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最新,台积电2nm重大突破!
发布时间:2020-07-14
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最新,台积电2nm重大突破!
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7月13日消息,据台湾媒体报道,台积电冲刺先进制程,在2nm研发有重大突破,已成功找到路径,将切入环绕式栅极技术(gate-all-around,简称GAA)技术。

台积电

台媒称,三星已决定在3nm率先导入GAA技术,并宣称要到2030年超过台积电,取得全球逻辑芯片代工龙头地位,台积电研发大军一刻也不敢松懈,积极投入2nm研发,并获得技术重大突破,成功找到切入GAA路径。

台积电负责研发的资深副总经理罗唯仁,还为此举办庆功宴,感谢研发工程师全心投入。

台积电3nm制程预计明年上半年在南科18厂P4厂试产、2022年量产,业界以此推断,台积电2nm推出时间将在2023年到2024年间。

台积电今年4月曾表示,3nm仍会沿用FinFET(鳍式场效应晶体管)技术,主要考虑是客户在导入5nm制程后,采用同样的设计即可导入3nm制程,可以持续带给客户有成本竞争力、效能表现佳的产品 。

台积电成立于1987年,是全球最大的晶圆代工半导体制造厂,客户包括苹果、高通等等。其总部位于台湾新竹的新竹科学工业园区。台积电公司股票在台湾证券交易所上市,股票代码为2330,另有美国存托凭证在美国纽约证券交易所挂牌交易,股票代号为TSM。

1999年,胡正明团队发布了第一款45nm的FinEFT晶体管,且性能优良。

胡正明教授预测,该晶体管器件能够使工艺节点继续发展到20nm以下,这一预测已经得到验证,并且,依托FinEFT技术,芯片工艺节点制程已经发展到5nm甚至3nm。

与此同时,随着工艺节点制程发展到3nm,晶体管沟道进一步缩短,这时会发生量子遂穿效应。为再一次突破极限,新的工艺技术GAA-EFT诞生了。

尽管GAA概念的提出要比FinEFT早10年左右,不过GAA相当于FinEFT的改进版,在3nm工艺节点遇到障碍的三星就已从FinFET工艺转入到GAA,如今台积电也将加入GAA的队伍中。无论是三星还是台积电,都将新工艺指向了GAA。

转载自半导体行业联盟。

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