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英飞凌推出全新可控逆导型IGBT芯片

发布时间:2015-06-25
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英飞凌推出全新可控逆导型IGBT芯片

发布时间:2015-06-25
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6月24日,英飞凌科技股份公发布一款采用可控逆导型IGBT,在同一芯片上集成了IGBT和续流二极管的6.5 kV功率模块。新发布的这款RCDC(二极管可控逆导型IGBT)IGBT芯片,非常适合现代高速列车和高性能电力机车,以及未来的HVDC输电系统和传动装置。较之安装尺寸相同的前几代模块,采用RCDC IGBT的模块电流密度提高了33%,散热性能也有所增强。因此,它可以延长产品工作寿命并提高可靠性,进而最大限度降低系统维护工作量。

通过推出RCDC IGBT芯片,英飞凌进一步壮大其高性能6.5kV KE3 IGBT产品的系列。该芯片的电流密度之所以能够得以提高,是因为它的正向和反向电流的有效硅面积都增加了,因而设计人员可以灵活提高系统输出功率,而无需以加大外形尺寸为代价。或者,利用其更高功率密度的优点,可以在保持功率不变的情况下减少IGBT并联数量,从而减小系统尺寸、减轻产品重量,并降低成本。

英飞凌的RCDC IGBT,采用行业标准尺寸IHV A高绝缘封装,可轻松进行替换现有产品。除有助于提高功率密度外,IGBT和二极管的单片集成还可大幅改善二极管I2T值,以及IGBT和二极管热阻(Rth/Zth)。低热阻确保器件在整个工作温度范围内实现良好的散热性能。更低实际结温(Tvj)纹波,使器件有更长使用寿命,当使用二极管栅极控制时,可让设计人员通过权衡导通损耗和开关损耗来优化总体效率。

 供货情况

RCDC模块的工程样品现已开始供货,为了简化并加快客户设计,英飞凌提供多种设计支持,包括应用笔记和评估驱动板等。评估套件计划2015年第四季度发布。

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