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拆解小米55W氮化镓充电器:做工用料扎实,电路结构清晰工整
发布时间:2021-01-07
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拆解小米55W氮化镓充电器:做工用料扎实,电路结构清晰工整
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氮化镓是一种无机物,化学式GaN,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿,硬度很高。氮化镓的能隙很宽,为3.4电子伏特,可以用在高功率、高速的光电元件中,例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管,可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器的条件下,产生紫光(405nm)激光。

下面是一款来自小米的55W氮化镓充电器,我们一起来看一下其详细拆解。

充电器外观:

充电器拆解:

内部灌溉了大量的有机硅导热胶,由于有机硅导热胶具有流动性,因此对元器件的包裹效果非常完整

平板变压器,次级滤波用的是一个垂直的小板焊接在主板上,上面有两颗固态电容

高压侧的前级,能看到压敏电阻、慢融保险丝、安规X电容,绿色的是抑制上电浪涌的NTC,热缩管套封装一个共模电感,下方还有一个工字电感,两颗共同应对电磁滤波

核心的一个氮化镓的功率器件,来自纳微的NV6115

主控IC,来自安森美的NCP1342

协议芯片,来自伟诠电子的WT6633P

写在最后:

GaN材料系列具有低的热产生率和高的击穿电场,是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。目前,随着 MBE技术在GaN材料应用中的进展和关键薄膜生长技术的突破,成功地生长出了GaN多种异质结构。用GaN材料制备出了金属场效应晶体管(MESFET)、异质结场效应晶体管(HFET)、调制掺杂场效应晶体管(MODFET)等新型器件。调制掺杂的AlGaN/GaN结构具有高的电子迁移率(2000cm2/v·s)、高的饱和速度(1×107cm/s)、较低的介电常数,是制作微波器件的优先材料;GaN较宽的禁带宽度(3.4eV) 及蓝宝石等材料作衬底,散热性能好,有利于器件在大功率条件下工作。

本文来源于阿甘体验,由电路城综合整理。

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