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不怕断电的内存 Everspin发布新款MRAM
发布时间:2012-12-17
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不怕断电的内存 Everspin发布新款MRAM
发布时间:2012-12-17
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市场一直希望能有一种断电后能继续保存数据的DRAM产品,其中的一种解决方案是在同一块芯片上同时集成DRAM和闪存,不过对于那些更在意性能而不是容量的用户来说, ST-MRAM(自旋扭矩磁性随机存储器)是一种更好的选择。

Everspin刚刚宣布了其首款ST-MRAM,这款产品被集成在和DDR3外形尺寸一样的模块中,兼容JEDEC DDR3 1600规格,拥有最高3.2 GBytes/s的带宽以及纳秒级延迟。模块样品目前已经上市,而量产需要等到2013年。

有趣的是,早在20多年前,由于其不易挥发的特性,MRAM就被视为取代NAND闪存的潜在高性能产品。不过,从产品容量的角度来说,该技术还远远无法参与竞争。Everspin这次刚宣布的新品容量也仅有64Mb(8MB)。事实上,Everspin目前成熟的MRAM芯片只有4Mb,制造工艺也是过时的180nm制程。相比之下,Intel最新的CPU采用22nm制程。

MRAM的优势在于其性能以及低功耗。在未来,内存技术有望超越闪存甚至是DRAM,达到SRAM的水平。只要获得与闪存和DRAM相同的投资力度以及存在同样大的市场需求,MRAM也有望称为未来主流内存产品。

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