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[组图]显微镜下的Intel 14nm:这就是技术实力
发布时间:2014-11-04
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[组图]显微镜下的Intel 14nm:这就是技术实力
发布时间:2014-11-04
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Intel 14nm是这个星球上迄今最先进的半导体工艺,将处理器放到了显微镜下进行观察分析。

经过处理后得到的侧视图,因为放大率比较高所以有些模糊,但依然能够数出10个接触栅极,总间距699nm,每两个之间约为70nm。

晶体管鳍片。20个之间的间距是843nm,每两个之间42nm。

都完美符合Intel的宣传。

横切面照片。65nm节点引入的厚金属顶层依然在,而且现在其下已经堆到了13层!以及一个金属绝缘层。

边封没有金属层和绝缘层,可以很轻松地数出12层。上一代22nm还只有9层,Bay Trail则是11层,但最多的来自IBM 22nm Power8,15层。

Intel说互连间距是52nm,但实际量了一下是54nm,在误差范围内,但也可能观察的不是最紧密的部位。

更深入的透射电子显微镜观察正在进行中,届时将看到晶体管和鳍片。这是Intel官方给出的图像。就目前看到的而言,Intel 14nm很大程度上就是22nm的缩小增强版,结构设计并未做太大变动。

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