UPS不间断电源设备，指不会因短暂停电中断、可以一直供应高品质电源、有效保护精密仪器的电源设备。全名UninterruptablePowerSystem。亦有稳定电压的作用，类似于稳压器。UPS的拆解：从基本应用原理上讲，UPS是一种含有储能装置，以逆变器为主要元件，稳压稳频输出的电源保护设备。主要由整流器、蓄电池、逆变器和静态开关等几部分组成。整流器：整流器是一个整流装置，简单的说就是将交流（AC）转化为直流（DC）的装置。它有两个主要功能：第一，将交流电（AC）变成直流电(DC)，经滤波后供给负载，或者供给逆变器；第二，给蓄电池提供充电电压。因此，它同时又起到一个充电器的作用。蓄电池：蓄电池是UPS用来作为储存电能的装置，它由若干个电池串联而成，其容量大小决定了其维持放电（供电）的时间。其主要功能是：1当市电正常时，将电能转换成化学能储存在电池内部。2当市电故障时，将化学能转换成电能提供给逆变器或负载。逆变器：通俗的讲，逆变器是一种将直流电（DC）转化为交流电（AC）的装置。它由逆变桥、控制逻辑和滤波电路组成。静态开关：静态开关又称静止开关，它是一种无触点开关，是用两个可控硅（SCR）反向并联组成的一种交流开关，其闭合和断开由逻辑控制器控制。分为转换型和并机型两种。转换型开关主要用于两路电源供电的系统，其作用是实现从一路到另一路的自动切换；并机型开关主要用于并联逆变器与市电或多台逆变器。UPS按工作原理分成后备式、在线式与在线互动式三大类。其中，我们最常用的是后备式UPS，它具备了自动稳压、断电保护等UPS最基础也最重要的功能，虽然一般有10ms左右的转换时间，逆变输出的交流电是方波而非正弦波，但由于结构简单而具有价格便宜，可靠性高等优点，因此广泛应用于微机、外设、POS机等领域。在线式UPS结构较复杂，但性能完善，能解决所有电源问题，如四通PS系列，其显著特点是能够持续零中断地输出纯净正弦波交流电，能够解决尖峰、浪涌、频率漂移等全部的电源问题；由于需要较大的投资，通常应用在关键设备与网络中心等对电力要求苛刻的环境中。在线互动式UPS，同后备式相比较，在线互动式具有滤波功能，抗市电干扰能力很强，转换时间小于4ms，逆变输出为模拟正弦波，所以能配备服务器、路由器等网络设备，或者用在电力环境较恶劣的地区。写在最后：随着经济的飞速发展以及基层央行对网络建设认识的不断加深，中心机房建设和改造，近几年如火如荼。但随之而来的就是日益庞大的电费开销，中心机房在建设中的投资，其中电气、电源、制冷等系统设施占了一半以上的投资比例，高额的电能消耗使得整个数据中心运行成本居高不中心机房面临“建得起却用不起”的尴尬境地。降低中心机房的运营成本和节能降耗成了基层央行有关部门关注的问题，节约能源可以从以下几方面入手。首先是机房环境的节能，包括制冷环境、供电环境;其次是从IT硬件设备节能，减少IT设备的能耗;最后是IT设备内部各集成电路的节能，比如CPU的节能等。UPS处于交流供电环节的最重要一环，机房几乎所有的IT设备由UPS供电，提高运行时的能效势在必行。UPS的节能必须从方案、电池、配电等方面全方位进行。本文来源于拆解达人，由电路城综合整理。

国内领先的信号链芯片及其解决方案提供商苏州纳芯微电子股份有限公司(以下简称“纳芯微”)宣布推出五款I²C总线接口类芯片产品，适用于各种工业、企业和消费类应用中的控制总线设计，例如安防、电力电子、个人电脑、企业交换机、服务器等领域。该系列新产品包括I²C/SMBus通用总线I/O扩展器NCA9555、I²C/SMBus热插拔缓冲器NCA9511、四通道I²C/SMBus多路复用器NCA9545、I²C/SMBus双路双向缓冲器NCA9617以及I²C/SMBus电平转换器NCA9306，这五款芯片可在-40℃至85℃的宽温工作范围内稳定运行，闩锁性能超过100mA，均符合JESD78II类规范，兼容绝大部分MCUI/O电平，提高系统集成度，并带来更优的性能和更低的成本。国内领先的信号链芯片及其解决方案提供商苏州纳芯微电子股份有限公司(以下简称“纳芯微”)宣布推出五款I²C总线接口类芯片产品，适用于各种工业、企业和消费类应用中的控制总线设计，例如安防、电力电子、个人电脑、企业交换机、服务器等领域。该系列新产品包括I²C/SMBus通用总线I/O扩展器NCA9555、I²C/SMBus热插拔缓冲器NCA9511、四通道I²C/SMBus多路复用器NCA9545、I²C/SMBus双路双向缓冲器NCA9617以及I²C/SMBus电平转换器NCA9306，这五款芯片可在-40℃至85℃的宽温工作范围内稳定运行，闩锁性能超过100mA，均符合JESD78II类规范，兼容绝大部分MCUI/O电平，提高系统集成度，并带来更优的性能和更低的成本。NCA9xxx系列产品可以为工程师提供最大的控制总线设计灵活性。伴随物联网等应用的发展，系统设计复杂度在持续增加，多个主设备和大量终端设备往往存在于一个系统中，多设备之间互连所导致的超长走线进一步影响增加控制总线布局难度，也带来更多信号完整性的挑战，NCA9xxx提供了应对这些挑战的理想解决方案。利用NCA9xxx系列芯片，工程师不但能让系统满足功能拓展需求，还能简化电路设计从而改善信号完整性与EMI，最终有效节省开发时间并降低系统总成本。NCA9xxx全兼容市场主流I²C接口类芯片，用户无需修改设计就可以直接更换，降低成本并提高性能，帮助客户应对因国际贸易纠纷而导致的供应风险。“I²C是当前最通用的设备管理总线，应用广泛，开发成本低，广受工程师喜爱。NCA9xxx系列I²C接口产品满足工业级温度要求，兼容市面大部分MCU的接口电平，完全满足系统开发中对I²C总线的功能与性能需求。该系列产品从设计、制造到封装测试全部实现国产化，确保供应的安全与可靠。此外，纳芯微还提供灵活的库存管理机制，以更好地满足国内客户的交付需求。”——纳芯微电子CEO王升杨纳芯微NCA9xxxI²C接口产品系列采用业界通用的小型封装，包括TSSOP24、MSOP8、SOP8、TSSOP20、TSSOP16等。NCA9xxx系列产品介绍NCA9555具有中断输出和可配置寄存器的16位I²C和SMBusI/O扩展器NCA9555是一款24针CMOS器件，可为I²C总线应用提供16位通用并行输入/输出（GPIO）扩展。当ACPI电源开关，传感器，按钮，LED，风扇等需要额外的I/O时，它提供了一种简单的解决方案，实现低至0.25uA的待机功耗。产品特点：I²C至并行端口扩展器16GPIO端口,默认输入工作电压2.3~5.5V3地址引脚，支持8个不同地址开漏电路低电平有效中断输出可耐受5V电压的I/O端口兼容大多数微控制器400kHz快速I²C总线极性反转寄存器具有最大高电流驱动能力的锁存输出，可用于直接驱动LED锁断性能超过100mANCA9511热插拔I²C总线和SMBus缓冲器NCA9511是一款可热插拔的I²C总线缓冲器，支持将I/O卡插入带电背板，而不会损坏数据和时钟总线。控制电路可防止背板侧I²C线（输入）连接到卡侧I²C线（输出），直到背板上发生停止命令或总线空闲状态而卡上没有总线争用为止。建立连接后，该设备将提供双向缓冲，从而使背板和卡的电容保持分离。在插入过程中，SDA和SCL线被预充电至1V，以最大程度地减小为器件的寄生电容充电所需的电流。产品特点：支持I²C总线信号双向数据传输工作电源电压范围为2.3V至5.5VTA环境空气温度范围-40°C至105°C对所有SDA和SCL线路的1V预充电可防止带电板插入过程中发生损坏可适应标准模式及快速模式I²C器件支持时钟展宽、仲裁及同步断电高阻抗I²C引脚NCA9545具有中断逻辑和复位功能的4通道I²C和SMBus多路复用器NCA9545是一款通过I²C总线控制的四路双向转换开关，支持热插拔。串行时钟/串行数据（SCL/SDA）上行对分散到四个下行对，或者通道。根据可编程控制寄存器的内容，可选择任一单独SCn/SDn通道组合。提供四个中断输入（INT3-INT0），每个中断输入针对一个下行对。一个中断(INT）输出可作为四个中断输入的与（AND）操作。产品特点：4选1I²C选择器支持4中断输入，1输出2地址引脚，支持4个不同地址0~400KI²C时钟电源电压范围2.3V~5.5V闩锁性能超过JESD78要求的100mANCA9617I²C和SMBus双路双向缓冲器NCA9617是一款专门用于I²C总线和SMBus双路双向缓冲器，支持标准模式、快速模式（400kHz）和快速模式+（1MHz)。此器件可在混合应用中提供低电压(低至0.8V）和较高电压（2.2V至5.5V）间的双向电压电平转换（上行转换模式和下行转换模式）。电平转换期间，在不损失系统性能的情况下可扩展I²C和相似的总线系统。产品特点：双通道双向缓冲器支持标准模式/400K/1MhzI²C模式0.8V~5.5V到2.2V~5.5V电平转换;VCC掉电时I²CBUS高阻态闩锁性能超过JESD78要求的100mANCA93062位双向I²C总线和SMBus电平转换器NCA9306器件是一款采用使能（EN）输入的双路双向I²C和SMBus电压电平转换器，可以在1.2V到5V之间实现双向电压转换而无需使用方向引脚。此开关具有低导通状态电阻（RON)，最大传播延迟小于1.5ns，可以在最短传播延迟情况下建立连接。当EN为高电平时，转换器开关打开，并且SCL1和SDA1I/O被分别连接至SCL2和SDA2I/O，从而实现端口间的双向数据流。当EN为低电平时，转换器开关关闭，在端口之间存在一个高阻抗状态。除了电压转换，在快速模式通信过程中控制EN引脚以断开较慢总线的连接，NCA9306器件还可用于将400kHz总线与100kHz总线隔离开。产品特点：双通道双向电平转换可实现以下电压之间的电压电平转换1.2Vto1.8V/2.5V/3.3V/5V1.8Vto2.5V/3.3V/5V2.5Vto3.3V/5V3.3Vto5V0~1MhzI²C时钟漏极开路I²CI/O端口闩锁性能超过JESD78要求的100mA转载自唯样电子资讯。

ADI近日推出采用SHARC®音频模块(SAM)的完整音频系统，可用于数字音频设备，包括音频FX处理器、多通道音频系统、MIDI合成器，以及其他基于DSP的音频系统。SAM采用双核SHARC+ADSP-SC589音频处理器SoC（集成一个Arm®Cortex®-A5内核）和ADI的A2B音频总线技术。除了主要的SHARC音频模块电路板，ADI还提供子板，能够为主板添加额外功能，并扩展该音频系统。音频项目Fin电路板直接与主板配对，可提供MIDI输入/输出、按钮和电位器，以调整音效。A2B放大器模块采用两个高效率D类放大器，可输出通过A2B双绞线总线从主板（或另一个相连的A2B节点）上的PDM麦克风和/或串行TDM源接收的数字音频数据。这款完整的音频系统能够以低确定性延迟向完全同步的分布式音频系统提供高保真多通道数字音频。该系统非常适合快速原型制作、项目评估、演示和教育应用。用户利用现成的原型制作系统和所提供的全面硬件和软件解决方案，可以缩短产品上市时间。1、ADZS-SC589-MINI的主要特性ADSP-SC589浮点SHARC处理器AD2428低延迟A2B音频总线收发器包含免费的CrossCore®EmbeddedStudio许可和用于调试的ICE-1000仿真器2、ADZS-AUDIOPROJECT的主要特性MIDI5引脚DININ/OUT/直通四个可编程外部可布线按钮ThreePOTsconnectedtohousekeepingADCoftheSHARCAudioModule三个电位计，连接到SHARC音频模块的管理ADC3、ADZS-AUDIOA2BAMP的主要特性TwoSSM3582high-efficiency4-in4-outClass-Damplifiers两个SSM3582高效率4路输入4路输出D类放大器AD2428low-latencyA2BaudiobustransceiverAD2428低延迟A2B音频总线收发器CanbecascadedviaA2Btoprovide8amplifiedoutputchannelstosupport7.1andotherspeakerconfigurations可通过A2B级联，提供8个放大输出通道以支持7.1和其他扬声器配置转载自亚德诺半导体。

麦姆斯咨询获悉，在2020年深圳光博会前夕，柠檬光子面向飞行时间（Time-of-Flight）测距的3D传感领域首次推出了基于水平腔表面发射激光器（HCSEL）技术的线光斑半导体激光投射ToF光源，可广泛应用于激光雷达、扫地机器人、工业检测和医疗等行业。图一：柠檬光子独家HCSEL线光斑激光投射模组示例柠檬光子的HCSEL激光芯片结合了边发射激光器（EEL）高功率输出和垂直腔面发射激光器（VCSEL）更适合大规模量产的优势，可同时满足激光雷达普及应用对激光光源的三大需求：更高峰值功率、更小光谱温度漂移和更长激光波段，从而实现更长的3D感测距离、更高信噪比和人眼安全防护。相比VCSEL及EEL，HCSEL芯片技术优势如下：-超高的功率，可实现单管峰值功率数百瓦-大输出口径赋予芯片更高的可靠性-光谱线宽窄，波长稳定，便于3D传感和LiDAR应用有效滤除噪声-优异的光束质量降低光学整形难度和提高光场利用率-优异的偏振度利于传感探测和光学合束-简单的芯片制造工艺从理论上保证更可控的成本线扫描的3D传感方案具有相对较高的方案集成度，以及相对低成本的更成熟的线阵光电接收芯片，使得线扫描方案越来越多的受到传感行业的关注。传统的EEL和VCSEL激光芯片由于其较大的远场发散角，很难通过diffuser形成相对低成本的均匀线光斑。柠檬光子的新型HCSEL激光芯片凭借其一个方向近乎准直的出光发散角，可以大大提高经diffuser整形过后的光场锐利度和均匀度，实现理想的线光斑。图二是2WVCSEL和HCSEL经过同一120度x1度diffuser之后的光场效果对比。图二：VCSEL和HCSEL芯片经120度x1度diffuser的光场对比柠檬光子的HCSEL新型半导体激光器芯片，将会以更高性能、更高可靠性和更低成本的特性，将3D传感应用提升到一个新的高度。目前柠檬光子可提供2~50W峰值功率的线光斑HCSEL激光投射ToF光源，已有多家国际知名厂商采用HCSEL芯片方案并正在进行测试。转载自MEMS。

数字电压表是指表面从指针改为数字的电压表,即采用数码管显示或者液晶面板显示。分类方法也很多，有按位数分的，如3/2位、5位、8位；有按测量速度分的，如高速、低速；有按体积、重量分的，如袖珍式、便携式、台式。但通常是按A/D转换方式的不同将DVM分成两大类，一类是直接转换型，也称比较型；另一类是间接转换型，又称积分型，包括电压－时间变换（VT变换）和电压－频率变换（V-f变换）。（1）逐次逼近比较型逐次逼近比较型电压表是利用被测电压与不断递减的基准电压进行比较，通过比较最终获得被测电压值，然后送显示器显示的。虽然逐次比较需要一定时间，要经过若干个节拍才能完成，但只要加快节拍的速度，还是能在瞬间完成一次测量的。（2）电压－时间变换型所谓电压－时间变换型是指测量时将被测电压值转换为时间间隔△t，电压越大，△t越大，然后按△t大小控制定时脉冲进行计数，其计数值即为电压值。电压－时间变换型又称为V－T型或斜坡电压式。（3）电压－频率变换型所谓电压－频率变换型是指测量时将被测电压值转换为频率值，然后用频率表显示出频率值，即能反映电压值的大小，这种表又称为V－f型。1、51单片机简易数字电压表使用说明：1.可设置电压报警值上下限，按下“设置”键后就可以再按“↑”键和“↓”键就可以修改电压报警值上下限，再按下“设置”键切换上下限，最后按“确认”键保存设置的电压。2.设置的电压报警值保存在单片机的EEPROM中，具有掉电保存功能。3.默认的上下限值为H:5.0VL:0.0V。4.本系统具有四个电压检测通道，可同时检测并显示在显示屏上。5.当四个通道中有一个或以上的通道测出的电压超出设定的上下限范围时就会使得蜂鸣器报警。6.测量范围：0.0--5.0V。7.设置范围：0.0--5.0V。方案链接：https://www.cirmall.com/circuit/11002、stc89C52数字电压表stc89C52数字电压表资源概述：1、采用ADC0809芯片能够测试8路电压2、液晶显示支持LCD1602、LCD188643、支持声光报警电路4、支持串口调试附件内容包括：整个数字电压表原理图和PCB，用AD软件打开；方案链接：https://www.cirmall.com/circuit/13833、基于ICL7135和89S52单片机的数字电压表本设计介绍一种基于89S52单片机的一种电压测量电路,该电路采用ICL7135高精度、双积分A/D转换电路，测量范围直流0-±2000伏，使用LCD液晶模块显示，可以与PC机进行串行通信。正文着重给出了软硬件系统的各部分电路，介绍了双积分电路的原理，89S52的特点，ICL7135的功能和应用，LCD1601的功能和应用。该电路设计新颖、功能强大、可扩展性强。如图2.1所示，模拟电压经过档位切换到不同的分压电路衰减后，经隔离干扰送到A/D转换器进行A/D转换，然后送到单片机中进行数据处理。处理后的数据送到LCD中显示，同时通过串行通讯与上位机通信。7135主要特点如下：①双积型A/D转换器，转换速度慢。②在每次A/D转换前，内部电路都自动进行调零操作，可保证零点在常温下的长期稳定。在20000字（2V满量程）范围内，保证转换精度1字相当于14bitA/D转换器。满量程）范围内，保证转换精度1字相当于14bitA/D转换器。③具有自动极性转换功能。能在但极性参考电压下对双极性模拟输入电压进行A/D转换，模拟电压的范围为0～±1.9999V。。④模拟出入可以是差动信号，输入电阻极高，输入电流典型值1PA。⑤所有输出端和TTL电路相容。⑥有过量程（OR）和欠量程（UR）标志信号输出，可用作自动量程转换的控制信号。⑦输出为动态扫描BCD码。⑧对外提供六个输入,输出控制信号(R/H,BUSH,ST,POL,OR,UR),因此除用于数字电压表外,还能与异步接收/发送器,微处理器或其它控制电路连接使用。⑨采用28外引线双列直插式封装。方案链接：https://www.cirmall.com/circuit/41704、基于51单片机+ADC0832+数码管=数字电压表（0-20V）功能描述：1、使用模数转换芯片ADC0832（ADC0832数据手册）采集模拟电压值2、通过单片机AT89S52（AT89S52数据手册）进行数据计算3、数码管显示测得的电压值性能：1、电压测量范围0-20V，精度0.08V2、供电方式2种：1）9V电池供电，经7805稳压后，输出5V。此电压既供芯片工作，又用作基准电压。2）标准信号源5V供电，（7805下的两根线，红色接正，白的接负）。用标准信号源做ADC0832的基准电压精度高且稳定，因此测得的电压比较准3、电压测试端。测试端是有正负的，反接不可测，显示000，建议测量1.5的干电池。方案链接：https://www.cirmall.com/circuit/8755、基于51单片机的数字电压表本设计基于STC89C52单片机的一种电压测量电路，该电路采用ADC0832A/D转换元件,实现数字电压表的硬件电路与软件设计。该系统的数字电压表电路简单,可以测量0～5V的电压值,并在四位LED数码管上显示电压值。所用的元件较少,成本低,调节工作可实现自动化。方案链接：https://www.cirmall.com/circuit/146456、基于ATMEGA8单片机设计数字电压表DIY制作ATMEGA8数字电压表介绍：该数字电压表采用atmel公司的MEGA8T32作为主控制芯片，采用7133-H控制该数字电压表的稳压输出32V,同时电路采用0.56寸三位数码管用于显示该数字电压表测量数值。此数字电压表测量范围为3.2V-30V,同时带反接保护，3位显示精度。该设计改进意见：1、制作三线0-100V电压表，去掉R4将R1换成390K，程序自己根据原来程序简单修改就可以了（自己学习摸索）2、制作四位高精度电压表，利用MEGA8单片机本身10位AD进行过采样得到12位以上分辨率就可以制作3.2-30V的四位电压表头。（过采样原理请自行百度搜索）3、增加更多实用功能比如低电压闪烁报警，高电压闪烁报警等。4、增加控制功能通过IO口控制外部MOS管或者继电器可以根据电压来控制外部设备的工作5、发挥自己的想象创造更多有意义的产品方案链接：https://www.cirmall.com/circuit/18787、51单片机简易数字电压表制作成功简易数字电压表可以测量0～5V的8路输入电压值，并在四位LED数码管上轮流显示或单路选择显示。该数字电压表（DVM）是利用模拟/数字交换器A/D原理，将模拟信号转换为数字信号。然后再由数码管显示出来。51单片机简易数字电压表主要由单片机+AD数模转换ADC0832+数码管显示+按键等构成。方案链接：https://www.cirmall.com/circuit/85968、DIY制作2线3位数字电压表设计（原理图、PCB、源代码、bom）该3位显示数字电压表基于ATMEGA8设计，此电压表提供的源程序可以制作成3位显示精度的3.2-30V带反接保护的电压表。改进意见：1、制作三线0-100V电压表，去掉R4将R1换成390K，程序自己根据原来程序简单修改就可以了（自己学习摸索）2、制作四位高精度电压表，利用MEGA8单片机本身10位AD进行过采样得到12位以上分辨率就可以制作3.2-30V的四位电压表头。3、增加更多实用功能比如低电压闪烁报警，高电压闪烁报警等。4、增加控制功能通过IO口控制外部MOS管或者继电器可以根据电压来控制外部设备的工作5、发挥自己的想象创造更多有意义的产品方案链接：https://www.cirmall.com/circuit/38639、量程自动切换数字电压表proteus仿真+程序资料74HC4066是一款硅栅COMS四路模拟开关，被设计用于处理模拟和数字信号。74HC4066的各开关允许振幅高达6V（峰值）的信号进行双向传输。74HC4066的各个开关单元拥有各自的使能输入控制（C）。在C端输入高电平将会导通其对应的开关单元。74HC4066的应用包括信号选通、斩波、调制解调（modem）、以及用于模数转换/数模转换的信号复用系统。方案链接：https://www.cirmall.com/circuit/1412610、单片机DIY小型电压表电路方案设计这款电路简单制作容易的STC12C2052AD单片机0-9.9V电压表，电路简单，元件少，容易制作，PCB板为单面板，下面是制作好的实物。文后附有原理图、源程序等资料。方案链接：https://www.cirmall.com/circuit/9863来源：电路城

DiodesIncorporated（NASDAQ：DIOD）宣布推出AP61100Q，这是一款5.5V，1A连续输出电流，汽车兼容型，用于负载点（POL）应用的同步降压转换器。借助完全集成的110mΩ高端功率MOSFET和80mΩ低端功率MOSFET，它可从5V和3.3V输入轨提供高效的降压DC-DC转换。该转换器已开发用于汽车应用，包括信息娱乐系统，仪表盘，远程信息处理和高级驾驶员辅助系统（ADAS）。AP61100Q的多功能可编程EN引脚提供了设计灵活性，使该器件可以在强制性脉冲宽度调制（PWM）（在所有负载中频率恒定）或脉冲频率调制（PFM）中工作。在PFM模式下，AP61100Q在5mA轻负载和仅15μA的低静态电流下可提供高达89％的效率。降压转换器具有0.6V至3.6V的宽输出电压范围，并以2.2MHz的频率工作，以避免AM无线电频带频率。通过使用恒定的导通时间控制，降压转换器可以实现快速的瞬态响应，轻松的环路稳定和低输出电压纹波。AP61100Q符合AEC-Q1001级标准，支持PPAP文档，并在IATF16949认证的设备中制造。该器件采用SOT563（1.6mmx1.6mm）封装，千片批购价为0.185美元。转载自唯样电子资讯。

2020年7月16日于格蒙登–Recom推出一款创新的高紧凑型4“x2”230W基板冷却电源，适用于2xMOPP医疗、家用、工业和ITE应用。新推出的超紧凑型4“x2”RACM230系列电源无需风扇冷却即可支持高达160W的连续输出功率和几秒钟230W的峰值功率以满足峰值负载的需求。根据型号、线路输入和环境温度的不同，电源只需最小的强制通风即可提供230W连续输出功率。标称输出电压为12V、24V、36V、48V和54V，转换效率高达92%，工作温度范围为-40至+80°C。产品通过国际安全认证，符合2xMOPP（250VAC）医疗、家用、工业、音频/视频/ITE等应用，可在海拔高达5000米处工作并具有通用80-264VAC输入，是一款全球通用的电源。待机功耗小于500mW。标配的附加功能包括智能风扇输出以及5V/1AVSB输出，适用于内部处理电路和开/关控制的应用。为了提高灵活性，RACM230系列采用开放式框架设计或封闭式金属外壳。如果需要更高的输出功率，新型RACM550系列可在具备类似规格的条件下提供高达550W的输出功率。样品和OEM价格可从RECOM授权的全球经销商或直接由RECOM提供。转载自唯样电子资讯。

中国北京，2020年7月22日–领先的电源管理、充电、AC/DC电源转换、Wi-Fi、低功耗蓝牙（BLE）技术供应商Dialog半导体公司（德国证券交易所交易代码：DLG）今天宣布，与全球领先智慧社会电子解决方案厂商TDK开展合作，将在TDK最新的µPOL™电源解决方案系列中结合Dialog的GreenPAK技术，共同打造全球首款单片集成系统电源时序解决方案。目前市场上的传统分立解决方案需要一系列元件，占用较多电路板空间，并且影响系统可靠性，也推高了制造成本。将Dialog可扩展且高度灵活的GreenPAK技术结合到TDK的小尺寸高密度的电源模块解决方案中，减少了所需的元件数量，实现更紧凑、更可靠、更强大的电源解决方案，助力先进的工业嵌入式控制、IoT和5G应用。Dialog的GreenPAK技术将产品生产周期缩短至仅4至6星期，支持大批量生产，并且加速了复杂系统电路板的开发周期。µPOL解决方案采用了先进的封装技术，如芯片内置基板封装（SESUB），使聚合的三维系统集成在更小尺寸和更薄的封装中。该合作有助于TDK提供相比市场现有方案具有更高功率密度和易用性的解决方案，并且整体系统成本也更低。例如，TDK的FS14066A电源模块能以3.3mmx3.3mmx1.5mm尺寸提供15W功率，其电流密度比最接近的竞争方案高4倍。TDK集团旗下FaradaySemi公司总裁ParvizParto表示：我们的µPOL™微型嵌入式DC/DC转换器结合Dialog紧凑的电源时序器，可实现更小的尺寸和更高的功率密度，带给客户更高易用性和更低的总拥有成本。Dialog半导体公司高级副总裁兼先进混合信号业务部总经理DavinLee表示：“通过与TDK合作，我们将GreenPAK技术的灵活性、可配置性、可扩展性与业内最紧凑、功率密度最高的TDK负载点解决方案结合到单个芯片组中，实现了比市场现有方案更具成本效益、功率效益、完全集成且可靠的电源时序系统。转载自唯样电子资讯。

近日，小米集团董事长兼CEO雷军举办小米十周年主题演讲，演讲上半场讲述了小米创业历程的点滴，下半场是大家期待的新品发布，其中最为瞩目的十周年献礼小米10超大杯也一同发布。在充电方面小米10至尊纪念版同样是进行了大幅度跃进式升级，此前小米有线快充功率最高是小米10Pro的50W，这次小米10至尊纪念版有线快充功率直接翻倍，达到了120W之高，并且配备了一个全新的名词“有线秒充”，也是全球首款支持高通QC5快充标准的手机。超大功率快充系统中最关键的部件是电池，具备大倍率充电性能的电芯能量密度会较一般电芯低25%，也就是说普通5000mAh电芯的体积做到120W大倍率电池那容量只去到4000mAh。为满足未来5G场景的高耗电使用需求，小米10至尊纪念版搭载了4500mAh超大倍率电芯，虽然能量密度低的缘故体积接近5600mAh普通电芯，但却可以支撑整个120W超大功率快充的安全稳定使用。为了解决超大功率充电的寿命问题，小米10至尊纪念版采用了石墨烯基蝶式快充电池，经过了800次充放电测试，电芯剩余额定容量仍大于90%，远高于国家标准的400次循环大于60%额定容量。安全方面拥有34重安全保护措施，并获得了德国莱茵安全快充认证3.0。拥有凶悍的120W超大功率快充是什么概念？仅需5分钟就可以为4500mAh电池充入41%电量，等效充入1845mAh电量，完全充满方面也仅需23分钟即可充满100%，将碎片化充电发挥到极致。延伸阅读早在今年三月份小米就发布了100w快充手机。这次，就来聊聊小米的100W快充到底是怎么炼成的，当然我这并没有真机和什么内幕消息，纯靠已有的知识去猜，反正不用上税。小米把快充阶段档位最高的一段电流表示数做了个特写，18V左右，4.5A以上，峰值有4.9A，结合电池容量4000mAh，倍率至少5C。那么很明确了，这是4倍电池充电电压，5A水平，按照厂商的标称习惯，大概率是20V5A，正好符合林斌写的100W规格。既然是4倍电压，毫无疑问，这个技术肯定会出自电荷泵和串联电池组，那么可能的组合其实也就那么几个，分析优劣就够了。首先是单电芯，降压完全交给电荷泵，因为电荷泵只能进行2倍到1倍电压的转换，因此搭两级电荷泵就可以了。这个方案的优点在于构成简单，放电端不用做任何特殊架构，但问题也最大，也就是转化率，毕竟电荷泵也是有损降压，经历两次的话，转化率是两级之间相乘，要比我们现在熟悉的一级电荷泵快充更低。而机身所能承受的发热是有限的，那么就意味着，充电功率越大，对转化率的要求就越严苛，比如25W规格采用了97%的转化率，那么100W就得要99.25%，一级电荷泵都达不到，就别说两级了，所以这个方案的可能性基本没有。此外，这种方案要求电荷泵能输出20A电流。目前公布的4个型号的电荷泵之中，除了高通SMB1390没有参数之外，德州仪器BQ25970和恩智浦PCA9468的最大输出电流都是8A。只有DialogDA9313的规格上有写单颗输出10A，主从模式（也就是两级）输出20A满足需求，虽说不是不能实现，但选择面的降低无疑削低了可能性。第二种，是双电芯和电荷泵结合运用，先通过电荷泵降压到2倍，然后再直接给到双电芯。相比上一个方案，它的构成要复杂，除了要双电芯之外，放电端还需要通过一级电荷泵去降压给主板，同时遇到普通5V充电，还得做DC-DC升压器件。好处很明确，就是转化率高了，因为串联分压是自然过程，根据热力学第二定律，理论上是无损转化，这样电路的理论转化率就和一级电荷泵一样，高于2级电荷泵。本文由电路城综合整合自网络

ADI近日宣布完成对INVECAS高清多媒体接口(HDMI)业务的收购。INVECAS总部位于圣克拉拉，专门提供嵌入式软件和系统级解决方案。此次收购将为ADI带来完整的音频和视频解决方案，以满足企业和消费电子市场日益增长的需求。该笔交易的财务条款未予披露。ADI公司工业和消费电子事业部高级副总裁JohnHassett表示：“HDMI技术在各种商业、专业、消费电子和汽车视频应用领域具有较高的需求。通过收购INVECAS的HDMI业务，ADI能够为客户的整个生产过程提供更加全面的解决方案——从芯片到认证再到最终产品。我们很高兴能够通过引入该团队的专业知识来进一步提高ADI的能力。”此次收购还将提升ADI在HDMI标准机构中的地位，助推HDMI连接技术的未来演进，如HDMI2.1功能组合和低功耗特性。此外，ADI还将具备认证和合规能力，以确保在客户的整个HDMI开发周期中（从概念形成到认证和产品发布）为其提供各种支持。随着行业的不断发展以及HDMI2.1的问世，8K和10K视频、增强音频回传、可变刷新率等应用将变得越来越常见。此外，ADI通过更广泛的功能组合和更低的功耗进一步扩大产品的受众，从而使这些技术被更多人采用。INVECASHDMI技术团队在该领域拥有悠久的历史，其前身是1995年成立的半导体公司SiliconImage，HDMI技术就是这家公司率先创建的。该团队的管理层在合并到ADI的音视频事业部后将继续发挥关键作用。INVECAS副总裁兼总经理LaxmanVemury表示：“随着我们向HDMI2.1迈进，并帮助引进更多突破性技术，对推动这些下一代应用发展的需求空前高涨。我们强强联手，能够提供更多产品和服务，从而使我们的客户更多地采用这些功能组合更广泛且功耗更低的技术。”通过收购INVECASHDMI业务，ADI扩展了其传感技术和解决方案组合，从而增强了人机交互体验。与公司的专业技术知识相结合时，各种技术组合所支持的新应用和动态用户接口将使设备能够以开创性方式与世界交互。这些创新旨在解决日益增长的沉浸式体验需求。

据彭博社最新报道，援引知情人士消息，美国芯片巨头ADI正洽谈收购竞争对手Maxim美信半导体，以挑战TI龙头地位！据悉，该收购案交易价格或超170亿美元，如果达成将成为今年最大半导体并购交易之一，ADI也将成为模拟“巨无霸”。报道称，交易将以全股票形式完成，且知情人士透露，尽管ADI与美信讨论仍可能破裂，但这项交易可能最早在周一宣布。据了解，Maxim成立于1983年，总部位于加利福尼亚州圣何塞。Maxim的半导体可用于各种场合，包括工业，汽车和医疗保健。Analog公司的市值约为460亿美元，总部位于马萨诸塞州的诺伍德市，多年来一直在进行断断续续的谈判。其实早在2015年，就传出了ADI与Maxim收购的可能性，据彭博社在2015年10月首度报导，TI与ADI分别与Maxim接触洽谈收购的可能性。但到了2016年年初，彭博社消息指出，芯片厂商德州仪器（TI）、亚德诺（ADI）已经各自放弃了收购美信（Maxim）的打算，主要是因为与Maxim之间在价格上无法达成共识。而在洽谈前后，Maxim也做了一系列的瘦身动作，包括出售两间晶圆厂。其中一座位于美国德州的8寸晶圆厂以4000万美元出售给TowerJazz，另一座位于硅谷的研发晶圆厂以1800万美元卖给苹果（Apple）。根据ICinsights发布的全球十大模拟厂商排行榜。美国芯片厂商德州仪器（TI）以102亿美元的模拟芯片销售额和19％的市场份额，继续坐稳2019年模拟芯片供应商龙头的位置。ICinsights指出，与2018年相比，TI的模拟销售额下降了约6亿美元，但其销售额仍然是排名第十的瑞萨的十倍以上。数据显示，TI2019年的模拟收入占其IC销售额128亿美元的80％，占其半导体总收入137亿美元的75％。亚德诺目前的营收规模，是半导体大厂德州仪器（TI）的一半不到，收购美信也许不足以完全弥补这项差距，但有助扩大ADI的产品组合阵容，距离TI更近一步了。本文资讯由电路城综合整理自网络

-Akoustis巩固了其基于BAW（BulkAcousticWave，体声波）的射频（RadioFrequency，RF）滤波器在5GHz频段的领导地位，以适应最新的WiFi标准-XBAWRF滤波器模块可完全覆盖5GHz非授权的WiFi6E频段-目前业界带宽最高的5GHz频段BAW滤波器，带通性能可达665MHz-已向SoC（系统级芯片厂商）和OEM（原始设备制造商）送样多款射频滤波器，以支持最新WiFi6E平台的开发据麦姆斯咨询报道，专注于为移动和其它无线应用提供具有专利的体声波（BAW）高频RF滤波器的垂直整合制造商（IDM）AkoustisTechnologies（纳斯达克股票代码：AKTS）（以下简称“Akoustis”），近日宣布其首款专为WiFi6E平台开发的5.5GHzXBAW滤波器已送样至SoC和OEM公司。新型5.5GHz滤波器可覆盖5.1GHz-5.8GHz频段，通带内的功率损耗较低。该款新型射频滤波器解决方案将作为公司标准目录产品，提供给所有潜在用户。它具有665MHz的超高带宽，是目前市面上可用的带宽最高的BAW滤波器产品，分数带宽（fractionalbandwidth）可达到12%。5.5GHz高性能XBAW滤波器可与最新的6GHzWiFi频段共存，性能优于传统LTCC（LowTemperatureCo-firedCeramic，低温共烧陶瓷）技术与介质谐振器滤波器技术。Akoustis首款5.5GHzWiFi6EBAW滤波器解决方案此款XBAW滤波器是Akoustis最新研发的两款滤波器的其中一款，它们分别覆盖5.1GHz-5.8GHz和5.9GHz-7.1GHz频段，显着提高了数据吞吐量并减少了与高频WiFi同步进行无线电操作出现的干扰问题。Akoustis的创始人兼首席执行官JeffShealy表示：“Akoustis此次推出的首款5.5GHzXBAW滤波器，可用于新兴的WiFi6E市场，Akoustis也将继续在高频5GHzBAWWiFi滤波器中保持其领先地位。通过将665MHz带宽滤波器模块与我们现有的、首次面市的5.2GHz和5.6GHzRF滤波器相结合，Akoustis为支持WiFi6和WiFi6E的5GHz频段提供了最全面的BAWRF滤波器解决方案。”Shealy继续说道，“接下来我们将继续为WiFi6频段推出新产品，目前我们正与多家OEM和ODM厂商开展积极合作，以提供完整的WiFi6E滤波器解决方案，我们预计在今年年末设计并交付产品。WiFi6E通过在6GHz频谱中增加1.2GHz的分配频谱，可显着提高支持WiFi设备的速度和性能，而且我们独有的专利XBAW技术尤其适合这些令人望而生畏的高带宽、高频率要求。”美国联邦通信委员会（FCC）在4月下旬宣布批准开发5.925GHz-7.125GHz频段供非授权使用，这是自FCC在1989年为WiFi分配非授权频段以来的最大频段增加。预计使用该新频段的下一代WiFi将称为WiFi6E。这项批准将在未来几年中创建新的频段或频段组合。在4月获得FCC批准前，Akoustis就一直致力于开发新型滤波器以支持新兴的WiFi6E市场。该公司一直积极研发高频宽带压电材料、器件模型和RF滤波器设计方法等，并已就其WiFi6ERF滤波器的方法申请了专利。5.5GHzXBAWWiFiRF滤波器具有以下特点：•全集成的50Ω滤波器模块配置•低插损（最小1dB）带通滤波器•高频、高带宽，覆盖整个665MHzUNII1、2A、2B、2C、3、4频段•高抑制比可与6GHzWiFiUNII5~8频段共存•单端收发（Tx/Rx）端口•高额定功率，最大+30dBm•尺寸紧凑：3.5mmx3.5mmx1.5mm•工作温度范围从-40°C到+85°C•符合RoHS标准的无铅封装5.5GHz滤波器使用Akoustis专有的XBAW工艺在其位于纽约州卡南代瓜（Canandaigua，NY）的硅基MEMS晶圆代工厂开发并制造。目前样品已开始寄送。Akoustis准备在2020年进入5G网络基础设施、高频段WiFi和相控阵雷达等多个市场领域，Akoustis的高频、高性能XBAW工艺和滤波器将会受到越来越多的关注。Akoustis已在其产品目录中新添13款滤波器，包括一款5.6GHzWiFi滤波器、一款5.2GHzWiFi滤波器、三款小型5G网络基础设施滤波器（包括两款频段n77滤波器、一款频段n79滤波器）、用于国防相控阵雷达应用的一款3.8GHz滤波器和五款S-Band滤波器、一款用于CBRS（公民宽带无线电服务）5G基础设施的3.6GHz滤波器和一款用于无人机系统（UAS）的C频段滤波器。该公司目前针对5G移动设备、网络基础设施、WiFiCPE（CustomerPremiseEquipment，客户前置设备）和军事国防等领域，正在为sub-7GHz开发新的滤波器。关于AkoustisAkoustis是一家BAWRF滤波器高科技解决方案公司，率先推出了下一代材料科学和MEMS晶圆制造技术，以满足市场对改进RF滤波器的需求——与目前采用的多晶BAW技术相比，获得更高带宽、更高工作频率和更高输出功率。该公司利用其专利保护的XBAW制造工艺，为移动和其他无线市场生产体声波RF滤波器，其产品增强了信号接收并加速了天线和数字后端之间的频带性能。Akoustis高纯度单晶压电材料和谐振滤波器工艺的显着进步，实现了卓越的器件性能，推动了机电耦合并转换为更宽的滤波器带宽。Akoustis利用其IDM业务模式为市场规模达数十亿美元的RF滤波器市场提供服务。该公司位于纽约州卡南代瓜市的工厂已通过了ISO-9001：2015认证，共占地120000平方英尺（约等于11148平方米），其中包括100级和1000级洁净室设施，可用于6英寸晶圆加工，以及RF滤波器、MEMS和其它半导体器件的设计、开发、制造和封装等。Akoustis总部位于北卡罗来纳州夏洛特附近的皮埃蒙特技术走廊。转载自MEMS。

美新半导体正式发布旗下首款全极霍尔传感器芯片MHA100KN。其具有超低功耗、超宽输入电压范围、小尺寸封装以及精准的开关控制等优势，可广泛适用于TWS，笔记本电脑，智能穿戴设备，智能仪表，开关等应用。MHA100KN使用低功耗CMOS工艺，单个芯片内集成霍尔感应元件。芯片内置灵敏度补偿，并且具有优良的温度补偿特性，使芯片能在-45~85℃的环境中保持良好的性能和一致性。MHA100KN工作电流典型值2.5uA，可满足终端设备的超长待机时间需求。采用DFN4封装，1.0x1.4x0.37mm，较小的封装尺寸为终端设备的结构设计提供了便利。工作电压1.65~5.5V，保证在充电电压不稳时仍然可以正常工作，较小的磁滞窗口确保开合检测窗口重叠。全极操作，N极和S极输出自由选择。典型的应用场景包括：检测TWS耳机充电仓盖的开启和关闭，检测耳机是否放置于充电仓内正确的位置，以及检测笔记本电脑屏幕的开合状态等。美新作为中国领先的MEMS传感器供应商，在磁传感器技术领域拥有15年的深厚积累，MHA100KN的推出进一步丰富了磁传感器产品线。美新长久以来致力于为更多客户提供全方位的解决方案，此次新产品的推出再次践行了这一承诺。目前，美新已经向多家主流手机及TWS耳机知名品牌厂商提供样品并于年内量产出货。转载自MEMS。

ST推出了基于网站的数位电源开发生态系统，说明设计人员用STM32微控制器（MCU）开发数位电源解决方案。数位电源是能够优化能源效率并通过捕获丰富的资料来实现诊断和安全保护功能的新一类设备，设计人员可以通过数位控制提高功率密度，缩减产品尺寸，降低重量，这对于资料中心、5G基础设施、智慧照明和移动设备至关重要。STM32D-Power网站整合了开发数位电源所需的全部资源，包括STM32DiscoveryKit多合一数位电源开发套件、嵌入式软体元件、ST授权合作伙伴BirichaDigital开发的软体工具，演示各种设计和功率值的专用电源板，以及适合从初学者到专业电源设计人员的各种水准开发者的技术文档、视频教程和指南，还有Biricha举办的为期四天的开发实践研讨会，演示如何使用STM32MCU构建数位电源。该生态系统能够支援三个级别的STM32数位电源微控制器，这些MUC整合了Arm®Cortex®-M这一行业标准内核的优势与片上集成的针对数位电源应用优化的功能。STM32F334入门版、STM32G474进阶版和高性能STM32H7系列MCU均包含一个灵活的高分辨率计时器，用于生成高精度脉宽调制(PWM)信号，实现对开关电源电路的稳定控制。意法半导体微控制器产品部副总裁,微控制器事业部总经理RicardodeSaEarp表示：“我们的D-Power生态系统可说明设计人员了解数位电源，设计竞标方案，利用数位电源创建更小、更轻、更环保、更智慧的解决方案。无论是初学者还是资深设计师，都可以利用高功能集成度、高能效的STM32系列来加强专业知识，并加速数位电源应用的开发。”BirichaDigital的负责人，AliShirsavar博士补充说：“我们为支援STM32D-Power生态系统而开发的嵌入式软体和实践研讨会对于任何水准的数字电源设计人员都有很大的帮助。客户可以轻松地利用这些资源，加快他们的设计速度，提高他们的专业知识水准。”STM32D-Power网站上的大多数资料和资源是免费使用的。技术详情：意法半导体的STM32D-Power生态系统提供线上教程，其中包含基本技术资讯，说明入门级使用者了解数字电源和PFC功率因数校正设计。精选的硬体和软体产品包括基于STM32G474RET6微控制器的B-G474E-DPOW1Discoverykit套件和STM32F334探索套件(STM32F3348-DISCO)，以及相关的视频教程和应用笔记，包括LED控制和STM32HRTimer使用说明书。D-Power软体发展套件(SDK)包含由BirichaDigital开发的ST-WDS电源设计软体和ST-PLD功率因数校正设计软体的STM32开发者专用免费版。还有在B-G474E-DPOW1上运行的相容STM32Cube的降压/电流模式和降压/电压模式电源嵌入式软体示例。在不久的将来将引入其它示例和拓扑。具有功率因数校正功能的数位电源评估板有多种拓扑结构，例如，图腾柱PFC和LLC谐振全桥，最低额定功率500W，包括前端整流器和完整的AC/DCSMPS电源。Biricha研讨会是为期四天的设计实战，演示如何为DC/DC和离线应用设计稳定的电压模式和电流模式数位电源和功率因数校正级，并包括利用D-Power生态系统的硬体固件和SDK在STM32F334和STM32G474上的设计培训。转载自大大通。

台积资本支出、研发费用及人数变化晶圆代工龙头台积电去年持续扩大研发规模，全年研发费用为29.59亿美元（约折合新台币880亿元）创下历史新高，较前一年成长约4％，约占总营收8.5％，并且是台湾科技业界年度研发支出最高纪录。台积电去年达成的主要成就：台积电晶圆出货量达1,010万片12寸约当量晶圆，16纳米及以下更先进制程的销售金额占整体晶圆销售金额的50％，高于前年的41％。台积电去年提供272种不同的制程技术，为499个客户生产10,761种不同产品。此外，台积电研发组织人数去年总计6,534人，较前一年成长约5％，此一研发投资规模不仅与世界级一流科技公司相当，甚至超越许多公司规模。台积电在最新发布的2019年度企业社会责任报告书中指出，为延续摩尔定律，协助客户成功且快速地推出产品，台积电不断投入研发资源，持续提供领先的制程技术及设计解决方案。台积电去年7纳米强效版技术量产及5纳米技术成功试产，台积电研发组织以不断的技术创新维持业界领导地位，在开发3纳米第六代三维电晶体技术平台的同时，亦开始进行领先半导体业界的2纳米技术，并针对2纳米以下的技术同步进行探索性研究。除了发展CMOS半导体逻辑技术，台积电亦广泛研发其他半导体技术，提供客户行动系统单晶片（SoC）产品及其他应用所需的晶片功能，例如智慧型手机、高效能运算（HPC）、物联网（IoT）、车用电子等应用。台积电去年亦与全球顶尖的研究机构如美国半导体技术研发中心SRC、比利时IMEC等持续保持强而有力的合作关係，藉由扩大赞助纳米技术研究，厚积创新动能，实现半导体技术演进与未来人才培育的二大目标。台积电先进封装的布局同样有所突破，包括开发创新的晶圆级封装技术，完成系统整合晶片（TSMC-SoIC）制程认证，大量生产第四代整合型扇出层叠封装技术（InFO-PoP）以支援行动应用处理器封装，并成功验证第五代InFO-PoP先进封装技术以支援行动应用，及第二代整合型扇出暨基板封装（InFO_oS）以支援HPC应用。此外，台积电的CMOS影像感测器技术，已开发出最新一代次微米像素感测器以支援行动应用，内嵌式三维的金属／介电质／金属（MiM）高密度电容，支援全域快门与高动态范围感测器应用。转载自半导体行业联盟。

简介拥挤的应用板上很难再集成高性能DC-DCPOL转换器。此外，电磁干扰(EMI)也是元件密度较高时不能忽视的问题，因此可选择的电源解决方案十分有限。LTM8074µModule®稳压器能够轻松克服这些限制因素。它设计紧凑，体积小巧，能够轻松装入PCB正面或背面的有限空间。LTM8074采用SilentSwitcher®架构，无需安装额外的滤波或屏蔽元件，即可通过严格的EMI测试，有助于简化设计和生产。1.2ASilentSwitcherµModule稳压器LTM8074是一款完整的超低EMI、高压输入和输出、DC-DC降压开关电源。它采用符合RoHS标准的4mm×4mm×1.92mmBGA表贴封装（图1），其中包含控制器、电源开关、电感和所有支持元件，可利用PC板底部的未用空间，实现高功率密度负载点调整。LTM8074的工作输入电压范围是3.4V至40V，输出电压是0.78V至15V。输出电压可以实现精密调节，输出电流为1.2A。这款高效率器件采用散热增强型封装，提供出色的散热性能和高功率密度。图2所示为LTM8074在负载条件下，壳温小幅上升，且热阻较低。图1.LTM8074使用SilentSwitcher架构，实现完整的小型封装低噪声解决方案。内部控制器的峰值电流模式控制架构能实现快速瞬态响应和良好的环路稳定性。输出电压的快速瞬态响应和低峰峰值电压偏差情况如图3所示。通过内部反馈环路补偿，可在多种工作条件下提供足够的稳定性裕量，支持各种输出电容，从而简化了整体设计。LTM8074采用SilentSwitcher架构，将辐射发射降至最低，轻松满足严格的电磁兼容性标准要求。图2.室温条件(23°C)下，LTM8074在满载（1A电流，12V输入，5V输出）情况下温度小幅上升。图3.使用最小输出电容（2µF×4.7µF陶瓷电容）时，LTM8074提供快速瞬态响应（12VIN，3.3VOUT）。适合狭小紧凑的空间LTM8074以紧凑的外形集成了所有支持元件，简化了布局设计并缩小了解决方案尺寸。只需输入和输出电容、频率和电压设置电阻即可形成完整设计。图4和图5分别显示了典型应用电路及其效率。虽然LTM8074的µModule设计几乎是可直接使用的独立自足型稳压器，但也可以轻松调整一些设计参数来满足具体应用需要。输出电压和工作频率具有电阻可编程特性，工作频率可以设置为与外部时钟同步。LTM8074还提供可编程软启动、输出电压跟踪、电源良好指示和使能控制以及多种导通模式选项，包括跳脉冲模式、突发模式®工作和扩频调制，进一步优化了EMI性能和轻载效率。图4.实现7V至40V输入、5VOUT1.2A设计只需极少的元件。超低噪声：CISPR22B类开关稳压器本身会产生辐射EMI，在相对较高的频率工作时需要高dI/dt事件。LTM8074内置专有SilentSwitcher架构，可实现低EMI性能，不必采用复杂的EMI抑制技术，如降低开关频率、增加滤波电路或安装屏蔽部件等。无需外部电路或特殊布局方法即可满足CISPR22B类等辐射EMI标准，具体请参见图6和图7。图5.LTM8074典型效率。图6.1.2A、12VIN、3.3VOUT条件下，EMI性能与CISPR22B类要求对比（3个计量值，峰值，垂直天线，无EMI滤波器）。图7.1.2A、24VIN、3.3VOUT条件下，EMI性能与CISPR22B类要求对比（3个计量值，峰值，垂直天线，无EMI滤波器）。结论LTM8074是一款紧凑型1.2A负载点µModule稳压器，适用广泛的输入和输出电压。它内置SilentSwitcher架构，提供低EMI性能，方便设计调整，可满足从便携式设备到密集型工业电路板等各种应用的需要。

盖世汽车讯据外媒报道，美国弗吉尼亚大学（theUniversityofVirginia，UVA）和德克萨斯大学奥斯汀分校（UniversityofTexas-Austin）电气和计算机系的工程师研发了一款雪崩光电二极管，实现了创纪录的性能，有能力变革下一代夜视成像和激光雷达的接收器。对于激光雷达而言，该团队研发的低噪声、两微米雪崩光电二极管能够实现功率更高的操作，而且其操作对人眼而言，非常安全。（图片来源：弗吉尼亚大学）此次取得突破性成果源于UVA大学电气和计算机工程系JoeC.Campbell和教授LucienCarrIII与UT-Austin大学SethR.Bank教授的多年合作。AndrewH.Jones（Campbell的2020级博士研究生）和StephenD.March（Bank教授研究小组的博士生）也参与了该项研究，而且该项目由美国国防高级计划局和陆军研究办公室提供资助。该团队在Bank教授先进半导体外延实验室（AdvancedSemiconductorEpitaxy）制造了具备新颖光学和电子特性的数字合金，采用分子光束外延来让该合金（由铝、铟、砷和锑制成）生长，从而让其结合了长波长的灵敏度、超低噪声以及实现弱暗电流所需的设计灵活性等特性，而现有的低噪声雪崩光电二极管材料技术目前并不具备此种灵活性。Bank表示：“我们能够将晶体的生长过程控制至单原子尺度，因而让我们能够合成自然界所不能合成的晶体，同时还能够设计出一种完美的晶体，结合了高效光探测性能所需的基本材料特性。”该团队研发的雪崩光电二极管是一个理想的解决方案，适用于紧凑型、高灵敏度激光雷达接收器。机器人、自动驾驶车辆、广域监控和地形测绘等激光雷达应用都需要高分辨率的传感器，能够探测到从远处物体反射回来的、被大大衰减的光学信号。然而，下一代激光雷达系统的普及受到用眼安全的限制，因为激光功率越高，对眼睛造成伤害的风险就越大。Campbell表示：“对于激光雷达系统而言，两微米视窗非常完美，对眼睛来说很安全，还扩大了探测范围。我可以预见，新款雪崩光电二极管会影响很多受益于高灵敏度探测器的关键技术。”目前，该项研究被转移至英国半导体公司IQE（为铸造业务服务）和美国航空航天制造厂商洛克希德马丁（LockheedMartin），以研发具备读出电路的光电二极管阵列。未来，这两所大学将集中让该雪崩光电二极管能够在近室温的条件下实现低噪声操作，将工作波长进一步扩展至红外，并将其灵敏度提高至单光子水平。转载自盖世汽车智能网联。

据麦姆斯咨询报道，近日，由华芯无线科技（深圳）有限公司自主研发的适用于5G手机的FullB41BAW滤波器流片成功，即将进入量产阶段。这是5GBAW滤波器在国内芯片技术中取得的又一成果，有利推动了芯片国产化加速发展。滤波器在移动通信网络中起着消除干扰信号，滤除噪声，以实现精准选频的作用。BAW滤波器作为通信行业内的技术代表，其声能密度高，结构能很好地导限声波，因此高频信号通常选用BAW滤波器。华芯本次流片成功的B41频段BAW滤波器，带宽达到194MHz，并支持满足PowerClass2标准，各项参数均已达到国际同类产品水平；不仅满足中国移动的160MHz带宽需求，而且可以适用于全球市场。华芯FullB41BAW的成功流片，标志着又一颗具有代表性的中国制造滤波器芯片被成功研制。滤波器是射频前端中最具挑战性的模块，在市场中，BAW滤波器的设计和制作难度更大，成本更高。在国内，有能力进入这一领域的厂商数量很少，因此，BAW滤波器在市场中更加稀缺。华芯无线科技董事长梁海浪博士说：“对于BAW滤波器来说，只做样品而不去大规模的量产并不难；但是想要做到量产，哪怕是只有百分之三、四十的良率，在技术层面上来说，都是非常困难的。”本次华芯成功流片的FullB41BAW滤波器经多年研发和试验，终于突破技术瓶颈，产品即将从工程阶段进入量产阶段。5G时代为滤波器行业带来了巨大的市场机会，会有更多的频段资源被投入使用，频段的增加将促使滤波器不断升级，也大幅提升了滤波器的用量。作为射频前端市场中的重要板块，BAW滤波器将会是5G时代的主力军。在过去的很长一段时间里，射频前端被美日几家巨头公司垄断，其拥有更多的市场话语权，制造成本也更加低廉。而对于中国企业，在滤波器领域的技术积累略显薄弱。直至近几年，中国射频前端芯片厂家在世界市场中逐渐展露头角。对于BAW滤波器未来的前景，总经理何京京说：“华芯未来将会做滤波器全频段的布局，能够覆盖到中国移动、中国联通、中国电信，以及日本、欧洲、美国等的所有频段。”华芯作为正在迅速发展的中国半导体制造厂商，在滤波器设计及工艺制造方面拥有丰富经验，并在产品架构及工艺制程上取得了关键突破，拥有绝对独立的知识产权。自2018年开始，华芯无线就已和全球领先的射频晶圆代工厂开展了深度合作。华芯的企业架构图作为一家专业的射频芯片公司，旨在为终端用户以及通讯模组厂商提供优质的产品服务和技术支持，以推动射频产业的进步和发展。华芯将充分利用自身的材料技术优势以及客户平台优势，在5G时代拓展高端射频器件，保持公司在射频器件领域的领先地位。继FullB41BAW成功流片后，华芯预计将在2020年底陆续向市场提供N77、N78、N79等多个适用于中国5G频段的滤波器芯片样品。转载自MEMS。

近日，东方财经《科创先行者》报道，万业企业旗下的凯世通已研发出最新的集成电路离子注入机，其定位是超高先进半导体工艺的低能大束流，将于年底将进行量产。离子注入机按照工艺功能可以将其分为离子源、吸极系统、质量分析仪、加速管和扫描系统等几大板块，它是半导体前道加工工艺中最为复杂的生产装备之一。离子注入机具有极高的技术、资金、人才壁垒，目前该设备的主要技术为西方发达国家所垄断。其中，美国AMAT应用材料公司以超过70%的市占率稳坐行业第一把交易。众所周知，在摩尔定律的推动下，集成电路的线宽将不断缩小以应对元器件集成度大幅提高的要求下，这也意味着凯世通的超高先进工艺设备将帮助芯片制造技术性能升级，进一步印证公司在离子注入工艺领域内遥遥领先。据了解，离子注入在芯片制造前道工艺中是不可或缺的工艺，而低能大束流离子注入机更是半导体制造中最为核心设备之一，其开发难度仅次于光刻机，存在较高的行业竞争壁垒，而凯世通是国内唯一全领域离子注入机公司，产品覆盖集成电路、光伏和AMOLED领域等。凯世通总经理陈克禄博士表示，“公司自主研发的低能大束流离子注入机不仅要国产替代，而且要领先全球。”目前该产品在低能和大束流等核心指标，特别是束流强度指标上，已达到或超过国外同类产品，因此可更好的降低单位成本消耗，满足国内集成电路行业实际应用。目前该产品也已顺利进入离子注入晶圆验证阶段，将于今年年底将实现量产，这标志着公司具备先进制程的低能大束流离子注入整机工艺验证的能力，未来有望为全球先进制程逻辑、存储、5G射频、摄像头CIS、功率半导体等不同应用领域芯片客户提供离子注入工艺验证服务。此外，值得关注的是凯世通自主研发的低能大束流集成电路离子注入机荣获了北京市科学技术奖技术进步一等奖。同时，凯世通“高能离子注入机关键技术研究与样机验证”项目也被正式列入上海市2019年度“科技创新行动计划”集成电路领域立项项目清单。因其在集成电路装备领域的战略地位和代表意义，该项目入选了上海市科技小巨人工程，荣膺上海市政府颁发的“上海市科学技术奖”、浦东新区政府颁发的“上海市浦东新区科学技术奖”等诸多奖项。陈克禄博士还介绍到，公司聚焦于集成电路，研发上采取“领先一步”的策略，以离子束技术为核心研发了三种不同类型的离子注入机设备，主要应用在集成电路、光伏、AMOLED领域。同时，陈克禄博士携记者参观了部分样机，其中展示的光伏离子注入机经过了四代迭代，产能已经达到每小时6000片，目前全球市占率超过93%，在光伏行业内具备绝对的竞争优势。转载自摩尔定律。

今天，拓墣产业研究院发布了2020年第一季度全球前十大IC设计公司营收及排名。高通主要受惠于5G产品策略奏效，拓墣产业研究院分析师姚嘉洋表示，高通在第一季成功打进不少陆系手机品牌的旗舰与高端机种的供应链，加上5G射频前端产品的采用度提高，此外，疫情催生的远程办公与教学需求大幅增长，这些使得高通(Qualcomm)营收摆脱连续6个季度衰退的态势，登上榜首。博通(Broadcom)半导体部门则因为市场竞争与中美贸易争端的影响，同时也受到主要客户苹果近期手机出货下滑的影响，无法有效支撑半导体部门的营收表现。这些使得该公司营收呈现连续五季的负增长，落为第二。来源：拓墣产业研究院不过，对于博通第二季度的业绩，不少业界人士持乐观态度。调研机构Argus近日表示，博通受新冠肺炎疫情的冲击不大，显示公司业务稳健，其市场优势值得投资人关注。Argus分析师JimKelleher表示，博通第二季财报有许多值得嘉许的地方，不仅营收超乎预期，公司基础设施软件部门录得两位数的增长，从而抵消半导体部门小幅的下滑。尽管疫情下，许多企业销售受到打击，但博通的营收年增长在收购案的帮助下却进一步扩大。云端运算供货商积极投资满足大量涌入的流量，这嘉惠提供设备的博通，带动第2季营收交出优于市场预期的成长。除了受惠于宅经济，博通还有其他利多因素，尽管苹果未透露何时开始销售5GiPhone，但Kelleher推测5GiPhone的最终发布将会在未来「大幅推动新一波智能手机汰换周期。」在这份榜单中，AMD和英伟达(NVIDIA)的表现依然维持稳健，第一季度营收年增长率分别达40.4%和39.6%。英伟达在游戏显卡与资料中心的增长相当强劲，而AMD的7nm制程处理器产品线营收持续成长，加上笔电产品受惠于新冠肺炎带动远程工作的需求大幅提升，在前十大IC设计业者中成长率居冠。排在第四位的联发科在4G手机市场占比有所提升，带动了营收增长。赛灵思(Xilinx)排名依然稳健，在持续受到国际贸易限制冲击的情况下，营收同比有所衰减。排在第七的美满(Marvell)则受惠于网通与5G基础建设需求带动，而且受中美贸易战影响较小。中国台湾的联咏(Novatek)最近表现一直都比较抢眼，特别是在智能手机的OLED显示驱动芯片与电视SoC市场有不错表现。转载自摩尔芯闻。

去年10月，英国初创公司SearchForTheNext(SFN)开发的一种名为Bizen晶体管设计被媒体曝光。根据SFN的说法，同传统的CMOS晶体管比较起来，Bizen采用双极-齐纳二极管的方式能大大减少工艺层，从而将交付时间从15周缩短到3周，有望撼动CMOS的地位。最近，该设计已获得英国政府的170万英镑（约1522万人民币）的资助，这笔来自URKI工业战略挑战基金的捐赠，将助力Bizen晶体管技术进一步发展。这项有潜力将CMOS载入历史的晶体管技术究竟有什么不同？图片来源：wccftechCMOS在芯片制造中的地位CMOS又称为互补金属氧化物半导体，是一种集成电路的设计工艺。在硅质晶体板上制成NMOS和PMOS基本元件共同组成的电路具有互补性，故被称之为CMOS电路。1962年，美国RCA公司研制出MOS场效应晶体管。次年，F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技术，如今，95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺。基于CMOS工艺的芯片制造，需要在晶圆上完成硼元素和磷元素的扩散，进而掺杂制成PMOS元件和NMOS元件，最后得到满足要求的电路。但是在掺杂的过程，需要不断地进行光刻，确保腐蚀和扩散无法对光刻选定的地方起作用。一般而言，基于传统CMOS设计工艺的芯片制造需要10-17个掩膜层。除此之外，传统的双极技术需要使用高阻电阻器，这种电阻器会在基板上占据很大的面积。在MOS和CMOS技术取代以前占主导地位的双极工艺的同时，因为结构宽度的进一步缩小与物理定律的冲突越来越多，MOS达到了极限。Bizen晶体管模型的提出技术可能有极限，但是人类的智慧却没有极限。英国初创公司SearchForTheNext（SFN）和苏格兰芯片制造商Semefab合作开发了Bizen晶体管架构，可能从另一方向打破CMOS的极限。提出Bizen晶体管架构最初的目的就是为了创建具有较少掩膜步骤的芯片，使得同一块芯片上同时具有逻辑和功率晶体管，在这一初衷下创建一个LED驱动器的集成电路。SFN的首席执行官萨默兰（Summerland）提出了使用齐纳二极管反向偏置特性的想法，该特性是由二极管N区域和P区域之间掺杂水平的突然变化产生的，最终致使量子电流的产生。Summerland希望利用该电流来驱动双极晶体管。具体而言，SFN的Bizen晶体管设计，将双极结与齐纳二极管的概念结合在一起，利用量子隧穿效应从传统的双极晶体管中消除了电阻以及所有金属层。晶体管使用量子隧道连接栅极并能够建立多个栅极连接，这意味着可以在一个晶体管内创建多个非门和或门，从而缩小了逻辑电路的裸片。根据萨默兰德（Summerland）的解释，尽管Bizen存在一些静态功耗要求，但可以达到或超过CMOS工艺技术的开关速度和动态功耗。目前为止，Bizen晶体管还没有CMOS静电放电（ESD）敏感性和闩锁问题的困扰，Bizen晶体管适用于数字晶体管和功率器件。该技术还具有可扩展性的潜力，Semefab董事总经理AllanJames表示，各个处理步骤的性质使该技术天生具有扩展到较小节点的能力。“这实际上是一种非常精巧的工艺架构，具有相对较少的扩散和只有八个掩模。”James说，“八个掩模可以创建能够执行逻辑功能的Bizen器件，能够执行模拟功能的横向器件以及垂直NPN功率晶体管功能。”Bizen晶体管何时能投入使用？由于仅需要4-8个掩模层（CMOS为10-17个掩模层），Bizen晶体管可以在适合英国低资本支出的晶圆厂中相对较大的工艺节点上快速经济地生产。据SFN称，交货时间可以从15周减少到3周。Semefab在苏格兰Glenrothes建立了33年，经营着三个晶圆厂，包括两个MOS/双极工厂（一个是1µm到0.7µm节点的100mm晶圆厂，一个是1µm到0.7µm节点的150mm晶圆厂）。主要从事MEMS晶圆代工业务。接下来，晶圆代工厂将进一步对Bizen进行测试，提高集成度并进行进一步的特性描述，包括加速寿命测试。James表示，目前还没有获得成品率统计信息，但到目前为止，Bizen晶体管在其150mm晶圆上看起来是均匀的，并且随机采样大量器件表明确实是均匀的。自2018年年中以来，SFN已与苏格兰Glenrothes本地的私有半导体和MEMS晶圆厂Semefab合作，进行工艺开发和认证以生产设备，并计划在今年夏天推出第一批测试芯片。在英国政府的扶持下，这批芯片或将更早问世。转载自中文业界资讯站。

美国布法罗大学科研团队开发了一种新形式的功率MOSFET晶体管，这种晶体管可以用最小的厚度处理难以置信的高电压，可能会提升电动汽车电力电子元件效率。金属氧化物半导体场效应晶体管，也就是我们常说的MOSFET，是各种消费类电子产品中极为常见的元件，尤其是汽车电子领域。功率MOSFET是一种专门为处理大功率负载而设计的开关。每年大约有500亿个这样的开关出货。实际上，它们是三脚、扁平的电子元件，可作为电压控制开关。当在栅极引脚上施加足够的（通常是相当小的）电压时，就会在其他两个引脚之间建立连接，完成一个电路。它们可以非常快速地开启和关闭大功率电子器件，是电动汽车不可或缺的一部分。通过创建基于氧化镓的MOSFET，布法罗大学的团队声称，他们已经研究出了如何使用薄如纸的晶体管来处理极高的电压。当用一层常见的环氧树脂聚合物SU-8"钝化"后，这种基于氧化镓的晶体管在实验室测试中能够处理超过8000伏的电压，然后才会出现故障，研究人员称这一数字明显高于用碳化硅或氮化镓制成的类似晶体管。实验当中，氧化镓的带隙数字为4.8电子伏特，令人印象深刻。带隙是衡量一个电子进入导电状态所需的能量，带隙越宽，效果越好。硅是电力电子器件中最常见的材料，其带隙为1.1电子伏特。碳化硅和氮化镓的带隙分别为3.4和3.3电子伏特。因此，氧化镓的4.8电子伏特带隙使其处于领先地位。通过开发一种能够以极小的厚度处理极高电压的MOSFET，布法罗团队希望其工作能够为电动车领域、机车、飞机、微电网技术以及潜在的固态变压器等更小、更高效的电力电子器件做出贡献。转载自中文业界资讯站。

日前，国际知名分析机构ICinsights发布了最新的全球十大模拟厂商排行榜。据其榜单，美国芯片厂商德州仪器（TI）以102亿美元的模拟芯片销售额和19％的市场份额，继续坐稳2019年模拟芯片供应商龙头的位置。ICinsights指出，与2018年相比，TI的模拟销售额下降了约6亿美元，但其销售额仍然是排名第十的瑞萨的十倍以上。数据显示，TI2019年的模拟收入占其IC销售额128亿美元的80％，占其半导体总收入137亿美元的75％。从产品线组成上看，报告指出，2019年，TI的模拟产品销售针对工业应用（占收入的36％），智能手机和其他个人电子产品（占收入的23％）和汽车应用（占收入的21％）。该公司表示，这三个应用领域都具有很高的利润，并为他们的现在和未来提供了最佳的增长机会。排名第二的是ADI公司，其2019年模拟IC销售额下降6％至52亿美元，占全球模拟市场份额的10％。ADI表示，其芯片（包括其通过2017年收购LinearTechnology获得的许多产品）解决了“从传感器到云，从DC到100GHz甚至更高以及从纳瓦到千瓦的机遇。”其2019年按最终用途应用划分的销售额分为工业（50％），通信（21％），汽车（16％）和消费者（13％）。欧洲三大主要IC供应商——英飞凌、意法半导体和恩智浦均进入2019年前十名模拟供应商榜单。它们合计占全球模拟市场份额的18％，比2018年增长2个百分点。其中英飞凌是欧洲排名最高的模拟芯片供应商（第三名），销售额近38亿美元。从业务上看，英飞凌继续扩大在汽车（2019年销售额的44％）和电源管理（2019年销售额的30％）应用中的份额。工业电源控制（18％）和芯片卡及安全性（8％）则是他们产品线的另一重要组成部分。尽管ST的模拟IC收入在2019年下滑了3％，但在排名中却上升了一位，升至第四位。ICinsights表示，意法半导体的模拟销售额在2019年下降至33亿美元（6％的市场份额）。ST的模拟重点是运动控制（电机驱动器IC和高压驱动器IC），自动化（智能电源开关）和能源管理（电力线通信IC）应用。来到恩智浦，ICinsgihts表示，他们的主要增长领域之一是汽车，其模拟产品销售是新兴系统（如LiDAR，车辆网络和5G）的重要组成部分。从整体榜单上看，恩智浦以26亿美元的销售额（5％的市场份额）排名第六。SkyworksSolutions则在2019年的排行中滑落一位至第五位。ICinsights的数据显示，该公司在2018年实现创纪录的37亿美元之后模拟芯片销售，随后这部分业务在2019年下降了13％。而销售额的下降部分归咎于中美贸易战。据报道，中国是Skyworks在2018年和2019年销售的第二大区域市场。Skyworks的许多客户是智能手机以及其他通信和计算设备的制造商，并且他们在中国拥有大量业务。尽管经济不景气，该公司还是加速了其新模拟芯片和芯片组产品组合的开发，以推出5G智能手机，无线基础设施应用和无线游戏耳机。ICinsights强调。来到第八名，根据ICinsights，在连续三年实现模拟产品销售额两位数增长后，排名第八的安森美半导体在2019年的模拟产品销售额下降了13％。安森美半导体一直是汽车，工业和云电源应用领域显着增长的受益者，这是其驱动力过去几年的模拟收入增长。排名第九的Microchip是唯一一家看到其模拟销售额增长的十大模拟供应商，其模拟销售额增长了10％，达到15亿美元。Microchip于2018年5月完成了对Microsemi的收购，这为其在2019年的全年模拟销售额提供了良好的推动力。转载自摩尔定律。

据外媒报道，当谈到常规光伏板时，投在上面的阴影越少越好。然而，一种实验性的新设备却是通过其表面阴影和光线的对比来发电的。据悉，该工具由来自新加坡国立大学的科学家开发，叫做阴影效应能量生成器(SEC)。目前的原型则由一个柔性透明塑料底座和四个电池组成，每个电池都有一层薄薄的金薄膜沉积在硅片上。这些电池的生产成本比同类的硅太阳能电池要低。当整个SEG完全置于光线或阴影中时，它几乎不会产生任何电力。然而，当它的一部分暴露在光线下，另一部分被阴影笼罩时，亮部和暗部之间会产生电压差进而产生明显的电流。在室内部分阴影照明条件下进行的实验室测试中，SEG能为数字手表等小型设备供电。当一半在光线中，一半在阴影中，它的表现最好，事实上，在同样的条件下，它的效率是同等容量的光伏电池板的两倍。SEG不仅可以在光线不佳的情况下为小型设备供电还可以作为运动传感器--当一个移动的物体在其中一个设备上投射出阴影时就会产生可检测的电流。现在，这群科学家们正在研究一种能替代黄金的更便宜材料以此来进一步降低这项技术的成本。相关研究报告已发表在《Energy&EnvironmentalScience》上。转载自中文业界资讯站。

近日，知名PC大厂联想旗下的子品牌thinkplus推出了一款65W的氮化镓快充充电器，作为新一代口红电源，更小巧的体积随身携带毫无负担，让充电的过程变得更轻更快。截止到目前，联想thinkplus口红电源家族已经具有三款产品，其中两款为65W，一款为45W。值得一提的是，这也是笔记本大厂首次官宣氮化镓快充，可见第三代半导体技术日渐获得手机、笔电等厂商的青睐。thinkplus口红电源采用了GaN氮化镓新方案，是一种新型半导体在电源上的创新应用，未来将广泛应用在新能源汽车、半导体照明、新一代5G移动通讯上。使用了氮化镓技术的口红电源除了拥有小巧精致的体积以外，还有高效的电能转换效率和低开关损耗。这款充电器在接口方面单独配备了一个USB-C接口，可提供高达65W的输出功率。兼容了绝大部分智能手机的同时，也能给支持PD协议的笔记本电脑进行快充。当前联想推出了款式众多支持USBPD快充的笔记本电脑，对于消费者则可以将原配充电器放置在家中，选择这款氮化镓快充之后，可以作为旅行、办公等经常移动使用场景的随身充电器。thinkplus氮化镓电源采用了可折叠式插脚设计，2:1宽高比，缩回插脚不仅减少体积，同时也与其他金属物件发现剐蹭，出行更安心。电源的整体设计为简洁风格，表面用了哑光的处理工艺，手感较为细腻。尺寸为64.8mm×31.3mm，方正小巧的外形在插线板上使用不会妨碍到其他设备的使用。配套的长达1.8米的TPE高弹性线材，出门在外，接口远一点也能轻松应对。这款充电器的型号为GaN65，输入支持100-240V全电压适配，全球旅行仅需一个充电头。支持PD3.0和QC3.0高兼容性快充协议及PPS充电协议，已通过3C安全认证，符合DoEVI&CoCTier2能效标准。thinkplus口红电源提供了雅典白、极夜黑、热力红三种颜色给客户自行选择。总的来说thinkplus这款新推出的氮化镓快充充电器具有方正小巧的体积，仅93g的重量可随身而行，轻量化的充电器材一直是用户们的刚需，这款充电器刚好满足了这一点。感兴趣的小伙伴可以关注充电头网，后续带来更详细的拆解评测。转载自中文业界资讯站。

制造商商品型号分类参数描述免费申请ROHMBD63860EFV-E2电源输出配置:半桥(4),电流-输出:1.7A,电机类型-步进:双极性,电压-电源:16V~28V,步进分辨率:1,1/2,1/4,1/8,接口:串行,工作温度:-25°C~150°C(TJ),封装/外壳:28-VSSOP,功能:驱动器-全集成,控制和功率级免费样片申请ROHMBD9866GUL-E2电源输出数:4,电压-输出:多重,电压-输入:4V~14V,工作温度:-25°C~85°C,封装/外壳:VCSP50L3免费样片申请ROHMBD6423EFV-E2电源输出配置:半桥(4),电流-输出:700mA,电机类型-步进:双极性,电压-电源:19V~42V,步进分辨率:1,1/2,1/4,接口:模拟,PWM,工作温度:-25°C~150°C(TJ),封装/外壳:24-VSSOP,功能:驱动器-全集成,控制和功率级免费样片申请ROHMBD8LB600FS-CE2电源运行时间—最大值:50us,输出端数量:8Output,输出电流:1A,空闲时间—最大值:50us,电源电压-最小:3V,电源电压-最大:5.5V,电流限制:1.8A,工作电源电压:3Vto5.5V,工作温度:-40°C~150°C,导通电阻—最大值:800mOhms免费样片申请ROHMBD99011EFV-ME2电源频率-开关:200kHz~500kHz,输出配置:正,输出类型:固定,输出数:1Ohms,系列:汽车级,AEC-Q100,电流-输出:2A,电压-输出（最小值/固定）:5V,电压-输入（最小值）:3.6V,电压-输入（最大值）:35V,拓扑:降压,工作温度:-40°C~105°C(TA),封装/外壳:24-HTSSOP-B,同步整流器:是免费样片申请ROHMBD63730EFV-E2电源输出配置:半桥(4),电流-输出:2.7A,电机类型-步进:双极性,电压-负载:19V~28V,电压-电源:19V~28V,步进分辨率:1,1/2,1/4,接口:并联,工作温度:-25°C~85°C(TA),封装/外壳:54-HTSSOP-B,功能:驱动器-全集成,控制和功率级免费样片申请ROHMBM6108FV-LBE2电源输出端数量:2Output,输出电流:5A,输出电压:2V,系列:BM6108FV-LB,电源电压-最小:4.5V,电源电压-最大:24V,激励器数量:1Driver,最大开启延迟时间:150ns,160ns,最大关闭延迟时间:140ns,150ns,工作电源电流(mA):3.2mA,工作温度:-40°C~105°C,封装/外壳:SSOP-B20W,功率（W）:1.19W,关闭:NoShutdown,下降时间:50ns,上升时间:50ns免费样片申请ROHMBD2808MUV-ME2电源高度:1mm,长度:7mm,通道数量:24Channel,输出电流:50mA,输出电压:20V,输入电压:3.3V,电源电流—最大值:5mA,湿度敏感性:Yes,工作频率:1.02MHz,工作温度:-40°C~105°C,宽度:7mm,功率（W）:5.2W,FET类型:DriverICwith2-LineSerialInterface免费样片申请ROHMBD65492MUV-E2电源输出配置:半桥(4),电流-输出:1A,电机类型-AC，DC:有刷直流,电压-负载:1.8V~16V,电压-电源:2.5V~5.5V,接口:PWM,工作温度:-25°C~150°C(TJ),封装/外壳:24-VFQFN,功能:驱动器-全集成,控制和功率级免费样片申请ROHMBD62321HFP-TR电源输出配置:半桥(2),电流-输出:3A,电机类型-AC，DC:有刷直流,电压-电源:6V~32V,接口:开/关,工作温度:-40°C~150°C(TJ),封装/外壳:HRP7,功能:驱动器-全集成,控制和功率级免费样片申请ROHMBD8139AEFV-E2电源输出电流:40mA,工作电源电压:2.3Vto18V,工作温度:-30°C~85°C,封装/外壳:40-VSSOP,功率（W）:1.6W,FET类型:TFT-LCD稳压器免费样片申请ROHMBD6232HFP-TR电源输出配置:半桥(2),电流-输出:2A,电机类型-AC，DC:有刷直流,电压-负载:6V~32V,接口:开/关,工作温度:-40°C~150°C(TJ),封装/外壳:HRP7,功能:驱动器-全集成,控制和功率级免费样片申请ROHMBD9V100MUF-CE2电源输出端数量:1Output,输出电流:1A,输出电压:0.8Vto5.5V,输入电压:16Vto60V,最小输入电压:16V,最大输入电压:60V,拓扑结构:Buck,开关频率:2.1MHz,工作温度:-40°C~125°C,封装/外壳:VQFN-24,关闭:Shutdown免费样片申请ROHMBD6232FP-E2电源输出配置:半桥(2),电流-输出:2A,电机类型-AC，DC:有刷直流,电压-负载:6V~32V,接口:开/关,工作温度:-40°C~150°C(TJ),封装/外壳:25-HSOP,功能:驱动器-全集成,控制和功率级免费样片申请ROHMBD63843EFV-E2电源输出配置:半桥(4),电流-输出:700mA,电机类型-步进:双极性,电压-负载:19V~28V,步进分辨率:1,1/2,1/8,1/16,接口:并联,工作温度:-25°C~150°C(TJ),封装/外壳:28-HTSSOP-B,功能:驱动器-全集成,控制和功率级免费样片申请ROHMBD6393FP-E2电源输出配置:半桥(4),电流-输出:800mA,电机类型-步进:双极性,电压-负载:16V~28V,步进分辨率:1,1/2,1/4,接口:并联,工作温度:-25°C~150°C(TJ),封装/外壳:25-HSOP,功能:驱动器-全集成,控制和功率级免费样片申请ROHMBD9781HFP-TR电源频率-开关:50kHz~500kHz,输出配置:正,输出类型:可调式,输出数:1Ohms,电流-输出:4A,电压-输出（最小值/固定）:1V,电压-输出（最大值）:35V,电压-输入（最小值）:7V,拓扑:降压,工作温度:-40°C~125°C(TA),封装/外壳:HRP7,同步整流器:无免费样片申请ROHMBD65491FV-E2电源输出配置:半桥(2),电流-输出:1.2A,电机类型-AC，DC:有刷直流,电压-负载:1.8V~16V,电压-电源:2.5V~5.5V,接口:PWM,工作温度:-25°C~150°C(TJ),封装/外壳:16-SSOPB,功能:驱动器-全集成,控制和功率级免费样片申请ROHMBD6226FP-E2电源输出配置:半桥(4),负载类型:电感,电流-输出/通道:1A,电压-负载:6V~15V,电压-电源:6V~15V,故障保护:限流,超温,过压,UVLO,接口:逻辑,工作温度:-40°C~85°C(TA),封装/外壳:25-HSOP,导通电阻（典型值）:1.5欧姆免费样片申请ROHMBD90640HFP-CTR电源电流-输出:2.5A,电压-电源:4.3V~13.2V,湿气敏感性等级（MSL）:3(168小时),接口:逻辑,工作温度:-20°C~75°C(TA),封装/外壳:54-VSSOP,功能:驱动器免费样片申请ROHMBD90640EFJ-CE2电源输出端数量:1Output,输出电流:4A,输出电压:0.8Vto36V,输入电压:13.2V,系列:BD90640HFP-C,最小输入电压:3.5V,最大输入电压:36V,拓扑结构:Buck,开关频率:50kHzto600kHz,工作电源电流(mA):2.2mA,工作温度:-40°C~125°C,关闭:Shutdown免费样片申请ROHMBD57011AGWL-E2电源输出端数量:1Output,输出电流:4A,输出电压:0.8Vto36V,输入电压:13.2V,最小输入电压:3.5V,最大输入电压:36V,拓扑结构:Buck,开关频率:50kHzto600kHz,工作电源电流(mA):2.2mA,工作温度:-40°C~125°C,关闭:Shutdown免费样片申请ROHMBD67929EFV-E2电源输出配置:半桥(3),电流-输出:2.5A,电机类型-AC，DC:无刷DC(BLDC),电压-负载:19V~28V,接口:并联,工作温度:-25°C~150°C(TJ),封装/外壳:28-VSSOP,功能:驱动器-全集成,控制和功率级免费样片申请ROHMBD6225FP-E2电源输出配置:半桥(4),负载类型:电感,电流-输出/通道:500mA,电压-电源:6V~15V,故障保护:限流,超温,过压,UVLO,接口:逻辑,工作温度:-40°C~85°C(TA),封装/外壳:25-HSOP,导通电阻（典型值）:1.5欧姆免费样片申请ROHMBD90620HFP-CTR电源输出端数量:1Output,输出电流:2.5A,输出电压:0.8Vto36V,输入电压:13.2V,系列:BD90620HFP-C,最小输入电压:3.5V,最大输入电压:36V,拓扑结构:Buck,开关频率:50kHzto600kHz,工作电源电流(mA):2.2mA,工作温度:-40°C~125°C,关闭:Shutdown免费样片申请ROHMBD9G341AEFJ-LBE2电源输出端数量:1Output,输出电流:3A,输出电压:1Vto76V,输入电压:12Vto76V,最小输入电压:12V,最大输入电压:76V,拓扑结构:Buck,开关频率:0.75MHz,工作电源电流(mA):1.5mA,工作温度:-40°C~85°C,封装/外壳:8-SOIC,关闭:Shutdown免费样片申请ROHMBD63960EFV-E2电源输出配置:半桥(4),电流-输出:1.2A,电机类型-步进:双极性,电压-电源:19V~28V,步进分辨率:1,1/2,接口:并联,工作温度:-25°C~150°C(TJ),封装/外壳:24-VSSOP,功能:驱动器-全集成,控制和功率级免费样片申请ROHMBD6142AMUV-E2电源频率:1.25MHz,输出数:8,调光:PWM,电流-输出/通道:30mA,电压-供电（最高）:27V,电压-输出:41V,电压-供电（最低）:4.2V,拓扑:升压(升压),工作温度:-40°C~85°C(TA),封装/外壳:24-VFQFN裸露焊盘,内部开关:是,FET类型:DCDC稳压器免费样片申请ROHMBM6203FS-E2电源输出配置:半桥(3),负载类型:电感,电流-输出/通道:2.5A,电流-峰值输出:4A,电压-负载:400V(最大),电压-电源:13.5V~16.5V,故障保护:限流,超温,UVLO,接口:逻辑,工作温度:-20°C~125°C(TJ),封装/外壳:SSOP-A54_23,导通电阻（典型值）:1.7欧姆免费样片申请ROHMBD9152MUV-E2电源频率-开关:1MHz,输出配置:正,输出类型:可调(固定),输出数:2,电流-输出:1.5A,电压-输出（最小值/固定）:0.8V(3.3V),电压-输出（最大值）:2.5V,电压-输入（最小值）:4.5V,电压-输入（最大值）:5.5V,拓扑:降压,工作温度:-40°C~85°C(TA),封装/外壳:20-VFQFN裸露焊盘,同步整流器:是,功能:降压免费样片申请ROHMBD9E300EFJ-LBE2电源频率-开关:1MHz,输出配置:正,输出类型:可调式,输出数:1Ohms,电流-输出:2.5A,电压-输出（最小值/固定）:1V,电压-输出（最大值）:25.2V,电压-输入（最小值）:7V,电压-输入（最大值）:36V,拓扑:降压,工作温度:-40°C~150°C(TJ),封装/外壳:8-HTSOP-J,同步整流器:是免费样片申请ROHMBD6231HFP-TR电源输出配置:半桥(2),电流-输出:1A,电机类型-AC，DC:有刷直流,电压-负载:6V~32V,接口:开/关,工作温度:-40°C~150°C(TJ),封装/外壳:HRP7,功能:驱动器-全集成,控制和功率级免费样片申请ROHMBD9422EFV-E2电源频率:500kHz,输出数:6,调光:模拟,PWM,电流-输出/通道:400mA,电压-供电（最高）:35V,电压-供电（最低）:9V,拓扑:升压,工作温度:-40°C~85°C(TA),封装/外壳:40-VSSOP,内部开关:是,FET类型:DCDC稳压器免费样片申请ROHMBA6285AFP-YE2电源输出配置:半桥(2),系列:BA6285AFP,电流-输出:1A,电机类型-AC，DC:有刷直流,电压-负载:4.5V~24V,电压-电源:4.5V~24V,接口:开/关,工作电源电流(mA):63mA,工作电源电压:4.5Vto24V,工作温度:-40°C~150°C(TJ),封装/外壳:25-HSOP,功能:驱动器-全集成,控制和功率级免费样片申请ROHMBD9E301EFJ-LBE2电源频率-开关:570kHz,输出配置:正,输出类型:可调式,输出数:1Ohms,电流-输出:2.5A,电压-输出（最小值/固定）:1V,电压-输出（最大值）:25.2V,电压-输入（最小值）:7V,电压-输入（最大值）:36V,拓扑:降压,工作温度:-40°C~150°C(TJ),封装/外壳:8-HTSOP-J,同步整流器:是免费样片申请ROHMBD8303MUV-E2电源频率-开关:200kHz~1MHz,输出阶段:2,输出配置:正,输出类型:晶体管驱动器,电压-电源（Vcc/Vdd）:2.7V~14V,时钟同步:无,控制特性:使能,频率控制,拓扑:降压升压,工作温度:-25°C~85°C(TA),封装/外壳:VQFN016V3030,同步整流器:是,占空比（最大）:0.9,功能:升压/降压免费样片申请ROHMBD8149MUV-E2电源输入电压范围:2.1Vto18V,工作温度:-25°C~85°C,封装/外壳:32-VFQFN裸露焊盘,功率（W）:4.56W,FET类型:TFT-LCD稳压器免费样片申请ROHMBU24020GU-E2电源输出配置:半桥(8),电流-输出:500mA,电机类型-步进:双极性,电机类型-AC，DC:有刷直流、音圈电机,电压-负载:2.7V~5.5V,电压-电源:2.7V~3.6V,步进分辨率:>256微步,接口:串行,工作温度:-20°C~85°C(TA),封装/外壳:VCSP85H2,功能:驱动器-全集成,控制和功率级免费样片申请ROHMBD9060F-CE2电源频率-开关:50kHz~500kHz,输出配置:正,输出类型:可调式,输出数:1Ohms,电流-输出:2A,电压-输出（最小值/固定）:0.8V,电压-输出（最大值）:35V,电压-输入（最小值）:5V,工作温度:-40°C~125°C(TJ),封装/外壳:8-SOIC,同步整流器:无,功能:降压免费样片申请ROHMBD9778HFP-TR电源频率-开关:50kHz~500kHz,输出配置:正,输出类型:可调式,输出数:1Ohms,电流-输出:2A,电压-输出（最小值/固定）:1V,电压-输出（最大值）:35V,电压-输入（最小值）:7V,拓扑:降压,工作温度:-40°C~125°C(TA),封装/外壳:HRP7,同步整流器:无免费样片申请ROHMBD6222HFP-TR电源输出配置:半桥(2),负载类型:电感,电流-输出/通道:2A,电压-负载:6V~15V,故障保护:限流,超温,过压,UVLO,接口:逻辑,工作温度:-40°C~85°C(TA),封装/外壳:HRP7,导通电阻（典型值）:1欧姆免费样片申请ROHMBD65D00MUV-E2电源频率:1.25MHz,输出数:4,调光:模拟,PWM,电流-输出/通道:100mA,电压-供电（最高）:27V,电压-输出:41V,电压-供电（最低）:4.5V,拓扑:升压(升压),工作温度:-40°C~85°C(TA),封装/外壳:28-VFQFN裸露焊盘,内部开关:是,FET类型:DCDC稳压器免费样片申请ROHMBD9397EFV-GE2电源频率:500kHz,输出数:6,调光:模拟,PWM,电流-输出/通道:400mA,电压-供电（最高）:35V,电压-供电（最低）:9V,拓扑:升压,工作温度:-40°C~85°C(TA),封装/外壳:40-VSSOP,内部开关:是,FET类型:DCDC稳压器免费样片申请ROHMBD6222FP-E2电源输出配置:半桥(2),负载类型:电感,电流-输出/通道:2A,电压-负载:6V~15V,故障保护:限流,超温,过压,UVLO,接口:逻辑,工作温度:-40°C~85°C(TA),封装/外壳:25-HSOP,导通电阻（典型值）:1欧姆免费样片申请ROHMBD9E100FJ-LBGE2电源频率-开关:1MHz,输出配置:正,输出类型:可调式,输出数:1Ohms,电流-输出:1A,电压-输出（最小值/固定）:1V,电压-输出（最大值）:25.2V,电压-输入（最小值）:7V,电压-输入（最大值）:36V,拓扑:降压,工作温度:-40°C~150°C(TJ),封装/外壳:8-SOP-J,同步整流器:是免费样片申请ROHMBD8152FVM-TR电源频率-开关:600kHz,1.2MHz,输出配置:正,输出类型:可调式,输出数:1Ohms,电流-输出:1.4A(开关),电压-输出（最小值/固定）:2.5V,电压-输出（最大值）:15V(开关),电压-输入（最大值）:5.5V,拓扑:升压,SEPIC,工作温度:-40°C~85°C(TA),封装/外壳:8-VSSOP,8-MSOP,同步整流器:无,功能:升压,升压/降压免费样片申请ROHMBD9479FV-GE2电源频率:150kHz,输出数:8,调光:模拟,PWM,电压-供电（最高）:35V,电压-供电（最低）:9V,拓扑:升压,工作温度:-40°C~85°C(TA),封装/外壳:40-SSOP,内部开关:无,FET类型:DCDC控制器免费样片申请ROHMBD6290EFV-E2电源输出配置:半桥(4),电流-输出:800mA,电机类型-步进:双极性,电压-负载:19V~28V,步进分辨率:1,1/2,1/4,接口:并联,工作温度:-25°C~150°C(TJ),封装/外壳:24-HTSSOP-B,功能:驱动器-全集成,控制和功率级免费样片申请ROHMBD9E101FJ-LBGE2电源频率-开关:570kHz,输出配置:正,输出类型:可调式,输出数:1Ohms,电流-输出:1A,电压-输出（最小值/固定）:1V,电压-输出（最大值）:25.2V,电压-输入（最小值）:7V,电压-输入（最大值）:36V,拓扑:降压,工作温度:-40°C~150°C(TJ),封装/外壳:8-SOP-J,同步整流器:是免费样片申请ROHMBD63725BEFV-E2电源输出配置:半桥(4),电流-输出:2.4A,电机类型-步进:双极性,电压-负载:19V~28V,步进分辨率:1,1/2,1/4,接口:并联,工作温度:-25°C~85°C(TA),封装/外壳:28-VSSOP,功能:驱动器-全集成,控制和功率级免费样片申请ROHMBD9701FP-E2电源频率-开关:100kHz,输出配置:正,输出类型:可调式,输出数:1Ohms,电流-输出:1.5A,电压-输出（最小值/固定）:1V,电压-输出（最大值）:32V,电压-输入（最小值）:8V,电压-输入（最大值）:35V,拓扑:降压,工作温度:-40°C~85°C(TA),封装/外壳:TO-252-5,同步整流器:无免费样片申请ROHMBD65496MUV-E2电源输出配置:半桥(2),电流-输出:1.2A,电机类型-AC，DC:有刷直流,电压-负载:1.8V~16V,电压-电源:2.5V~5.5V,接口:并联,工作温度:-30°C~150°C(TJ),封装/外壳:VQFN024V4040,功能:驱动器-全集成,控制和功率级免费样片申请ROHMBD9141MUV-E2电源频率-开关:500kHz,输出配置:正,输出类型:可调式,输出数:1Ohms,电流-输出:2A,电压-输出（最小值/固定）:2.5V,电压-输出（最大值）:6V,电压-输入（最小值）:4.5V,电压-输入（最大值）:13.2V,拓扑:降压,工作温度:-40°C~105°C(TA),封装/外壳:VQFN020V4040,同步整流器:是免费样片申请ROHMBM60014FV-CE2电源通道数:1Ohms,认可:UR,电流-输出高，低:3A,3A,电流-峰值输出:5A,电压-隔离:2500Vrms,电压-电源:10V~24V,工作温度:-40°C~125°C,封装/外壳:20-SSOP,共模瞬态抗扰度（最小值）:100KV/µs,传播延迟tpLH/tpHL（最大值）:120ns,120ns,上升/下降时间（典型值）:50ns,50ns免费样片申请ROHMBD9611MUV-E2电源频率-开关:50kHz~500kHz,输出阶段:1Ohms,输出配置:正,输出类型:晶体管驱动器,电压-电源（Vcc/Vdd）:10V~56V,时钟同步:是,控制特性:限流,使能,频率控制,软启动,拓扑:降压,工作温度:-40°C~105°C(TA),封装/外壳:VQFN020V4040免费样片申请ROHMBD6522F-E2电源输出配置:高端,输出类型:N通道,输出数:1Ohms,输入类型:非反相,电流-输出（最大值）:2A,电压-负载:3V~5.5V,电压-电源（Vcc/Vdd）:不需要,比率-输入:输出:1：1,故障保护:超温,反向电流,UVLO,接口:开/关,工作温度:-25°C~85°C(TA),封装/外壳:8-SOP,导通电阻（典型值）:50毫欧免费样片申请ROHMBD8314NUV-E2电源频率-开关:1.2MHz,输出配置:正,输出类型:可调式,输出数:1Ohms,电流-输出:2.5A(开关),电压-输出（最小值/固定）:4V,电压-输入（最小值）:3V,电压-输入（最大值）:12V,工作温度:-25°C~85°C(TA),封装/外壳:10-VFDFN裸露焊盘,同步整流器:无,功能:升压免费样片申请ROHMBA6285FS-E2电源输出配置:半桥(2),电流-输出:1A,电机类型-AC，DC:有刷直流,电压-负载:4.5V~15V,接口:开/关,工作温度:-20°C~150°C(TJ),封装/外壳:16-SSOPA,功能:驱动器-全集成,控制和功率级免费样片申请ROHMBD9E303EFJ-LBE2电源频率-开关:300kHz,输出配置:正,输出类型:可调式,输出数:1Ohms,电流-输出:3A,电压-输出（最小值/固定）:1V,电压-输出（最大值）:28.8V,电压-输入（最小值）:7V,电压-输入（最大值）:36V,拓扑:降压,工作温度:-40°C~85°C(TA),封装/外壳:8-HTSOP-J,同步整流器:是免费样片申请

制造商商品型号分类参数描述免费申请ROHMBD63860EFV-E2电源IC输出配置:半桥(4),电流-输出:1.7A,电机类型-步进:双极性,电压-电源:16V~28V,步进分辨率:1,1/2,1/4,1/8,接口:串行,工作温度:-25°C~150°C(TJ),封装/外壳:28-VSSOP,功能:驱动器-全集成,控制和功率级免费样片申请ROHMBD9866GUL-E2电源IC输出数:4,电压-输出:多重,电压-输入:4V~14V,工作温度:-25°C~85°C,封装/外壳:VCSP50L3免费样片申请ROHMBD6423EFV-E2电源IC输出配置:半桥(4),电流-输出:700mA,电机类型-步进:双极性,电压-电源:19V~42V,步进分辨率:1,1/2,1/4,接口:模拟,PWM,工作温度:-25°C~150°C(TJ),封装/外壳:免费样片申请ROHMBD8LB600FS-CE2电源IC运行时间—最大值:50us,输出端数量:8Output,输出电流:1A,空闲时间—最大值:50us,电源电压-最小:3V,电源电压-最大:5.5V,电流限制:1.8A,工作电源电压:3Vto5.5V,工作温度:-40°C~150°C,导通电阻—最大值:800mOhms免费样片申请ROHMBD99011EFV-ME2电源IC频率-开关:200kHz~500kHz,输出配置:正,输出类型:固定,输出数:1Ohms,系列:汽车级,AEC-Q100,电流-输出:2A,电压-输出（最小值/固定）:5V,电压-输入（最小值）:3.6V,电压-输入（最大值）:35V,拓扑:降压,工作温度:-40°C~105°C(TA)免费样片申请ROHMBD63730EFV-E2电源IC输出配置:半桥(4),电流-输出:2.7A,电机类型-步进:双极性,电压-负载:19V~28V,电压-电源:19V~28V,步进分辨率:1,1/2,1/4,接口:并联,工作温度:-25°C~85°C(TA),封装/外壳:54-HTSSOP-B,功能:驱动器-全集成,控制和功率级免费样片申请ROHMBM6108FV-LBE2电源IC输出端数量:2Output,输出电流:5A,输出电压:2V,系列:BM6108FV-LB,电源电压-最小:4.5V,电源电压-最大:24V,激励器数量:1Driver,最大开启延迟时间:150ns,160ns,最大关闭延迟时间:140ns,150ns,工作电源电流(mA):3.2mA,工作温度:-40°C~105°C,（W）闭免费样片申请ROHMBD2808MUV-ME2电源IC高度:1mm,长度:7mm,通道数量:24Channel,输出电流:50mA,输出电压:20V,输入电压:3.3V,电源电流—最大值:5mA,湿度敏感性:Yes,工作频率:1.02MHz,工作温度:-40°C~105°C,宽度:7mm,功率（W）:5.2W,FET类型:DriverICwith2-LineSerialInterface免费样片申请ROHMBD65492MUV-E2电源IC输出配置:半桥(4),电流-输出:1A,电机类型-AC，DC:有刷直流,电压-负载:1.8V~16V,电压-电源:2.5V~5.5V,接口:PWM,工作温度:-25°C~150°C(TJ),封装/外壳:24-VFQFN,功能:驱动器-全集成,控制和功率级免费样片申请ROHMBD62321HFP-TR电源IC输出配置:半桥(2),电流-输出:3A,电机类型-AC，DC:有刷直流,电压-电源:6V~32V,接口:开/关,工作温度:-40°C~150°C(TJ),封装/外壳:HRP7,功能:驱动器-全集成,控制和功率级免费样片申请

这一种方案应该是目前效率最高、电路成本最低的方案（图1）。直接用光电耦合器对初级侧电路进行回溯控制，调节输出电压。相对于其它传统方案，该方案的开关损耗少。将CS的电压固定在0.25V，对6串LED分别做恒流控制。IC会侦测FB的位置，将电压最低那串LED固定在0.5V。此时由于各串LED的Vf值的总和不同，产生的压降会落在MOS管上，导致一些损耗。如果是一般对Vf分BIN筛选过后的LED，损耗应该可以控制在2%以内，少于一般的开关损耗。该方案的优点是效率高、成本低，缺点是AC输入、需要较多研发成本，适用于可以用AC直接输入的路灯。（二）DC或电池输入，对6串LED分别做恒流控制它采用多串的升压结构设计，LED驱动的方式与前一种类似，差别在于由AC输入改为DC或是由电池输入（图2）。低压侧传感的设计只要选择适当的MOS管，LED可以串相当多的颗数。相对于AC输入的方案，其设计较为简单。但由于多了一次升压的开关，效率相对较低。该方案的优点是设计简单、电路成本低，缺点是效率较低。它适合太阳能电池或通过适配器输入的路灯。（三）单串降压结构有些厂商仍喜欢用单串的设计，优点是维修容易，而且可以做模块化设计。不同功率路灯可以使用相同的灯条，只要更换面板，插上不同数目的灯条，就可以组合出各种不同功率的路灯。但它的缺点是每一串都需要独立的电源模块，成本较高，而降压的结构会让LED的数目受限于IC的耐压。在图3所示的例子中，LED最多串到14颗，如果要设计20W的灯条，就需要使用700mA的LED。为了使效率达到最高，必需针对LED的数目来调节输入电压，也就是适配器的输出电压。以10颗LED为例，如果要达到最高效率，就必须把输入电压调到约42V左右。该方案的优点是降压结构效率较高、单串设计、配置较为灵活，缺点是电路成本较高、LED串联数目受限于IC耐压。它适合通过适配器输入的路灯。（四）单串升压结构同样的单串设计，升压结构（图4）会较降压结构的效率低，但是LED串联的数目不再受限于IC的耐压，而是由MOS来决定，因而可以串联较多的LED。由于大多数的太阳能电池的输出电压都不高，因此太阳能路灯较适合使用升压结构。而选用电流模式的恒流设计，可以让输出电流较不受输入电压变化的影响，在电池满载以及快没电时，都能让路灯维持相同的亮度。该方案的优点是串联LED数目不受IC耐压限制，缺点是电路成本较高，效率较降压结构稍低，适合太阳能路灯。转载自——维库电子市场网

5月9日消息，全球最大砷化镓晶圆代工服务公司稳懋半导体日前公布了4月营收数据。稳懋半导体4月合并营收为新台币20.14亿元（约合人民币4.77亿元），年成长率及月成长率分别为+57.00%及-3.16%。稳懋半导体1至4月累计合并营收为新台币80.74亿元，年成长率为+65.02%。稳懋半导体成立于1999年，位于林口华亚科技园区，是全球首座以六英吋晶圆生产砷化镓微波集成电路(GaAsMMIC)的专业晶圆代工服务公司。稳懋客户群除了全球射频集成电路设计公司(RFICDesignHouses)外，并致力吸引与全球整合组件制造(IDM)大厂合作。稳懋目前提供两大类砷化镓晶体管制程技术：异质接面双极性晶体管(HBT)和应变式异质接面高迁移率晶体管(pHEMT)。来源于中文业界资讯站。

电容在电子电路中起着重要的作用。很多人可能还模糊差点呢。它的主要作用就是去耦，旁路，储能，滤波这四个。今天给大家分享一下，各种电容的作用及其应用详细说明一下。电容的种类先说说电容的种类，一般我们用到的常见电容有电解电容，陶瓷电容这两类。电解电容电解电容有铝电解电容，钽电解电容之分。铝电解电容采用铝箔做正极，正极表面生成的氧化铝为介质，电解质为负极。它的优点是电容量很大，但体积也比较大，故一般做储能电容来用。钽电解电容优点就是体积小，电容量大，对于高密度的线路板来说，空间很重要。它也耐高温，湿差范围长时间在－50℃~100℃之间能正常工作。而且它适合贴片生产工艺陶瓷电容陶瓷电容是由陶瓷为介质制成的一种电容，它又分高频陶瓷电容，低频陶瓷电容。高频陶瓷电容体积小、损耗低，电容对频率、温度稳定性都较高。一般用于电源旁路电容。各种电容在电路中的作用电容的作用就是隔直通交，直流电阻断，交流电能顺利通过。一般在应用中有旁路，去耦，滤波，储能这四个。去耦去耦就是在输出信号中放一个电容，去除掉输出信号的高频谐波噪声，使输出信号干净。跟电感的耦合是相反的，变压器的初，次级之间就是耦合，初级与次级之间会相互影响。去耦就是把输出与输入之间不产生影响。旁路旁路就是把输入信号中一些高次谐波通过设计好的电容给直接通地，从而有效抗谐波干扰，这就是每一个芯片的电源脚边上都要放一个0.1uF的电容的原因，它就是起到旁路作用，把高次谐波直接通地，不让它进入系统内。去耦与旁路，其实是差不多的作用，区别就是位置上有些不同，旁路是去除输入信号的高频，把外界的谐波去除。去耦是把输出端的高频谐波信号去除，使输出信号干净。下图就很能说明问题:储能储能这个就是跟UPS(不间断供电系统)一样的，它就是通电的时候，电容会充电，而当电关闭以后，电路不会立即就断电，通过储能电容的放电，电路还能工作一段时间。这就是电容的储能作用。一般电解电容就是一种储能作用。滤波滤波就是把一个有尖峰的信号，通过电容的滤波作用，变成一个平坦的波形。如下图所示：一般在电源输出脚都会有一个滤波电容，如上图中的C，它起到的作用就是把电源输出脚的尖峰给弄平坦喽，使电源是一个稳定的电源。由于电容的滤波作用，所以会在电源的输出端加一个大容量滤波电容，也会在负载的输入端也加一个大容量的的电容，这是为了防止负载的变化导致电压的波动，这个滤波大电容就能滤除这些变化产生的电压波动，使电压稳定在可接受的范围。相关器件推荐：制造商商品型号分类参数描述免费申请KEMETElectronicsR41-TY2汽车用电容器汽车电子KEMETElectronicsR41-TY2汽车用电容器具有300VAC50/60Hz额定电压、15mm至22.5mm引线间距，并通过了ENEC、UL、cUL和CQC认证。R41系列适用于电容器故障可能导致触电危险的情况。免费样片申请转载自唯样电子资讯。唯样商城-电子元器件采购网（www.oneyac.com）是本土元器件目录分销商，采用“小批量、现货、样品”销售模式，致力于满足客户多型号、高质量、快速交付的采购需求。唯样自建高效智能仓储，拥有自营库存超70,000种，提供一站式正品现货采购、个性化解决方案、选型替代等多元化服务。

长期以来，全球模拟IC领域的高地都被德州仪器和亚德诺两大美国厂商所占据。不过，2019年以来，中美贸易摩擦以及代理商调整的漩涡，而国产模拟芯片，却迎来了真正的春天！德州仪器2019年实现营收143.83亿美元，2018年为157.84亿美元，同比下滑8.8%；净利润50.17亿美元，2018年为55.8亿美元，同比下滑10%。亚德诺2019财年（截止2019年10月）实现营收59.91亿美元，2018年为62.01亿美元，同比下滑3.75%。净利润13.63亿美元，2018年为14.95亿美元，同比下滑9.55%。就在德州仪器、亚德诺受累于中美贸易摩擦，业绩持续下滑之时，国内模拟IC厂商却迎来了业绩的高速发展期。国内模拟IC厂商业绩大涨众所周知，国内模拟IC厂商起步较晚，在公司规模和市场地位等方面与德州仪器等国际巨头差距较大。不过，在中美贸易摩擦的推动下，以华为、中兴为首的国内终端客户都在积极地导入国内模拟IC产品，国内芯片代理商也热衷于“国产替代”，积极寻求与国内芯片厂商合作。同时，模拟IC拥有技术更新相对较慢，市场集中度相对较低，应用领域广阔，细分市场众多等特点，因此，国内模拟IC厂商通常以某个细分领域切入市场，直接对标德州仪器、亚德诺公司的产品做进口替代，在价格更低、更好的客户服务的情况下替代掉美系厂商的产品，这样的策略也取得了较好的市场效果。矽力杰矽力杰主要从事电源管理IC的设计和销售，产品主要应用于3C产品及工业领域。2019年矽力杰营收107.78亿元新台币（约人民币25.52亿元），年增14.48%，毛利率47.46%，年增0.74个百分点，税后盈馀23.26亿元（约人民币5.51亿元），年增27.1%。一季度营收28.53亿元新台币（约人民币6.76亿元），去年同期为20.54亿元新台币，同比增长38.85%。展望2020年，矽力杰董事长陈伟认为，尽管疫情影响，但受到中国5G基础建设加速投资，且工业用产品供应链多数位于非中国地区，公司也逐步提升市占率，辅以疫情也驱动居家办公需求，带旺相关产品，因此认为没有像市场想像的悲观，全年营收目标维持20~30%的年增表现。艾为电子艾为电子专注于数模混合、模拟、射频等IC设计，客户群体已经基本覆盖了国内外手机品牌公司和ODM公司，以及知名的智能硬件、人工智能、物联网等产品公司。2019年艾为电子实现销售收入101,764.99万元，同比增长46.68%；实现净利润9,266.07万元，同比增长67.00%。艾为电子表示，公司营业收入较去年同期增长46.68%的主要原因为，报告期内公司市场扩大和客户增加，公司的市场范围继续从以手机为中心延展到物联网等智能硬件。圣邦股份圣邦股份产品涵盖信号链和电源管理两大领域，包括运算放大器、比较器、音/视频放大器、模拟开关等，目前拥有16大类1400余款在销售产品。2019年圣邦股份实现营业收入79,249.49万元，同比增长38.45%；归属于母公司股东的净利润17,603.25万元，同比增长69.76%。2020年第一季度实现营业收入19,285.41万元，同比增长72.05%；归属于母公司股东的净利润3,034.05万元，同比增长91.29%。圣邦股份表示，公司非常注重与供应商保持稳定和持续的战略合作。同时，通过经销和直销等渠道，公司陆续成为联想、中兴、小米、海尔、长虹、华为等国内外领先品牌的原厂供应商。芯海科技芯海科技是一家集感知、计算、控制于一体的全信号链芯片设计企业，与华为、Vivo、小米、魅族、美的、海尔、香山衡器、乐心医疗等知名终端客户建立了紧密的合作。2019年芯海科技实现营业收入25,840.64万元，上年同期为21,929.63万元；净利润4,189.48万元，上年同期为2,059.39万元。思瑞浦思瑞浦目前已拥有超过900款可供销售的产品型号，产品以信号链模拟芯片为主，并逐渐向电源管理模拟芯片拓展，其应用范围涵盖信息通讯、工业控制、监控安全、医疗健康、仪器仪表和家用电器等众多领域，客户覆盖华为、中兴、海康威视等。2019年思瑞浦实现营业收入3.04亿元，上年同期为1.14亿元；净利润7098.02万元，上年同期为-881.94万元。从业绩来看，尽管国内模拟IC厂商在业务体量上与德州仪器、亚德诺等国际巨头相差甚远，但国产替代的需求强烈，其营收均呈现出高速增长的状态，在华为、中兴等众多终端客户的加持下，国内模拟IC厂商未来成长可期。转载自摩尔定律。

高通刚刚发布了充电速度与QuickCharge4+相同，但线缆接口换成了兼容性和成本都更加友好的USBType-A的QC3+快充方案。有趣的是，近期发布的小米10LiteZoom就同时兼容QC3+和QC4+。与此前听到的相似，QC3+能够在15分钟内将电量从0充到50%。较前代产品提速35%，同时温度降低了9℃。（来自：Qualcomm）高通补充道，QC3+还支持具有可微调电压的任何USBType-A转USBType-C适配器，较QC4有所改进。显然，高通希望QC3+能够全面降低快充方案的实施成本，以便与市面上其它厂家的方案展开更直接的竞争。尽管最早支持QC3+的芯片组是骁龙765和765G（同时支持QC4+/成本还有进一步下探的空间），但原始设备制造商仍可提供低成本的外设和充电器，以降低整体封装成本。预计到2020年底前，还会有更多设备支持高通QC3+快充方案。来源于中文业界资讯站。

华为在电动车领域的布局又见一成果。4月23日，华为面向新能源领域推出了HUAWEIHiCharger直流快充模块，该模块将作为新能源基础设施解决方案为一些新能源汽车厂提供服务。HUAWEIHiCharger直流快充模块的发布，意味着华为将正式加入充电解决方案领域。华为直流快充模块新品将与全国多地部门深入合作，目前确定合作的机构包括国家电网（北京）、星星充电（常州）、南网电动（深圳）、华商三优（北京）、珠海泰坦（珠海）以及大连罗宾森（大连）等。值得注意的是，这么多家排在充电服务前列的公司，为何要与华为进行合作呢？业内人士分析称，其主要原因是华为在充电系统等方面有着自己的优势，但有意思的是众多合作对象中没有充电桩总量排名第一的特来电。重要的是，要在充电桩迈向快车道，技术足够“牛”才能站稳充电桩市场。HUAWEIHiCharger直流快充模块在线上发布会现场，华为分析称，发布直流快充模块，是为解决行业痛点：第一，充电站的运维成本高，使用高失效率充电设备的运营商，运维费用超过运营收入的10%，智能化不足又导致需要定期巡检，运维人力投入大，运维不及时还会导致用户充电体验差；第二，设备生命周期短，早期建设的充电桩功率及电压不能满足未来车辆的充电演进需求，浪费运营商的初始投资；第三，效率不高影响运营收入；第四，直流充电桩噪音大，直接影响场站选址。为解决充电设施的痛点问题，顺应行业发展趋势，HUAWEIHiCharger直流快充模块采用全灌胶、全隔离的防护技术，解决了风冷充电模块易受环境影响失效的问题。HUAWEIHiCharger直流快充模块，分为国内版30kW和国外版20kW两个版本。其中，国内版30kW与国网20kW同尺寸，支持充电桩同尺寸扩容，300-1000V全段恒功率输出，满足未来车辆高压快充演进趋势。海外版20kW直流快充模块最高效率可达96.55%，国内版30kW最高效率可达96.4%。在智能运维上，HUAWEIHiCharger直流快充模块通过内部传感器采集的温度数据再结合人工智能算法，HiCharger可以识别充电桩的防尘网堵塞以及模块风扇的堵转状态，远程提醒运营商实施精准、可预测性维护，免去了频繁的上站检查。为解决噪声问题，HUAWEIHiCharger直流快充模块提供静音模式，供噪声敏感环境应用选择。按照华为官方表述，该模块实现了高效率、高稳定性、大幅降低运营商的运维费用。业内人士分析认为，充电桩作为能源交易的入口，往上是电力能源，往下是动力电池和新能源汽车。若结合华为在智能驾驶和电动汽车方面的动作，不难看出，华为的“野心”是想要打造能源一条链。有备而来翻看过往的布局，其实华为入局充电桩的想法，早有端倪，背后甚至有更宏大的计划。在2019年11月举行的“2019全球电动出行创新大会”上，华为就依靠直流快充模块斩获由中电联和南方电动联合授予的“中国充电桩行业年度核心模块品牌奖”和“行业年度核心模块卓越品质奖”。在这背后，是华为想要杀入充电桩行业的决心。华为轮值董事长徐直军曾表示，“华为不造车，而是聚焦信息通信技术，帮助车企造好车。更看重智能汽车的增量市场，目标是要成为智能汽车领域的增量部件供应商。”为此，华为在充电桩领域早已耕耘多年。2001年，华为就作价7.5亿美元将电源部门安圣电气给了美国的艾默生。在2009年到2010年之间，华为又重组该部门，在发觉新能源汽车市场的兴起后，便立刻将技术平移进车载电源和电驱动系统的领域中。诚然，华为本身不做充电桩，但是为充电桩生产企业提供功率转换模块和监控/通信单元，也有一定市场份额。据悉，华为与国内外专业企业保持着长期稳定的合作关系，包括与得润电子合作制造国际领先水平的大功率直流快充技术的车载充电机，以及与星云股份开展锂电池组保护板测试系统和动力电池组工况模拟检测系统等。截至今日，华为直流快充模块已经被多家大型电网公司所采用。华为希望打造基于VDC硬件平台与整车控制OS的“智能电动”平台，开放给所有的汽车开发企业，解决充电、电驱、电池管理的成本与性能问题。新能源产业应该是在华为多元化的战略上具体产业发展方向的新定位，看到了电动汽车发展的大方向，而目前充电桩的充电模块还有很大改进空间，凭借华为目前的技术能力，相信是能够迅速战略这块高地的。但也有行业人士直言，华为作为新能源汽车充电基础设施行业的新玩家，前有在新能源汽车充电基础设施领域一批资深行业老玩家，后有为自家新能源汽车保驾护航的车企，如大众、保时捷、本田和宝马等，华为想要在新能源充电基础设施领域中大放光彩，需在掌握核心技术的同时，跑通整个业务链条。政策、资本加速入局，充电桩发力箭在弦上作为国家“新基建”项目之一，新能源汽车充电桩行业正日益成为各路资本与巨头争相布局的新蓝海。除此之外，随着电动汽车的不断增加，对充电桩的需求依然在持续增长，更多的资本显示出对充电市场的浓厚兴趣，车企、通信运营商，甚至地产公司也都纷纷入局。2019年7月，大众与一汽、江淮、星星充电成立合资公司；新势力企业威马汽车与充电桩运营商特来电正式签约。2019年8月，跨国能源巨头BP与滴滴宣布，将成立合资公司，共同在中国建设新能源车充电基础设施。2020年3月，宁德时代联合百城新能源成立一家新能源科技公司，宣布正式布局智能微网一体化储充系统，主营新能源汽车充电桩业务。2020年3月，据天眼查显示，阿里系蚂蚁金服投资平台首次投资充电桩领域（简单充（杭州）科技有限公司）；阿里系高德地图推出新能源汽车充电服务解决方案，并正式上线高德充电地图。4月8日，大众汽车集团零部件公司与上海度普新能源科技有限公司已签署合作协议，计划在国内生产灵活储能快充桩。按照双方签订的协议规划，该合作将于今年下半年启动。巨头们每一个动作都是基于对自身业务深层次考虑后采取的行动，当然不可否认的是，此次新基建将充电桩划为七大重点投资方向之一，确实将其推到风口之上，加速了整个行业的发展，就连许多地方也都积极参与其中，加强对充电桩建设与运营的支持。国家能源局日前发布数据显示，我国已建成全球最大规模的电动汽车充电设施网络。此外，国家电网近期表示，今年该公司计划安排充电桩建设投资27亿元，新增充电桩7.8万个，涵盖公共、专用、社区、港口岸电等多种类型充电基础设施。尽管随着充电桩成为新基建七大项目之一，头部企业也敏感地捕捉到了有钱赚的气息，然而实际盈利水平却并不理想。在充电桩三强——特来电、星星充电和国家电网中，只有特来电和星星充电称其充电桩业务开始盈利，而截至2019年底，国家电网的充电板块仍处于亏损中。换言之，没有解决企业的赢利模式之前，再大规模布局充电桩，很可能出现的结果就是投资与回报难成正比。看似新基建带来的“蓝海”也有可能是一片红色“汪洋”。当然，中国的充电桩产业潜力和市场还是巨大的。市场也给各大企业留足了加码的空间，但要想安心享用这块巨大的蛋糕，同时抓住国家上百亿投入到充电桩领域的资源，各路玩家不仅需要合理的商业模式，还要具备核心技术。此次华为强势入局，能否在充电桩领域必掀起一场“腥风血雨”？来源于中文业界资讯站。

一个国际研究团队创造了一种新型的柔性太阳能电池，他们说这种电池可以彻底改变未来的可穿戴技术。这种太阳能电池被描述为超轻且柔性的，并且比人头发厚度薄十倍。该团队表示，这种太阳能电池的保质期估计可以达到11.5年，而且运行时的降解率极低。该技术的另一个关键特征是电池价格便宜，并且可以通过连续印刷过程快速生产。研究人员将他们的设备描述为一种机械坚固的光吸收器，能够制造超柔性太阳能电池。电池在1000次弯曲后的功率转换效率为13％，效率保持率为97％。该团队表示，其设备每平方米能够产生130瓦的电力。虽然13%的效率听起来并不高，但这是目前有机太阳能电池中效率最高的一种。测试显示，该太阳能电池可以用一种独特的方法进行处理，在运行4736小时后，性能仅下降了4.8%。该电池可以运行2万小时，也就是大约2.5年的时间，性能衰减最小。这款电池的体积非常小，只有2厘米见方，重量很轻，可以用花瓣支撑，同时每克电池能产生9.9瓦的功率。科学家们认为，经过进一步的测试，该装置可以作为手机、手表、物联网设备和生物传感器等多种设备的电池替代品。研究人员以一种简单的后退火方法开发了材料，以提高有机电池的机械稳定性和最终稳定性。这种电池的小尺寸使得可以通过连续印刷方法生产低成本太阳能电池，这使其成为批量生产的理想选择。转载自中文业界资讯站。

近日，晶讯聚震科技有限公司在珠海正式发布了其自主研制的B41全频段FBAR滤波器及B40滤波器。据晶讯介绍，本次推出的FBAR滤波器独创的单晶掺杂压电材料和单晶薄膜电极技术，可重新定义FBAR谐振器和滤波器性能，同时创新性发明一种全新的低成本晶圆级Bump-on-ViaWLP封装技术。采用上述技术设计生产的SC-FBAR滤波器在支持高功率的同时可以缩小封装尺寸，拥有行业最薄的WLP封装、大带宽、高带外抑制以及低插损等优异性能。B41、B40滤波器均不需要额外的外部匹配。此外，晶讯透露将于2020年Q3发布高性能5Gn79滤波器、n77+n79同向双工器及一款低成本高性能的B3双工器；于2020年Q4发布B1+B3四工器。晶讯成立于2017年，由行业领军人卓尔先生（DrorHurvits）在珠海创立，是国内唯一一家拥有多项美国专利的高性能FBAR滤波器IDM制造商。晶讯已经获得9项美国发明专利授权，另有19项美国及中国专利申请正在审批中；其专利池涵盖滤波器设计、谐振器结构、封装方法及生产制造等环节；在未来的18个月内，晶讯专利数量将增加一倍。5G时代，晶讯可为手机、模组、智能终端及小型基站客户提供世界级的高性能SC-FBAR滤波器、双工器和多工器。据悉，晶讯在天津用于研发及生产的先进制程中心，是全球唯一拥有外延掺杂压电薄膜和电极薄膜能力的半导体工厂，具备出色的量产Trimming能力。晶讯目前6寸晶圆产能可达到1500片/月，并将于2020年下半年扩展至5000片/月。据YoleDevelopment报告预测，移动设备及WiFi连接部分整体射频前端市场规模将从2017年150亿美元增长到2023年350亿美元，年复合增长率达到14%。其中作为射频前端最大市场的滤波器从2017-2023年将增长3倍左右，复合增长率达到19%。而目前射频滤波器芯片市场主要被Broadcom、Skyworks、Qorvo、村田等美日国际巨头垄断，国内自给率较低。值得注意的是，在国产替代大背景下，国内射频前端芯片厂商也迎来良好的发展时机。据晶讯介绍，持续的创新及知识产权积累让晶讯突破了美国和日本公司对于BAW/FBAR滤波器的专利和技术垄断，也获得了国内领先的半导体公司、产业基金和上市公司的投资。转载自摩尔定律。

近期，小米65W氮化镓快充以及多款最新上市的65WPD充电器突然暂停销售。由于这两天是周末，同时被关联到了微博一起氮化镓充电头故障，引起了恐慌。加上小米公关团队还未出面发布官方公告，国内社交媒体新浪微博上已经有众多粉丝、大V在讨论和关注这一暂停销售事情，并且引来众多猜测和吃瓜群众的围观。原来，4月初，小米手机部门收到了第三方安全团队的风险提醒，说小米旗下的多款65WPD快充有受到黑客更改固件的潜在问题，造成高压输出的风险，这一风险会造成给其它设备充电过压烧毁。支持PD的手机内部均有OVP（过压保护）硬件保护，所以手机不会因为充电器输出高压烧毁。小米公司手机部门了解到此次问题后，担心黑客通过破坏充电器固件造成充电风险，跟电商团队和生态链团队进行了沟通，并且汇报给了各大VP，以及雷总。这里提到的门店为全国小米之家，时间为收到邮件之时起。涉及到的三款产品内部编号分别是25623、23143、27138。除了暂停销售，小米还对这三款充电器做了处置，如门店将涉及到以上产品的样品、商品陈列撤出，不允许在门店销售区域露出；将商品、样品封存，置于仓库，等待邮件做通知进一步操作方式。最终决定暂停对包括小米65W氮化镓快充在内三款充电器的销售，因此大家在小米官网、有品商城、小米京东旗舰店、小米天猫旗舰店等官方平台搜索不到这款充电器。从目前了解到的信息得知，小米此次暂停销售，是为了对还未出售的充电器进行固件更新。更新固件，主要是为了烧录加密密钥，封堵充电器固件修改。已经销售的小米65W氮化镓快充如何处理？小米内部在计划给小米之家、售后服务中心添置充电器固件升级设备，为已经购买这三款充电器的用户进行固件更新，封堵充电器固件修改。本文源自摩尔定律