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Vishay新款快恢复二极管N沟道高压MOSFET提性能降功耗
发布时间:2015-05-22
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Vishay新款快恢复二极管N沟道高压MOSFET提性能降功耗
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日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,发布3颗新的600V EF系列快恢复二极管N沟道功率MOSFET---SiHx21N60EF、SiHx47N60EF和SiHx70N60EF。Vishay Siliconix的这三款器件具有低反向恢复电荷和导通电阻,在工业、电信、计算和可再生能源应用中可提高可靠性,并且节能。

今天推出的这些600V快恢复二极管MOSFET采用第二代超级结技术制造,充实了Vishay现有的标准E系列器件,使公司有更多的器件可用于类似移相全桥和LLC半桥的零电压开关(ZVA)/软开关拓扑。

在这些应用里,SiHx21N60EF、SiHx47N60EF和SiHx70N60EF具有反向恢复电荷(Qrr)比标准MOSFET低十倍的优势,提高了可靠性。这些器件因此能够更快地防止电压击穿,有助于避免直通击穿和热击穿。

21A SiHx21N60EF有四种封装,47A SiHx47N60EF和70A SiHx70N60EF各有两种封装。器件分别具有176mΩ、65mΩ和38mΩ的超低导通电阻和低栅极电荷。这意味着在太阳能逆变器、服务器和通信电源、ATX/Silver box计算机开关电源、焊接设备、UPS、电池充电器和半导体生产设备中的高功率、高频开关应用里,可实现极低的导通和开关损耗。

这些器件能够承受雪崩和换流模式里的高能脉冲,保证通过100%的UIS测试。这些MOSFET符合RoHS,无卤素。

新的EF系列MOSFET现可提供样品,将在2015年2季度实现量产,大宗订货的供货周期为十八周到二十周。

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