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ADI推出SPDT开关为测试测量应用提供快速建立时间
发布时间:2015-05-28
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ADI推出SPDT开关为测试测量应用提供快速建立时间
发布时间:2015-05-28
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Analog Devices, Inc.(ADI)日前推出了一款专门用于9 KHz至13 GHz频段的吸收式单刀双掷(SPDT)开关HMC1118LP3DE,它具有48dB的高隔离度,在8 GHz条件下运行时仅有0.6dB的低插入损耗。

HMC1118LP3DE是ADI公司的新型RF和微波控制产品组合中的第一款产品,展现了硅工艺技术的固有优势,与传统的GaAs(砷化镓)RF 开关相比具有重大明显优势。

这些优势包括:建立时间比GaAs快100倍;提供强大的ESD(静电放电)保护(达到2000V,而GaAs仅为250V);能够扩展开关的低频端,比GaAs低1000倍,同时保持高线性度。

HMC1118LP3DE还提供4W的业界领先RF功率处理能力,在热切换工作模式下达到0.5W。 它的热切换功率处理能力超出了具有相同RF带宽的竞争器件的两倍,这使工程师能够在他们的应用和系统中提高RF功率,而不会产生器件损坏的风险。 HMC1118LP3DE专为高隔离度进行了优化,在最大13 GHz的宽工作频率范围内提供极其平坦的传递特性,同时保持最低9kHz的高信号保真度。

这些特性组合在一起,使得该开关非常适合要求苛刻的测试和测量、自动化测试设备、国防电子产品、无线通信应用,充当传统 GaAs开关的更低成本替代产品。

HMC1118LP3DE SPDT开关的主要特性:

  • 非反射式50欧姆设计
  • 正控制:0/+3.3 V
  • 低插入损耗: 0.68dB(8GHz时)
  • 高隔离度: 50dB(8GHz时)
  • 9KHz的低截止频率
  • 7.5微秒的快速建立时间(对于0.05 dB的最终RF输出电平)

业界领先的高功率处理能力:

  • 35.5 dBm的通过路径
  • 27 dBm端接路径和热切换应用

高线性度:

  • P1dB: +37 dBm(典型值)
  • IIP3: +61 dBm(典型值)

ESD额定值:

  • 2-KV HBM
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