本网页已闲置超过3分钟,按键盘任意键或点击空白处,即可回到网页

90天硬件工程师之mos管
发布时间:2020-09-11
分享到:
90天硬件工程师之mos管
发布时间:2020-09-11
分享到:

一、MOS 管 1-MOSFET 的认识及 MOSFET 与三极管对比功耗分析

二、MOS 管 2-MOSFET 损耗问题讨论及 MOSFET 的 GS 电容问题讨论

三、MOS 管 3-MOSFET 的 GS 下拉电阻及 MOSFET 的等效模型讲解

四、MOS 管 4-MOFET 导通阈值问题及 GS 电容和下拉电阻回路分流问题讨论

五、MOS 管 5-MOSFET 米勒效应及 MOSFET 的放大区讨论

六、MOS 管 6-MOSFET 导通过程相关波形绘制及各时间点状态分析与米勒区域前后功耗问题讨论

七、MOS 管 7-MOSFET 的 Vds、Vgs 波形完善及 Rdson 与 Vgs 电压的关系

八、MOS 管 8-MOSFET 的 Igs 曲及四大损耗与减小米勒平台区间的损耗方法讨论

九、MOS 管 9-降低开关损耗带来的其它问题分析及高压 MOSFET 栅极电阻取值

十、MOS 管 10-MOSFET 栅极电阻与米勒平台时间取值及桥式电路分析

更多课程详情查看:https://www.moore8.com/courses/3065

加入微信技术交流群

技术交流,职业进阶

关注电路设计技能公众号

了解最新技术方案

加入电路城 QQ 交流群

与技术大牛交朋友

讨论