SRK1001控制器设计用于二次侧同步整流反激转换器中的（SR），适合在QR和CCM/DCM混合固定频率电路中运行。它提供了能够驱动N沟道功率MOSFET的高电流栅极驱动输出，该IC的控制方案是，一旦电流开始流过其体二极管，SR MOSFET就被打开，然后当电流接近零时被关断。具有最小延迟的快速导通和创新的自适应关断逻辑可最大限度地延长SR MOSFET的导通时间，并消除电路中的寄生电感的影响。
另外当器件检测到主控制器突发模式操作时，或者当用户将DIS引脚上拉时，或者当SR MOSFET的导通电流降至程序设计的最小TON以下时，器件便进入低功耗模式，这在轻载时提高了转换器效率。
当转换器重新启动开关或DIS引脚再次变为低电平，并且IC检测到整流器中的电流导通已比最小TON程序设计值增加20％之后，IC退出低功耗模式并恢复开关操作。

  大大通精彩博文     如何以SRK1001设计反激式转换器?二次侧同步整流开发板EVLSRK1001详细介绍

    SO8包装
    针对反激优化的次级侧同步整流控制器转换器
    适用于QR和CCM / DCM混合固定频率操作
    宽电压的VCC工作电压范围3.7至32 V
    CC稳压器低至2V输出支援
    低功耗模式下的静态电流非常低（170 µA）
    用于SR MOSFET漏源电压（185 V AMR）的高压检测输入
    工作频率高达300 kHz
    N-MOSFET的大电流栅极驱动输出
    快速开启，延迟时间最短，自我调整关闭逻辑
    可程式设计的最小TON和TOFF通过DIS引脚通过一次侧高载模式检测进入低功耗模式

SRK1001 SR控制器实现了一种控制方案，该方案专用于反激式转换器中的次级侧同步整流，适用于QR和CCM / DCM混合模式下的操作。它提供了大电流栅极驱动输出，能够直接驱动N沟道功率MOSFET。
该IC感应到流过体二极体的电流后，便会立即打开SR MOSFET：一旦在DVS信号的下降沿触发，并下降至低于週期比较器阈值VTH_A，SRK1001将在很短的延迟后开启SR MOSFET TD_On。然后，控制器在电流接近零时关断SR MOSFET。有两种共存的关断机制（第一个触发）：第一个基于自我调整演算法，第二个基于内部计时器。
自我调整关断由一个ZCD_OFF比较器组成，在该比较器中，DVS信号与一个自我调整阈值进行比较，使得在稳态下，关断后SR MOSFET体二极体的测得的剩余导通时间达到目标值Tdiode_off。
在稳态下，内部时钟在固定频率CCM的情况下，根据前一个开关週期的持续时间，相对于DVS信号的第一个上升沿（在VTH_A阈值以上），以固定的Tant_timer预期时间关闭SR MOSFET。如果是QR操作，则为先前的退磁时间。
当VCC引脚电压超过开启阈值VCC_On时，SRK1001控制器开始工作；然后当VCC电压降至关断阈值VCC_Off以下时，它停止工作。
为了即使在低VCC电源电压下也能确保SR切换，例如在CC调节下运行的充电器的情况下，该器件配有VAUX引脚。当VCC引脚电压降至阈值VCC_SO_On（> VCC_Off）以下时，内部开关打开。这样就可以对VCC引脚上的电容器进行充电，通过VAUX引脚汲取的电流将其连接至VCC_On开启阈值，该电流可以例如连接至整流SR MOSFET漏极电压或反激变压器的另一个辅助电压。
为了在各种应用中获得最大的灵活性，并克服在开启和关闭事件后可能出现的杂讯和振铃问题，SRK1001允许用户通过两次程式设计来设置开启后和关闭后的消隐时间。电阻分别从TON引脚接地和TOFF引脚接地。
当器件检测到主控制器高载模式操作或SR MOSFET导通电压降至程式设计的最小TON以下时，器件便进入低功耗模式。在同步整流不再有用的轻载情况下，这提高了转换器效率。转换器重新开机开关或IC检测到整流器中的电流导通已比最小TON程式设计值增加了20％之后，IC退出低功耗模式并恢復正常开关操作。

图1中的EVLSRK1001演示板设计用于评估在变压器次级侧具有同步整流（SR）的反激式转换器中SRK1001控制器
 
图2中所示的电路板电气原理图是图1中的通用评估板
 

https://www.st.com/content/st_com/zh/products/evaluation-tools/solution-evaluation-tools/psu-and-converter-solution-eval-boards/evlsrk1001-to.html