氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器的条件下，产生紫光（405nm）激光。

下面是一款来自小米的55W氮化镓充电器，我们一起来看一下其详细拆解。

充电器外观：

充电器拆解：

内部灌溉了大量的有机硅导热胶，由于有机硅导热胶具有流动性，因此对元器件的包裹效果非常完整

平板变压器，次级滤波用的是一个垂直的小板焊接在主板上，上面有两颗固态电容

高压侧的前级，能看到压敏电阻、慢融保险丝、安规X电容，绿色的是抑制上电浪涌的NTC，热缩管套封装一个共模电感，下方还有一个工字电感，两颗共同应对电磁滤波

核心的一个氮化镓的功率器件，来自纳微的NV6115

主控IC，来自安森美的NCP1342

协议芯片，来自伟诠电子的WT6633P

写在最后：

GaN材料系列具有低的热产生率和高的击穿电场，是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。目前，随着 MBE技术在GaN材料应用中的进展和关键薄膜生长技术的突破，成功地生长出了GaN多种异质结构。用GaN材料制备出了金属场效应晶体管（MESFET）、异质结场效应晶体管(HFET)、调制掺杂场效应晶体管（MODFET）等新型器件。调制掺杂的AlGaN/GaN结构具有高的电子迁移率(2000cm2/v·s)、高的饱和速度(1×107cm/s)、较低的介电常数，是制作微波器件的优先材料；GaN较宽的禁带宽度(3.4eV) 及蓝宝石等材料作衬底，散热性能好，有利于器件在大功率条件下工作。

本文来源于阿甘体验，由电路城综合整理。