唯样分立半导体样片免费申请
发布时间:2020-05-18
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制造商 商品型号 分类 参数描述 免费申请
ROHM R6076MNZ1C9 分立半导体 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min):10V,连续漏极电流Id:76A(Tc),电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds:25V,电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs:10V,漏源极电压Vds:600V,栅极电压Vgs:±30V,工作温度:-55°C~150°C(TJ),封装/外壳:TO-247-3,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):115nC,不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):7nF,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA,Rds On(Max)@Id,Vgs:55m Ohms@38A,10V,Pd-功率耗散(Max):740W(Tc),FET类型:N-Channel 免费样片申请
ROHM R6076ENZ1C9 分立半导体 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min):10V,连续漏极电流Id:76A,漏源极电压Vds:600V,栅极电压Vgs:±20V,工作温度:150°C(TJ),封装/外壳:TO-247,不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):260nC @ 10V,不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):6500pF @ 25V,不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA,Rds On(Max)@Id,Vgs:42m Ohms@44.4A,10V,Pd-功率耗散(Max):120W(Tc),FET类型:N-Channel 免费样片申请
ROHM R6024ENZC8 分立半导体 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min):10V,连续漏极电流Id:24A(Tc),漏源极电压Vds:600V,栅极电压Vgs:±20V,工作温度:150°C(TJ),封装/外壳:TO-3P-3,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):70nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1650pF @ 25V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA,Rds On(Max)@Id,Vgs:165m Ohms@11.3A,10V,Pd-功率耗散(Max):120W(Tc),FET类型:N-Channel 免费样片申请
ROHM SCT3160KLGC11 分立半导体 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min):18V,连续漏极电流Id:17A(Tc),漏源极电压Vds:1200V,栅极电压Vgs:+22V,-4V,工作温度:175°C(TJ),封装/外壳:TO-247-3,不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):42nC @ 18V,不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):398pF @ 800V,不同Id时的Vgs(th)(最大值):5.6V @ 2.5mA,Rds On(Max)@Id,Vgs:208m Ohms@5A,18V,Pd-功率耗散(Max):103W(Tc),FET类型:N-Channel 免费样片申请
ROHM R6015ENZC8 分立半导体 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min):10V,连续漏极电流Id:15A(Tc),漏源极电压Vds:600V,栅极电压Vgs:±20V,工作温度:150°C(TJ),封装/外壳:TO-3P-3,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):40nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):910pF @ 25V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA,Rds On(Max)@Id,Vgs:290m Ohms@6.5A,10V,Pd-功率耗散(Max):120W(Tc),FET类型:N-Channel 免费样片申请
ROHM R6047ENZ1C9 分立半导体 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min):10V,连续漏极电流Id:47A,漏源极电压Vds:600V,栅极电压Vgs:±20V,工作温度:150°C(TJ),封装/外壳:TO-247,不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):145nC @ 10V,不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):3850pF @ 25V,不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA,Rds On(Max)@Id,Vgs:72m Ohms@25.8A,10V,Pd-功率耗散(Max):120W(Tc),FET类型:N-Channel 免费样片申请
ROHM RFUH30TS6DGC11 分立半导体 输出:开路漏极或开路集电极,电压 - 阈值:2.8V,工作温度:-40°C ~ 105°C(TA),封装/外壳:8-VSSOP,8-MSOP,复位超时:可调节/可选择,复位:低有效,受监控电压数:1 Ohms,FET类型:监视器电路 免费样片申请
ROHM RFN30TS6SGC11 分立半导体 输出端数量:1Output,输出电流:2 A,湿气敏感性等级(MSL):3(168 小时),工作电源电流(mA):2 mA,工作电源电压:8 V to 28 V,工作温度:-25°C~85°C,封装/外壳:28-VSSOP,Pd-功率耗散(Max):4.7W 免费样片申请
ROHM R6030MNX 分立半导体 输出配置:高端,输出类型:N 通道,输出数:2,输入类型:非反相,电流 - 输出(最大值):500mA,电压 - 负载:3 V ~ 5.5 V,电压 - 电源(Vcc/Vdd):不需要,比率 - 输入:输出:1:2,故障保护:限流(固定),超温,反向电流,UVLO,接口:开/关,开关类型:USB 开关,工作温度:-25°C ~ 85°C(TA),封装/外壳:8-SOIC,导通电阻(典型值):110 毫欧 免费样片申请
ROHM R6030KNZ1C9 分立半导体 频率-开关:10kHz ~ 800kHz,输出配置:正或负,输出类型:晶体管驱动器,输出数:2,电压-电源(Vcc/Vdd):3.6 V ~ 35 V,时钟同步:无,控制特性:空载时间控制,软启动,拓扑:降压,升压,工作温度:-40°C ~ 85°C(TA),封装/外壳:16-SOP,同步整流器:是,占空比(最大):1 Ohms,功能:升压,降压 免费样片申请
ROHM R8005ANX 分立半导体 输出配置:正,输出类型:可调式,稳压器数:1 Ohms,电流 - 静态(Iq):50µA,电流 - 输出:500mA,电压 - 输出(最小值/固定):2.8V,电压 - 输出(最大值):12V,电压 - 输入(最大值):36V,湿气敏感性等级(MSL):1(无限),工作温度:-40°C ~ 125°C(TA),封装/外壳:TO-252-5,DPak(4引线+接片),TO-252AD,压降(最大值):0.48V @ 200mA,保护功能:过流,超温,短路,PSRR:55dB(120Hz) 免费样片申请
ROHM SH8J66TB1 分立半导体 输出配置:半桥(2),电流-输出:1A,电机类型-AC,DC:有刷直流,电压-负载:3 V ~ 5.5 V,接口:开/关,工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ),封装/外壳:8-SOP,功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级 免费样片申请
ROHM R6030ENZ1C9 分立半导体 运行时间—最大值:25 us,输出端数量:1 Output,输出电流:800 mA,空闲时间—最大值:25 us,电源电压-最小:4 V,电源电压-最大:18 V,电流限制:1.45 A,工作电源电压:4 V to 18 V,工作温度:-40°C ~ 150°C,导通电阻—最大值:650 mOhms 免费样片申请
ROHM RGT8BM65DTL 分立半导体 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min):4V,10V,连续漏极电流Id:7A(Ta),漏源极电压Vds:45V,栅极电压Vgs:±20V,工作温度:-55°C~150°C(TJ),封装/外壳:8-SOIC,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):47.6nC @ 5V,不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):4100pF @ 10V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA,Rds On(Max)@Id,Vgs:27m Ohms@7A,10V,Pd-功率耗散(Max):2W(Ta),FET类型:P-Channel 免费样片申请
ROHM RSH070P05GZETB 分立半导体 输出配置:高端,输出类型:N 通道,输出数:1 Ohms,输入类型:非反相,电流-输出(最大值):500mA,电压-负载:2.7 V ~ 5.5 V,电压-电源(Vcc/Vdd):不需要,比率-输入:输出:1:1,故障保护:限流(固定),超温,反向电流,UVLO,接口:开/关,开关类型:USB 开关,工作温度:-40°C ~ 85°C(TA),封装/外壳:8-SOP-J,导通电阻(典型值):80 毫欧 免费样片申请
ROHM RS1G300GNTB 分立半导体 频率:1MHz,输出数:6,调光:I²C,电流 - 输出/通道:20mA,电压 - 供电(最高):5.5V,电压 - 供电(最低):2.7V,拓扑:切换式电容器(充电泵),工作温度:-30°C ~ 85°C(TA),封装/外壳:16-VQFN裸露焊盘,内部开关:是,FET类型:DC DC 稳压器 免费样片申请
ROHM RGW00TS65DGC11 分立半导体 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min):10V,连续漏极电流Id:20A(Tc),漏源极电压Vds:600V,栅极电压Vgs:±20V,工作温度:-55°C~150°C(TJ),封装/外壳:TO-247-3,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):40nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1550pF @ 25V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA,Rds On(Max)@Id,Vgs:196m Ohms@9.5A,10V,Pd-功率耗散(Max):231W(Tc),FET类型:N-Channel 免费样片申请
ROHM R6020KNZ1C9 分立半导体 输出端数量:1Output,输出电流:3 A,输出电压:1 V to 28.8 V,输入电压:7Vto36V,系列:BD9E303EFJ-LB(H2),最小输入电压:7V,最大输入电压:36V,拓扑结构:Buck,开发套件:BD9E303EFJ-EVK-001,开关频率:0.3MHz,工作电源电流(mA):2.2mA,工作温度:-40°C ~ 150°C,封装/外壳:8-SOIC,关闭:Shutdown 免费样片申请
ROHM SH8J65TB1 分立半导体 输出配置:半桥(2),电流 - 输出:700mA,电机类型 - AC,DC:有刷直流,电压 - 电源:8 V ~ 28 V,湿气敏感性等级(MSL):1(无限),接口:PWM,工作温度:-25°C~85°C(TA),封装/外壳:8-SOIC,功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级 免费样片申请
ROHM RS1G260MNTB 分立半导体 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min):10V,连续漏极电流Id:8A(Ta),漏源极电压Vds:800V,栅极电压Vgs:±30V,工作温度:150°C(TJ),封装/外壳:TO-220-3,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):39nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1080pF @ 25V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA,Rds On(Max)@Id,Vgs:1.03 Ohms@4A,10V,Pd-功率耗散(Max):50W(Tc),FET类型:N-Channel 免费样片申请
ROHM RGT00TS65DGC11 分立半导体 输出配置:正,输出类型:固定,稳压器数:2,电流 - 静态(Iq):0.7mA,电流 - 输出:500mA,500mA,电流 - 电源(最大值):1.6mA,电压 - 输出(最小值/固定):1.8V,3.3V,电压 - 输入(最大值):16V,工作温度:-25°C ~ 105°C,封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5引线+接片),TO-263BA,保护功能:过流,超温,PSRR:58dB(120Hz) 免费样片申请
ROHM R8008ANX 分立半导体 输出:开路漏极或开路集电极,电压 - 阈值:4.1V,工作温度:-40°C ~ 105°C(TA),封装/外壳:8-VSSOP,8-MSOP,复位超时:可调节/可选择,复位:高有效,受监控电压数:1 Ohms,FET类型:监视器电路 免费样片申请
ROHM RB085BM-60TL 分立半导体 输出配置:高端,输出类型:N 通道,输出数:2,输入类型:非反相,电流 - 输出(最大值):1.5A,电压 - 负载:2.7 V ~ 5.5 V,电压 - 电源(Vcc/Vdd):不需要,比率 - 输入:输出:1:2,故障保护:限流(固定),超温,反向电流,UVLO,接口:开/关,开关类型:USB 开关,工作温度:-40°C ~ 85°C(TA),封装/外壳:8-SOIC,导通电阻(典型值):80 毫欧 免费样片申请
ROHM RB085BM-90TL 分立半导体 输出配置:前置驱动器 - 半桥(3),电流 - 输出:1.5A,电机类型 - AC,DC:无刷 DC(BLDC),电压 - 电源:8 V ~ 28 V,湿气敏感性等级(MSL):1(无限),接口:逻辑,工作温度:-40°C~85°C(TA),封装/外壳:24-VFQFN,功能:驱动器 免费样片申请
ROHM HP8MA2TB1 分立半导体 速度:400kHz,电压 - 电源:2.5 V ~ 5.5 V,格式 - 存储器:EEPROM,接口:I²C,2 线串口,工作温度:-40°C ~ 85°C(TA),封装/外壳:8-LSSOP,存储容量:1Kb (128 x 8),存储器类型:非易失 免费样片申请
ROHM HP8S36TB 分立半导体 高度:2.3mm,长度:6.5mm,输出类型:Fixed,输出端数量:1Output,输出电流:1 A,输出电压:3 V,负载调节:150mV,线路调整率:100mV,系列:BAxxCC0FP,电压调节准确度:2%,极性:Positive,最小输入电压:4V,最大输入电压:25V,工作温度:-40°C ~ 125°C,宽度:5.5mm,回动电压—最大值:500mVat500mA,回动电压:0.3V,功率(W):1.2W 免费样片申请
ROHM RF505BM6STL 分立半导体 高度:2.3mm,长度:6.5mm,输出类型:Fixed,输出端数量:1Output,输出电流:1 A,输出电压:8 V,负载调节:50mV,线路调整率:20mV,系列:BAxxCC0FP,电压调节准确度:2%,极性:Positive,最小输入电压:4V,最大输入电压:25V,工作温度:-40°C ~ 125°C,宽度:5.5mm,回动电压—最大值:500mV,回动电压:300mV,功率(W):1.2W,PSRR/纹波抑制—典型值:55dB,Ib - 输入偏流:5mA 免费样片申请
ROHM RGT80TS65DGC11 分立半导体 输出配置:正,输出类型:固定,稳压器数:1 Ohms,电流 - 静态(Iq):6µA,电流 - 输出:1A,电流 - 电源(最大值):15µA,电压 - 输出(最小值/固定):6V,电压 - 输入(最大值):14V,控制特性:使能,工作温度:-40°C ~ 105°C,封装/外壳:8-SOIC,压降(最大值):1.2V @ 1A,保护功能:过流,超温,软启动 免费样片申请
ROHM R6030KNX 分立半导体 输出配置:高端,输出类型:N 通道,输出数:1 Ohms,输入类型:非反相,电流-输出(最大值):250mA,电压-负载:2.7 V ~ 5.5 V,电压-电源(Vcc/Vdd):不需要,比率-输入:输出:1:1,故障保护:限流(固定),超温,反向电流,UVLO,接口:开/关,开关类型:USB 开关,工作温度:-40°C ~ 85°C(TA),封装/外壳:8-SOP-J,导通电阻(典型值):80 毫欧 免费样片申请
ROHM RGTH80TS65DGC11 分立半导体 输出配置:正,输出类型:固定,稳压器数:1 Ohms,电流-静态:90µA,电流-输出:200mA,电流-电源(最大值):150µA,电流-电源:90µA ~ 150µA,电压-输出(最小值/固定):3.3V,电压-输入(最大值):42V,控制特性:使能,工作温度:-40°C ~ 150°C,封装/外壳:SOT-223-4F,压降(最大值):0.45V @ 100mA,保护功能:过流,超温,PSRR:65dB(120Hz) 免费样片申请
ROHM RGTH00TS65GC11 分立半导体 电压-电源:1.7 V ~ 5.5 V,时钟频率:1MHz,工作温度:-40°C ~ 85°C(TA),封装/外壳:8-SOP-J,存储容量:512Kb (64K x 8),存储器类型:非易失,存储器接口:I²C,写周期时间-字,页:5ms 免费样片申请
ROHM RCJ700N20TL 分立半导体 输出类型:满摆幅,电路数:1 Ohms,电流 - 输出/通道:1mA,电流 - 输入偏置:1pA,电流 - 电源:440µA,电压 - 输入失调:1mV,电压 - 电源,单/双(±):5 V ~ 14.5 V,±2.5 V ~ 7.25 V,工作温度:-40°C ~ 85°C,封装/外壳:SC-74A,SOT-753,增益带宽积:1MHz,压摆率:1 V/µs 免费样片申请
ROHM RPI-121 分立半导体 集电极连续电流:30A,集电极最大连续电流 Ic:58A,集电极—射极饱和电压:1.6V,集电极—发射极最大电压 VCEO:650V,系列:RGTH60TS65,栅极—射极漏泄电流:±200nA,栅极/发射极最大电压:±30V,工作温度:-40°C ~ 175°C,封装/外壳:Tube,在25 C的连续集电极电流:58A,功率(W):194W 免费样片申请
ROHM R6020KNJTL 分立半导体 逻辑类型:移位寄存器,输出类型:三态,电压 - 电源:3 V ~ 18 V,每元件位数:8,工作温度:-40°C ~ 85°C,封装/外壳:16-SOIC,功能:串行至并行,元件数:1 Ohms 免费样片申请
ROHM RGTH60TS65DGC11 分立半导体 输出类型:电流,电压-电源:2.4 V ~ 5.5 V,波长:560nm,接近探测:无,工作温度:-40°C ~ 85°C,封装/外壳:5-WSOF,FET类型:环境 免费样片申请
ROHM RFN30TS6DGC11 分立半导体 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io),正向电流If:5A,正向电压Vf:920mV@5A,工作温度-结:150°C(最大),反向电压Vr:200V,反向漏电流Ir:1µA @ 200V,反向恢复时间trr:25ns,FET类型:标准 免费样片申请
ROHM RF501BM2STL 分立半导体 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io),正向电流If:10A,正向电压Vf:1.5V@10A,工作温度-结:150°C(最大),反向电压Vr:350V,反向漏电流Ir:10µA @ 350V,反向恢复时间trr:30ns,FET类型:标准 免费样片申请
ROHM RF601BM2DTL 分立半导体 高度:1.15mm,长度:5mm,通道数量:8 Channel,输出类型:OpenDrain,输出电流:50 mA,输入电压:3 V to 5.5 V,电源电流—最大值:1 mA,工作频率:1.25 MHz,工作温度:-40°C ~ 105°C,封装/外壳:SSOP-B-16,宽度:4.4mm,功率(W):0.87W 免费样片申请
ROHM RFN10BM3STL 分立半导体 高度:2.3mm,长度:6.5mm,输出配置:正,输出类型:Fixed,输出端数量:1Output,输出电流:1A,输出电压:5V,负载调节:75mV,线路调整率:35mV,系列:BA50BC0WFP,稳压器数:1 Ohms,电流-静态:0.5mA,电流-输出:1A,电流-电源(最大值):0.9mA,电流-电源:0.5mA ~ 0.9mA,电压调节准确度:2%,电压-输出(最小值/固定):5V,电压-输入(最大值):16V,极性:Positive,最小输入电压:6V,最大输入电压:16V,控制特性:使能,工作温度:-40°C ~ 105°C,封装/外壳:TO-252-5,宽度:5.5mm,参考电压:1.28V,功率(W):1.3W,保护功能:过流,超温,PSRR:55dB(120Hz) 免费样片申请
ROHM RGT40TS65DGC11 分立半导体 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io),正向电流If:6A,正向电压Vf:1.1V@6A,工作温度-结:150°C(最大),反向电压Vr:400V,反向漏电流Ir:10µA @ 400V,FET类型:标准 免费样片申请
ROHM RGTH40TS65DGC11 分立半导体 输出配置:正,输出类型:固定,稳压器数:1 Ohms,电流 - 静态(Iq):0.35mA,电流 - 输出:500mA,电流 - 电源(最大值):550µA,电压 - 输出(最小值/固定):1.2V,电压 - 输入(最大值):5.5V,控制特性:使能,工作温度:-40°C ~ 105°C,封装/外壳:8-SOIC,保护功能:过流,超温,PSRR:50dB(120Hz) 免费样片申请
ROHM RCX700N20 分立半导体 电压 - 电源:1.6 V ~ 5.5 V,时钟频率:20MHz,工作温度:-40°C ~ 85°C(TA),封装/外壳:8-TSSOP,存储容量:256Kb (32K x 8),存储器类型:非易失,存储器格式:EEPROM,存储器接口:SPI,写周期时间 - 字,页:5ms 免费样片申请
ROHM RR601BM4STL 分立半导体 配置:1 对共阴极,速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io),正向电流If:10A,正向电压Vf:880mV@5A,工作温度-结:150°C(最大),反向电压Vr:150V,反向漏电流Ir:15µA @ 150V,FET类型:肖特基 免费样片申请
ROHM R6015ENX 分立半导体 输出类型:满摆幅,电路数:2,电流-输出/通道:12mA,电流-输入偏置:1pA,电流-电源:550µA,电压-输入失调:1mV,电压-电源,单/双(±):1.8 V ~ 5.5 V,±0.9 V ~ 2.75 V,工作温度:-40°C ~ 85°C,封装/外壳:8-SOP,增益带宽积:2MHz,压摆率:1.1 V/µs 免费样片申请
ROHM RCX511N25 分立半导体 输出类型:满摆幅,电路数:2,电流 - 输出/通道:12mA,电流 - 输入偏置:1pA,电流 - 电源:180µA,电压 - 输入失调:1mV,电压 - 电源,单/双(±):1.8 V ~ 5.5 V,±0.9 V ~ 2.75 V,工作温度:-40°C ~ 85°C,封装/外壳:8-VSSOP,8-MSOP,增益带宽积:900kHz,压摆率:0.4 V/µs 免费样片申请
ROHM RB088BM150TL 分立半导体 输出配置:正,输出类型:固定,稳压器数:1 Ohms,电流 - 静态(Iq):0.5mA,电流 - 输出:1A,电流 - 电源(最大值):900µA,电压 - 输出(最小值/固定):3V,电压 - 输入(最大值):16V,工作温度:-40°C ~ 105°C,封装/外壳:TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63,保护功能:过流,超温 免费样片申请
ROHM RFN10NS3STL 分立半导体 输出配置:正,输出类型:固定,稳压器数:1 Ohms,电流 - 静态(Iq):0.5mA,电流 - 输出:1A,电流 - 电源(最大值):900µA,电压 - 输出(最小值/固定):1.5V,电压 - 输入(最大值):16V,工作温度:-40°C ~ 105°C,封装/外壳:TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63,保护功能:过流,超温 免费样片申请
ROHM RGTH50TS65GC11 分立半导体 稳压器数:1 Ohms,稳压器拓扑:正,固定式,电流 - 输出:1A,电压 - 输出:6V,电压 - 输入:8.5 V ~ 21 V,电压 - 跌落(典型值):2V @ 1A,工作温度:-40°C ~ 85°C,封装/外壳:TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63 免费样片申请
ROHM RBQ10BM65ATL 分立半导体 输出配置:正,输出类型:固定,稳压器数:1 Ohms,电流 - 静态(Iq):4.5mA,电流 - 输出:1A,电流 - 电源(最大值):6mA,电压 - 输出(最小值/固定):24V,电压 - 输入(最大值):33V,工作温度:-40°C ~ 85°C,封装/外壳:TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63,压降(最大值):2V @ 1A(标准),保护功能:过流,超温,PSRR:58dB(120Hz) 免费样片申请
ROHM RBQ10BM45ATL 分立半导体 速度:2MHz,电压 - 电源:1.8 V ~ 5.5 V,格式 - 存储器:EEPROM,接口:Microwire 3 线串行,工作温度:-40°C ~ 85°C(TA),封装/外壳:8-TSSOP,存储容量:8Kb (512 x 16),存储器类型:非易失 免费样片申请
ROHM RSJ550N10TL 分立半导体 速度:1MHz,电压 - 电源:1.7 V ~ 5.5 V,格式 - 存储器:EEPROM,接口:I²C,2 线串口,工作温度:-40°C ~ 85°C(TA),封装/外壳:8-SOIC,存储容量:256Kb (32K x 8),存储器类型:非易失 免费样片申请
ROHM RPI-222 分立半导体 速度:400kHz,电压 - 电源:1.6 V ~ 5.5 V,格式 - 存储器:EEPROM,接口:I²C,2 线串口,工作温度:-40°C ~ 85°C(TA),封装/外壳:8-SOIC,存储容量:256Kb (32K x 8),存储器类型:非易失 免费样片申请
ROHM RCX330N25 分立半导体 速度:400kHz,电压 - 电源:1.6 V ~ 5.5 V,格式 - 存储器:EEPROM,接口:I²C,2 线串口,工作温度:-40°C ~ 85°C(TA),封装/外壳:8-TSSOP,存储容量:256Kb (32K x 8),存储器类型:非易失 免费样片申请
ROHM R6009ENX 分立半导体 组织:4kx8,电源电流—最大值:4mA,电源电压-最小:2.5V,电源电压-最大:5.5V,最大时钟频率:10MHz,数据保留:100Year,接口类型:Serial,SPI,工作电源电压:2.5Vto5.5V,工作温度:-40°C ~ 125°C,封装/外壳:SOP-8,存储容量:32kB 免费样片申请
ROHM RS1E280GNTB 分立半导体 稳压器数:1 Ohms,稳压器拓扑:正,固定式,电流 - 输出:500mA,电压 - 输出:3V,电压 - 输入:最高 5.5V,电压 - 跌落(典型值):0.12V @ 200mA,工作温度:-40°C ~ 105°C,封装/外壳:TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63 免费样片申请
ROHM R6020ENX 分立半导体 输出配置:正,输出类型:固定,稳压器数:1 Ohms,电流-输出:500mA,电流-电源:0.35mA ~ 0.55mA,电压-输出(最小值/固定):2.5V,电压-输入(最大值):5.5V,工作温度:-40°C ~ 105°C,封装/外壳:TO-252,(D-Pak),压降(最大值):0.2V @ 200mA,保护功能:过流,超温,PSRR:50dB(120Hz) 免费样片申请
ROHM RB085BM-30TL 分立半导体 输出配置:正,输出类型:固定,稳压器数:1 Ohms,电流-输出:500mA,电流-电源:0.35mA ~ 0.55mA,电压-输出(最小值/固定):3.3V,电压-输入(最大值):5.5V,控制特性:使能,工作温度:-40°C ~ 105°C,封装/外壳:TO-252-5,压降(最大值):0.2V @ 200mA,保护功能:过流,超温,PSRR:50dB(120Hz) 免费样片申请
ROHM RPI-0226 分立半导体 电路数:4,电流 - 漏泄(IS(off))(最大值):300nA,电压 - 电源,单(V+):3 V ~ 18 V,沟道电容 (CS(off),CD(off)):10pF,开关电路:SPST - 常开,工作温度:-40°C ~ 85°C(TA),封装/外壳:14-LSSOP,导通电阻(最大值):280 欧姆,多路复用器/解复用器电路:1:1,串扰:-50dB @ 1MHz 免费样片申请
ROHM RGTH40TS65GC11 分立半导体 输出类型:满摆幅,电路数:1 Ohms,电流 - 输出/通道:2mA,电流 - 输入偏置:1pA,电流 - 电源:400nA,电压 - 输入失调:1mV,电压 - 电源,单/双(±):1.8 V ~ 5.5 V,±0.9 V ~ 2.75 V,工作温度:-40°C ~ 85°C,封装/外壳:SOT-665,增益带宽积:2.5kHz,压摆率:0.0025 V/µs 免费样片申请
ROHM R6020ENJTL 分立半导体 稳压器数:1 Ohms,稳压器拓扑:正,固定式,电流 - 输出:2A,电压 - 输出:3.3V,电压 - 输入:最高 25V,电压 - 跌落(典型值):0.45V @ 2A,工作温度:-40°C ~ 125°C,封装/外壳:TO-220-3整包 免费样片申请
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