面不要走线。(17)弱信号电路，低频电路周围不要形成电流环路。(18)任何信号都不要形成环路，如不可避免，让环路区尽量小。

在PCB设计中，焊盘是一个非常重要的概念，PCB工程师对它一定不陌生。不过，虽然熟悉，很多工程师对焊盘的知识却是一知半解。今天，板儿妹带大家来了解下焊盘的种类，以及在PCB设计中焊盘的设计标准。焊盘（连接盘，Land）用于电气连接、器件固定或两者兼备的部分导电图形。PCB焊盘的种类一、常见焊盘1、方形焊盘——印制板上元器件大而少、且印制导线简单时多采用。在手工自制PCB时，采用这种焊盘易于实现。2、圆形焊盘——广泛用于元件规则排列的单、双面印制板中。若板的密度允许，焊盘可大些，焊接时不至于脱落。3、岛形焊盘——焊盘与焊盘间的连线合为一体。常用于立式不规则排列安装中。比如收录机中常采用这种焊盘。4、多边形焊盘——用于区别外径接近而孔径不同的焊盘，便于加工和装配。5、椭圆形焊盘——这种焊盘有足够的面积增强抗剥能力，常用于双列直插式器件。6、开口形焊盘——为了保证在波峰焊后，使手工补焊的焊盘孔不被焊锡封死时常用。二、特殊焊盘1、梅花焊盘梅花焊盘通常用在大的过孔接地的位置，这样设计有以下几点原因：1）固定孔需要金属化和GND相连，如果该固定孔是全金属化的，在回流焊的时候容易将该孔堵住。2）采用内部的金属螺孔可能由于安装或多次拆装等原因，造成该接地处于不良的状态。而采用梅花孔焊盘，不管应力如何变化，均能保证良好的接地。2、十字花焊盘十字花焊盘又称热焊盘、热风焊盘等。其作用是减少焊盘在焊接中向外散热，以防止因过度散热而导致的虚焊或PCB起皮。1）当你的焊盘是地线时候。十字花可以减少连接地线面积，减慢散热速度，方便焊接。2）当你的PCB是需要机器贴片，并且是回流焊机，十字花焊盘可以防止PCB起皮（因为需要更多热量来融化锡膏）。3、泪滴焊盘当焊盘连接的走线较细时常采用，以防焊盘起皮、走线与焊盘断开。这种焊盘常用在高频电路中。PCB设计中焊盘的设计标准一、PCB焊盘的形状和尺寸设计标准：1、调用PCB标准封装库。2、有焊盘单边最小不小于0.25mm，整个焊盘直径最大不大于元件孔径的3倍。3、尽量保证两个焊盘边缘的间距大于0.4mm。4、孔径超过1.2mm或焊盘直径超过3.0mm的焊盘应设计为菱形或梅花形焊盘。5、布线较密的情况下，推荐采用椭圆形与长圆形连接盘。单面板焊盘的直径或最小宽度为1.6mm;双面板的弱电线路焊盘只需孔直径加0.5mm即可，焊盘过大容易引起无必要的连焊。二、PCB焊盘过孔大小标准：焊盘的内孔一般不小于0.6mm，因为小于0.6mm的孔开模冲孔时不易加工，通常情况下以金属引脚直径值加上0.2mm作为焊盘内孔直径，如电阻的金属引脚直径为0.5mm时，其焊盘内孔直径对应为0.7mm，焊盘直径取决于内孔直径。三、PCB焊盘的可靠性设计要点：1、对称性，为保证熔融焊锡表面张力平衡，两端焊盘必须对称。2、焊盘间距，焊盘的间距过大或过小都会引起焊接缺陷，因此要确保元件端头或引脚与焊盘的间距适当。3、焊盘剩余尺寸，元件端头或引脚与焊盘搭接后的剩余尺寸必须保证焊点能够形成弯月面。4、焊盘宽度，应与元件端头或引脚的宽度基本一致。

本文主要介绍了滤波器件的种类、滤波电路的方式以及滤波电路特殊的布局布线。在PCB设计中，滤波包括专门的信号滤波器的设计，也包括大量电源滤波电容的使用。有两方面的原因会产生噪声：一方面，当电气信号进出设备时，就会产生传导噪声，通过其他方式并不能完全抑制进出设备的传导噪声；另一方面，集成芯片的输出状态的变化或其他原因会使芯片供电电源上产生一定的噪声，并影响芯片本身或其他芯片的正常工作。通过以上两方面的原因，则说明滤波是必不可少的部分。滤波器件常用的滤波器件有多种，包括电阻､电感､电容､铁氧体磁珠等。1.电阻电阻不能单独用来做滤波的用途，它一般与电容结合起来组成RC滤波网络使用，由于引线电感（ESL）与寄生电容的存在，因此电阻的高低频特性有较大的差异。2.电感电感由于引线电阻（ESR）和寄生电容的存在，使电感存在一个自谐振频率fc，电感在低于fc的频率范围内表现为电感的特性，但在高于fc的频率范围内，则表现为电容的特性。3.电容电容和电感类似，电容在低频时表现为电容的特性，在高频时表现为电感的特性。4.铁氧体磁珠铁氧体磁珠也是滤波常用的器件，用于电磁噪声抑制的铁氧体是一种磁性材料，由铁､镍､锌氧化物混合而成，具有很高的电阻率，较高的磁导率。铁氧体磁珠串接在信号或电源通路上，用于抑制差模噪声，当电流流过铁氧体时，低频电流可以几乎无衰减的通过，但高频电流却会受到很大的损耗，转变成热量散发，铁氧体磁珠可以等效为电阻与电感的串联，但电阻值与电感值都是随频率而变化的。铁氧体磁珠与普通的电感相比具有更好的高频滤波特性，铁氧体在高频时呈现电阻特性，相当于品质因数很低的电感，所以能在相当宽的频率范围内保持较高的阻抗，从而提高高频滤波效能。5.共模电感共模电感插入传输导线中，可以同时抑制每根导线对地的共模高频噪声。通常的做法是把两个相同的线圈绕在同一个铁氧体环上，铁氧体磁损较小，绕制的方法使得两线圈在流过共模电流时磁环中的磁通相互叠加，从而具有相当大的电感量，对共模电流起到抑制作用，而当两线圈流过差模电流时，磁环中的磁通相互抵消，几乎没有电感量，所以差模电流可以无衰减地通过。滤波电路在EMC设计中，滤波的作用基本上是衰减高频噪声，所以滤波器通常都设计为低通滤波器，滤波电路的典型结构形式如图。图（a）为电感滤波器，适用于高频时源阻抗和负载阻抗较小的场合。图（b）为电容滤波器，适用于高频时源阻抗和负载阻抗较大的场合。图（c）和（d）为T型滤波器，前者适用于高频时源阻抗较小､负载阻抗较大的场合；后者适用于高频时源阻抗较大､负载阻抗较小的场合。图（e）为∏型滤波器，适用于高频时源阻抗和负载阻抗均较大的场合。图（f）为T型滤波器，适用于高频时源阻抗和负载阻抗都比较小的场合。滤波电路的布局与布线滤波电路在布局布线时必须严格注意：1.滤波电路的地应该是一个低阻抗的地，同时不同的功能电路之间不能存在共地阻抗；2.滤波电路的输入/输出不能相互交叉走线，应该加以隔离；3.在滤波电路的设计中，同时应该注意使信号路径最短､尽量简洁；尽量减小滤波电容的等效串联电感和等效串联电阻；4.接口滤波电路应该尽量靠近接插件。

内存构造简单，基本由DRAMIC和PCB组成。因此高低端内存的区别，也主要体现在这两者上。作为占据了内存绝大部门成本的DRAMIC，其重要性自然无需多言。但在内存屈指可数的部件里，PCB同样对内存性能发挥着重要的作用。如果我们留意一些高端内存的详情页，经常会看到8层或者10层PCB这样的说法。那么这个8层或者10层PCB代表什么？为什么一说到8层甚至10层，就代表着内存用料更高级、性能更好呢？咱们今天就来剥开PCB，看一看这个层数到底是什么意思。PCB，全称PrintedCircuitBoard（印制电路板），是一种类似印刷方式制造的电路板，实际上就是把长短不一、实实在在的线缆变成了树脂板的金属走线，大幅减少线材的使用，节约了空间和能耗。我们前面说到，PCB是一种类似印刷方式制造的电路板，所以常见的PCB都是几层粘合在一起，每一层都有树脂绝缘基板和金属电路层。最基础的PCB分为4层，最上和最下层的电路是功能电路，布置最主要的电路和元件，中间两层电路则是接地层和电源层。这样好处是能够对信号线作出修正，也可以更好地屏蔽干扰。一般来说，4层已经可以满足PCB的正常运作，那么所谓的6层、8层、10层，实际上就是增加更多的电路层来提升PCB的电气能力，也就是承压能力。所以，PCB层数的增加，意味着可以在内部设计出更多的电路。对于内存来说，什么时候需要增加PCB的层数呢？按照上面所说，很明显是在PCB的电气过强过高的时候。那内存PCB的电压电流在什么时候最强？玩过超频的玩家就会知道，内存如果要获得更好的性能，就必须要给它加压以提升运行频率。所以，我们就不难得出结论：内存可以高频或者超频使用的时候。目前高端内存频率一般3600MHz起步，为了保障安全和电气稳定，8层PCB基本是标配，有些甚至会达到10层。在同样版式的PCB中，8层和10层PCB带来的性能区别，对日常普通用户可以忽略不计，但是对于专业超频玩家而言，后者更能让他们实现更高的频率。影驰HOFⅡDDR4-4000内存，就采用了10层白色定制PCB，为内存运行提供稳定的电气供应。除此之外，得益于三星B-die的加持，其拥有强劲的超频能力，超频可达4600MHz+。作为信仰，HOFⅡDDR4-4000内存以银武士为设计原型的硬朗外观和炫丽多彩的七色呼吸灯效，同样为它增色不少。于玩家而言，内外兼优的HOFⅡDDR4系列内存，既是品质之选，也是信仰之选。

工业项目进行中，考虑电路板研发进度和风险的可控性，使用比较成熟的核心板来促进项目的开展和实施已经是大多数工程师的首选。那么核心板和底板之间的连接方式，也就是核心板的封装应该如何选择？各种封装有什么优缺点？以及选择之后使用过程中有哪些注意事项？今天我们就来谈一下这些问题。核心板是将MINIPC的核心功能打包封装的一块电子主板。大多数核心板集成了CPU，存储设备和引脚，通过引脚与配套底板连接在一起。因为核心板集成了核心的通用功能，所以它具有一块核心板可以定制各种不同的底板的通用性，这大大提高了单片机的开发效率。因为核心板作为一块独立的模块分离出来，所以也降低了开发的难度，增加了系统的稳定性和可维护性。尤其在紧急和重要的项目中，从IC级研发存在着高速硬件和底层驱动开发时间和开发风险的不确定性，使用核心板作为主控就是首选。当然由于核心板参数众多和本文篇幅所限，我们这次只谈核心板的封装。核心板的封装关系到未来产品的生产便利性、生产成品率、现场试用的稳定性、现场试用的寿命、故障品故障排查定位便利性等等方面。下面我们探讨一下2种常用的核心板封装形式。一、邮票孔型封装邮票孔型封装以其类似IC的外观、可以使用类似IC的焊接和固定方式受到电子工程师的喜爱。所以在市面上很多款式的核心板采用此种封装。邮票孔封装样式举例如图1：图1邮票孔封装样式举例从上图可以看出邮票孔封装样式的核心板薄如邮票，边缘焊接引脚很像邮票的边缘，因此而得名。该类型封装由于和底板的连接固定方式为焊接，所以非常牢固，也及其适用于高度潮湿和高度震动的使用现场。比如海岛项目、煤矿项目、食品加工厂项目，这几类使用场合具有高温、高湿、高腐蚀的特点，邮票孔以其连接点焊接的稳固方式而特别适用于这几类项目场合。当然邮票孔封装也尤其固有的一些限制或者缺点，比如：生产焊接成品率低、不适合多次回炉焊接、维修拆卸更换不便等等。笔者遇到过的问题就非常多：由于邮票孔核心板翘曲导致的贴片机焊接不良率偏高、由于焊接厂把核心板贴到背面进行二次回炉焊接导致的主CPU松动、由于维修拆卸导致底板焊盘掉落报废等等。所以如果确实因为使用场合要求而必须要选择邮票孔封装时，需要注意的问题有：采用全手工焊接来保证焊接产品率、采用机器焊接时切忌最后一次过炉贴核心板、做好报废率高的准备。尤其最后一点要特别说明一下，因为大多选择邮票孔核心板是为了获得产品到现场后的极地返修率，所以必须要接受邮票孔封装的种种生产和维修不便，必须要接受报废率和总体成本较高的特点。二、精密板对板连接器封装如果实在接受不了邮票孔封装带来的生产和维修的不便，也许精密板对板连接器封装是一种比较好的选择。此种封装采用公座母座对插形式，生产过程核心板不需要焊接，插入即可；维修过程方便插出更换；故障排查可以更换核心板对比。所以该封装也被众多产品采用，该封装的样式如下图：图2板对板连接器封装样式从上图可以看出，该种封装可以拔插，方便生产和维修更换。而且该封装由于引脚密度高，在很小的尺寸内即可引出较多引脚，所以该类型封装的核心板体积小巧。方便嵌入到产品尺寸受限的产品中，例如路侧视频桩、手持抄表器等。当然也是由于引脚密度比较高，导致底板的母座焊接时难度稍高，尤其是产品的样品阶段，工程师进行手工焊接的时候，已经有多位工程师朋友在该种封装的手工焊接过程中抓狂。有些朋友是焊接时把母座塑胶融化、有些是焊接时由于引脚密度太高导致一片引脚集体粘连、有些是看似焊接完美但实测引脚一片短路。基于该封装的母座焊接难度偏高，所以即使样品阶段也最好请专业焊接人员焊接，或者贴片机焊接。如果确实无条件机器焊接，这里也提供一种焊接成功率比较高的手工焊接步骤：1、在焊盘上均匀涂满焊锡（注意不能太多，太多焊锡会把母座垫高，也不能太少，太少了会导致虚焊）；2、把母座对准焊盘（注意采购母座时选用有固定柱的母座，方便对准）；3、使用烙铁逐个按压每一个引脚，达到焊接目的（注意是单独按压，主要是确保各个引脚不会短路，而且又达到焊接目的）。原文地址：固定链接：https://www.eeboard.com/news/hexinban/搜索爱板网加关注，每日最新的开发板、智能硬件、开源硬件、活动等信息可以让你一手全掌握。推荐关注！【微信扫描下图可直接关注】