唯样光电子产品免费样片申请
发布时间:2020-05-18
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制造商 商品型号 分类 参数描述 免费申请
ROHM SIM-030ST 光电子产品 视角:40°,电流-DC正向(If):100mA,电压-正向(Vf)(典型值):1.7V,波长:870nm,朝向:顶视图,工作温度:-25°C ~ 85°C(TA),封装/外壳:2-SMD,无引线,不同If时的辐射强度(Ie)(最小值):20mW/sr @ 100mA,FET类型:红外(IR) 免费样片申请
ROHM SIM-040ST 光电子产品 输出类型:Fixed,输出端数量:1Output,输出电流:1 A,输出电压:8 V,线路调整率:20mV,电压调节准确度:1%,极性:Positive,最小输入电压:4V,最大输入电压:26.5V,工作温度:-40°C ~ 125°C,封装/外壳:TO-252-3,回动电压—最大值:0.5Vat500mA,回动电压:0.3V,PSRR/纹波抑制—典型值:55dB 免费样片申请
ROHM SMLZ14EGTT86AX2 光电子产品 频率-开关:500kHz,输出配置:正,输出类型:可调式,输出数:1 Ohms,电流-输出:4A,电压-输出(最小值/固定):0.8V,电压-输出(最大值):12.6V,电压-输入(最小值):4.5V,电压-输入(最大值):18V,拓扑:降压,工作温度:-40°C ~ 85°C(TA),封装/外壳:8-HTSOP-J,同步整流器:是 免费样片申请
ROHM SMLP34RGB2W3J 光电子产品 连续漏极电流Id:27A,80A,漏源极电压Vds:30V,工作温度:-55°C~150°C(TJ),封装/外壳:8-HSOP,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):47nC @ 4.5V,不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):6100pF @ 15V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA,Rds On(Max)@Id,Vgs:2.4m Ohms@32A,10V,Pd-功率耗散(Max):29W,FET类型:2N-Channel 免费样片申请
ROHM SMLVN6RGB1U16Y 光电子产品 频率-开关:1MHz,2MHz,输出配置:正,输出类型:可调式,输出数:1 Ohms,电流-输出:3A,电压-输出(最小值/固定):0.8V,电压-输出(最大值):4.4V,电压-输入(最小值):2.7V,电压-输入(最大值):5.5V,拓扑:降压,工作温度:-40°C ~ 85°C(TA),封装/外壳:VQFN016V3030,同步整流器:是 免费样片申请
ROHM SML812BCTT86Q 光电子产品 速度:400kHz,电压 - 电源:1.7 V ~ 5.5 V,格式 - 存储器:EEPROM,接口:I²C,2 线串口,工作温度:-40°C ~ 85°C(TA),封装/外壳:8-SOIC,存储容量:64Kb (8K x 8),存储器类型:非易失 免费样片申请
ROHM MSL0402RGBU16X 光电子产品 电压-电源:1.8 V ~ 5.5 V,时钟频率:400kHz,工作温度:-40°C ~ 85°C(TA),封装/外壳:8-MSOP,存储容量:8Kb (1K x 8),存储器类型:非易失,存储器接口:I²C,写周期时间-字,页:5ms 免费样片申请
ROHM SMLZ14BGTT86AV1 光电子产品 配置:Single,通道数量:1Channel,连续漏极电流Id:45A,系列:RCJ450N20,漏源极电压Vds:200V,栅极电压Vgs:10V,封装/外壳:TO-263-3,Rds On(Max)@Id,Vgs:55m Ohms,FET类型:1N-Channel 免费样片申请
ROHM SMLS14BETT68W2 光电子产品 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min):2.5V,4.5V,连续漏极电流Id:18A(Ta),30A(Tc),漏源极电压Vds:30V,栅极电压Vgs:±12V,工作温度:150°C(TJ),封装/外壳:8-PowerVDFN,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):39nC @ 4.5V,不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):4290pF @ 15V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 11mA,Rds On(Max)@Id,Vgs:4.5m Ohms@18A,4.5V,Pd-功率耗散(Max):2W(Ta),30W(Tc),FET类型:N-Channel 免费样片申请
ROHM SML522BU1WT86PN 光电子产品 输出配置:正,输出类型:固定,稳压器数:1 Ohms,电流 - 静态(Iq):4.5mA,电流 - 输出:500mA,电流 - 电源(最大值):6mA,电压 - 输出(最小值/固定):6V,电压 - 输入(最大值):21V,工作温度:-40°C ~ 85°C,封装/外壳:TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63,压降(最大值):2V @ 500mA(标准),保护功能:过流,超温,PSRR:74dB(120Hz) 免费样片申请
ROHM CSL0406WBCW15Z2 光电子产品 输出配置:正,输出类型:固定,稳压器数:1 Ohms,电流 - 静态(Iq):4.5mA,电流 - 输出:500mA,电流 - 电源(最大值):6mA,电压 - 输出(最小值/固定):18V,电压 - 输入(最大值):33V,工作温度:-40°C ~ 85°C,封装/外壳:TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63,压降(最大值):2V @ 500mA(标准),保护功能:过流,超温,PSRR:58dB(120Hz) 免费样片申请
ROHM SMLP13EC8TT86S 光电子产品 输出配置:高端,输出类型:N 通道,输出数:1 Ohms,输入类型:非反相,电流 - 输出(最大值):500mA,电压 - 负载:2.7 V ~ 5.5 V,电压 - 电源(Vcc/Vdd):不需要,比率 - 输入:输出:1:1,故障保护:限流(固定),超温,反向电流,UVLO,接口:开/关,开关类型:USB 开关,工作温度:-40°C ~ 85°C(TA),封装/外壳:SC-74A,SOT-753,导通电阻(典型值):160 毫欧 免费样片申请
ROHM SMLZN4BGTT86AU2 光电子产品 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io),正向电流If:5A,正向电压Vf:980mV@5A,工作温度-结:150°C(最大),反向电压Vr:200V,反向漏电流Ir:10µA @ 200V,反向恢复时间trr:25ns,FET类型:标准 免费样片申请
ROHM SMLZN4WBGUW1EAZ1 光电子产品 输出类型:开路集电极,电流-静态(最大值):1mA,电流-输出(典型值):16mA @ 5V,电流-输入偏置(最大值):0.25µA @ 5V,电压-输入失调(最大值):7mV @ 5V,电压-电源,单/双(±):2 V ~ 36 V,±1 V ~ 18 V,工作温度:-40°C ~ 105°C,封装/外壳:8-SSOPB,元件数:2 免费样片申请
ROHM SML-S13RTT86B 光电子产品 输出类型:推挽式,电流 - 静态(最大值):15mA,电流 - 输出(典型值):5mA,电流 - 输入偏置(最大值):1pA(标准),电压 - 输入失调(最大值):6mV @ 3V,电压 - 电源,单/双(±):1.8 V ~ 5.5 V,±0.9 V ~ 2.75 V,工作温度:-40°C ~ 85°C,封装/外壳:SOT-665,元件数:1 Ohms,传播延迟(最大值):1.6µs(标准),FET类型:CMOS,CMRR,PSRR(典型值):80dB CMRR,80dB PSRR 免费样片申请
ROHM SMLA12WBC7W1AQ 光电子产品 电路数:2,电流-输出/通道:30mA,电流-输入偏置:20nA,电流-电源:700µA,电压-输入失调:2mV,电压-电源,单/双(±):3 V ~ 32 V,±1.5 V ~ 16 V,工作温度:-40°C ~ 105°C,封装/外壳:8-SSOPB,增益带宽积:500kHz,压摆率:0.2 V/µs 免费样片申请
ROHM SML-S13MTT68U 光电子产品 输出:开路漏极或开路集电极,电压 - 阈值:2.8V,工作温度:-40°C ~ 75°C(TA),封装/外壳:SC-74A,SOT-753,复位:低有效,受监控电压数:1 Ohms,FET类型:简单复位/加电复位 免费样片申请
ROHM SML-S13VTT68V 光电子产品 输出:开路漏极或开路集电极,系列:BD47xx,电压-阈值:4.6V,工作温度:-40°C ~ 75°C(TA),封装/外壳:5-SSOP,复位:低有效,受监控电压数:1 Ohms,FET类型:简单复位/加电复位 免费样片申请
ROHM SML-S13YTT68X 光电子产品 输出:开路漏极或开路集电极,电压 - 阈值:3V,工作温度:-40°C ~ 75°C(TA),封装/外壳:SC-74A,SOT-753,复位:低有效,受监控电压数:1 Ohms,FET类型:简单复位/加电复位 免费样片申请
ROHM SML-S13UTT86V 光电子产品 输出:开路漏极或开路集电极,系列:BD47xx,电压-阈值:4.5V,工作温度:-40°C ~ 75°C(TA),封装/外壳:5-SSOP,复位:低有效,受监控电压数:1 Ohms,FET类型:简单复位/加电复位 免费样片申请
ROHM SML-S13DTT68W 光电子产品 输出类型:推挽式,电流-输出(最大值):500µA,电流-电源(最大值):8µA,电压-电源:1.65 V ~ 3.6 V,测试条件:25°C,极化:任意一种,感应范围:±7.9mT 跳闸,±3.5mT 释放,工作温度:-40°C ~ 85°C(TA),封装/外壳:UCSP35L1,功能:全极开关 免费样片申请
ROHM SML-Z14U4TT86AZ 光电子产品 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min):10V,连续漏极电流Id:20A(Tc),漏源极电压Vds:200V,栅极电压Vgs:±30V,工作温度:150°C(TJ),封装/外壳:TO-220-3,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):40nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1900pF @ 25V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA,Rds On(Max)@Id,Vgs:130m Ohms@10A,10V,Pd-功率耗散(Max):2.23W(Ta),40W(Tc),FET类型:N-Channel 免费样片申请
ROHM SML-Z14UTT86AAW 光电子产品 速度:400kHz,电压 - 电源:1.6 V ~ 5.5 V,格式 - 存储器:EEPROM,接口:I²C,2 线串口,工作温度:-40°C ~ 85°C(TA),封装/外壳:8-VSSOP,8-MSOP,存储容量:16Kb (2K x 8),存储器类型:非易失 免费样片申请
ROHM SML-Z14F4TT86AU 光电子产品 输出:开路漏极或开路集电极,电压-阈值:2.7V,工作温度:-40°C ~ 125°C(TA),封装/外壳:4-SOP,复位超时:可调节/可选择,复位:低有效,受监控电压数:1 Ohms,FET类型:简单复位/加电复位 免费样片申请
ROHM SML-Z14M4TT86AV 光电子产品 稳压器数:1 Ohms,稳压器拓扑:正,固定式,电流 - 输出:300mA,电压 - 输出:2.7V,电压 - 输入:最高 5.5V,电压 - 跌落(典型值):0.06V @ 100mA,工作温度:-40°C ~ 85°C,封装/外壳:6-SMD,扁平引线裸焊盘 免费样片申请
ROHM SML-P24MUWT86RMQ 光电子产品 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min):2.5V,4.5V,连续漏极电流Id:2A(Ta),漏源极电压Vds:30V,栅极电压Vgs:±12V,工作温度:150°C(TJ),封装/外壳:SOT-23-5,TSOT-23-5,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):3.9nC @ 4.5V,不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):175pF @ 10V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA,Rds On(Max)@Id,Vgs:100m Ohms@2A,4.5V,Pd-功率耗散(Max):900mW(Ta),FET类型:N-Channel 免费样片申请
ROHM SML-522MUWT86PR 光电子产品 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io),正向电流If:10A,正向电压Vf:1.7V@10A,工作温度-结:150°C(最大),反向电压Vr:430V,反向漏电流Ir:10µA @ 430V,反向恢复时间trr:25ns,FET类型:标准 免费样片申请
ROHM SMLP13BC8TT86P 光电子产品 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min):4V,10V,连续漏极电流Id:3.5A,漏源极电压Vds:30V,栅极电压Vgs:±20V,工作温度:150°C(TJ),封装/外壳:TUMT,不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):8nC @ 5V,不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):800pF @ 10V,不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA,Rds On(Max)@Id,Vgs:50m Ohms@3.5A,10V,Pd-功率耗散(Max):320mW(Ta),FET类型:P-Channel 免费样片申请
ROHM SML-Z14DTT86AAV 光电子产品 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度,结电容Cj:2pF @ 1V,1MHz,正向电流If:30mA,正向电压Vf:370mV@1mA,工作温度-结:125°C(最大),反向电压Vr:30V,反向漏电流Ir:500nA @ 30V,FET类型:肖特基 免费样片申请
ROHM SML-522MU8WT86PQ 光电子产品 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min):4V,10V,连续漏极电流Id:1.4A,漏源极电压Vds:30V,栅极电压Vgs:20V,工作温度:150°C(TJ),封装/外壳:TUMT,不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):2nC @ 5V,不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):70pF @ 10V,不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA,Rds On(Max)@Id,Vgs:240m Ohms@1.4A,10V,Pd-功率耗散(Max):800mW(Ta),FET类型:N-Channel 免费样片申请
ROHM SML-D14U2WT86A 光电子产品 输出:开路漏极或开路集电极,电压 - 阈值:3.1V,工作温度:-40°C ~ 125°C(TA),封装/外壳:SC-74A,SOT-753,复位超时:可调节/可选择,复位:低有效,受监控电压数:1 Ohms,FET类型:简单复位/加电复位 免费样片申请
ROHM SML-P13PTT86RL 光电子产品 输出:开路漏极或开路集电极,电压 - 阈值:2.3V,工作温度:-40°C ~ 105°C(TA),封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3,复位:低有效,受监控电压数:1 Ohms,FET类型:简单复位/加电复位 免费样片申请
ROHM SML-P13FTT86RM 光电子产品 输出:开路漏极或开路集电极,电压 - 阈值:2.7V,工作温度:-40°C ~ 105°C(TA),封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3,复位:低有效,受监控电压数:1 Ohms,FET类型:简单复位/加电复位 免费样片申请
ROHM SML-P12DTT86RR 光电子产品 频率-跃迁:250MHz,集电极最大允许电流Ic:100mA,集电极_发射极击穿电压VCEO:50V,电阻器-发射极基底(R2)(欧姆):22k,电流-集电极截止(最大值):500nA,封装/外壳:EMT,功率(W):3/20W,不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值):56 @ 5mA,5V,不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA,FET类型:NPN+PNP 免费样片申请
ROHM SML-P12UTT86RQ 光电子产品 频率-跃迁:180MHz,140MHz,集电极最大允许电流Ic:0.15A,集电极_发射极击穿电压VCEO:50V,电流-集电极(Ic)(最大值):150mA,电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO),工作温度:150°C(TJ),封装/外壳:EMT,功率(W):3/20W,不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值):120 @ 1mA,6V,不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值):400mV @ 5mA,50mA / 500mV @ 5mA,50mA,FET类型:NPN+PNP 免费样片申请
ROHM SML-P11VTT86RH 光电子产品 频率-跃迁:250MHz,集电极最大允许电流Ic:100mA,集电极_发射极击穿电压VCEO:50V,电阻器-发射极基底(R2)(欧姆):47K Ohms,电流-集电极截止(最大值):500nA,封装/外壳:EMT,功率(W):3/20W,不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值):68 @ 5mA,5V,不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA,FET类型:NPN 免费样片申请
ROHM SML-P12VTT86RP 光电子产品 频率-跃迁:250MHz,集电极最大允许电流Ic:100mA,集电极_发射极击穿电压VCEO:50V,电阻器-基底(R1)(欧姆):4.7k,封装/外壳:EMT,功率(W):3/20W,不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值):100 @ 1mA,5V,不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA,FET类型:NPN+PNP 免费样片申请
ROHM SML-P11YTT86RL 光电子产品 频率-跃迁:250MHz,集电极最大允许电流Ic:100mA,集电极_发射极击穿电压VCEO:50V,电阻器-发射极基底(R2)(欧姆):10k,电流-集电极截止(最大值):500nA,封装/外壳:EMT,功率(W):3/20W,不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,5V,不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA,FET类型:NPN+PNP 免费样片申请
ROHM SCMP13WBC8W1AS 光电子产品 稳压器数:1 Ohms,稳压器拓扑:正,固定式,电流 - 输出:1A,电压 - 输出:7V,电压 - 输入:9.5 V ~ 22 V,电压 - 跌落(典型值):2V @ 1A,工作温度:-40°C ~ 85°C,封装/外壳:TO-220-3截切引线 免费样片申请
ROHM SML813WBC8W1FR 光电子产品 齐纳阻抗Zz:30 Ohms,齐纳电压Vz:10.99V,高度:0.50mm,长度:1.00mm,配置:Single,系列:VDZ11B,测试电流It(mA):5 mA,工作温度:-55°C~150°C,宽度:0.6mm,反向漏电流Ir:100nA,功率耗散Pd:100 mW,偏差:±2% 免费样片申请
ROHM SML-P12WTT86RQ 光电子产品 频率-跃迁:250MHz,集电极最大允许电流Ic:100mA,集电极_发射极击穿电压VCEO:50V,电阻器-发射极基底(R2)(欧姆):10k,电流-集电极截止(最大值):500nA,封装/外壳:SMT,功率(W):3/10W,不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,5V,不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA,FET类型:NPN 免费样片申请
ROHM SML-P12Y3TT86RQ 光电子产品 齐纳电压Vz:6.65V,通道数:4,最大峰值脉冲功率Ppp:200W,反向电压Vr:3V,功率耗散Pd:200mW,FET类型:齐纳 免费样片申请
ROHM SML-P12U2TT86RR 光电子产品 高度:0.90mm,集电极—基极电压 VCBO:15V,集电极—发射极最大电压 VCEO:12V,长度:2.00mm,配置:Single,系列:UML6N,直流集电极/Base Gain hfe Min:270,直流电流增益 hFE 最大值:270at10mAat2V,最大直流电集电极电流:0.5A,工作温度:-55°C ~ 150°C,封装/外壳:SOT-323-3,宽度:1.25mm,增益带宽产品fT:320MHz,发射极 - 基极电压 VEBO:6V,功率(W):3/20W,FET类型:NPN 免费样片申请
ROHM SML-P12M2TT86RN 光电子产品 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度,正向电流If:100mA,正向电压Vf:350mV@10mA,工作温度-结:150°C(最大),反向电压Vr:30V,反向漏电流Ir:10µA @ 10V,FET类型:肖特基 免费样片申请
ROHM SML-P12Y2TT86RN 光电子产品 配置:Single Diode,正向电流If:2 A,正向电压Vf:0.49V,正向浪涌电流Ifsm:45 A,封装/外壳:SMD/SMT,反向电压Vr:30V,反向漏电流Ir:8 uA,反向浪涌电压Vrrm:30 V 免费样片申请
ROHM SML-811WTT86AAK 光电子产品 配置:1 对共阴极,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度,正向电流If:100mA,正向电压Vf:550mV@100mA,工作温度-结:125°C(最大),反向电压Vr:40V,反向漏电流Ir:30µA @ 10V,FET类型:肖特基 免费样片申请
ROHM SML-D12FWT86N1 光电子产品 配置:Single,速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io),系列:RF071MM2S,正向电流If:700 mA,正向电压Vf:780mV,正向浪涌电流Ifsm:15 A,工作温度-结:150°C(最大),反向电压Vr:200V,反向漏电流Ir:10 nA,反向恢复时间trr:12 ns,FET类型:标准 免费样片申请
ROHM SML-D22MUWT86MN 光电子产品 高度:0.50mm,集电极—射极饱和电压:-100V,集电极—基极电压 VCBO:-15V,集电极—发射极最大电压 VCEO:-12V,长度:1.2mm,配置:Single,系列:2SA2030,直流集电极/Base Gain hfe Min:270,直流电流增益 hFE 最大值:680,最大直流电集电极电流:-500mA,工作温度:-55°C ~ 150°C,封装/外壳:VMT-3,宽度:0.80mm,增益带宽产品fT:260MHz,发射极 - 基极电压 VEBO:-6V,功率(W):3/20W,FET类型:PNP 免费样片申请
ROHM SML-E12DWT86S 光电子产品 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io),正向电流If:1A,正向电压Vf:510mV@1A,工作温度-结:150°C(最大),反向电压Vr:40V,反向漏电流Ir:30µA @ 40V,FET类型:肖特基 免费样片申请
ROHM SML-812MTT86Q 光电子产品 齐纳阻抗Zz:8 0hms,齐纳电压Vz:5.95V,湿气敏感性等级(MSL):1(无限),工作温度:150°C(TJ),反向漏电流Ir:20µA @ 1.5V,功率耗散Pd:1W,偏差:±5.88% 免费样片申请
ROHM SML-A12WTT86R 光电子产品 频率 - 跃迁:150MHz,电阻器 - 基底(R1)(欧姆):4.7k,电流 - 集电极(Ic)(最大值):600mA,电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO),电压 - 集射极击穿(最大值):20V,封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3,功率(W):1/5W,不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):820 @ 50mA,5V,不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):150mV @ 2.5mA,50mA,FET类型:NPN - 预偏压 免费样片申请
ROHM SML-P11MTT86RG 光电子产品 齐纳电压Vz:4.924V,配置:Single,系列:KDZV 4.7B,稳压电流Izt:40 mA,封装/外壳:SMD/SMT,功率耗散Pd:1 W 免费样片申请
ROHM SML-P11DTT86RK 光电子产品 齐纳电压Vz:34.95V,工作温度:150°C,反向漏电流Ir:10µA @ 25V,功率耗散Pd:1W 免费样片申请
ROHM SML-A12UTT86R 光电子产品 齐纳电压Vz:25.31V,配置:Single,系列:KDZV 24B,稳压电流Izt:10 mA,封装/外壳:SMD/SMT,功率耗散Pd:1 W 免费样片申请
ROHM SML-M13DTT86T 光电子产品 高度(最大值):0.65mm,颜色:黄色,透镜颜色:白,透镜透明度:散射,透镜样式/尺寸:矩形,带平顶,1.20mm x 0.80mm,系列:SML-D15,电流-测试:20mA,电压-正向(Vf)(典型值):2.1V,波长-主:590nm,毫烛光等级:224mcd,封装/外壳:1608 免费样片申请
ROHM SML-M13UTT86S 光电子产品 高度(最大值):0.65mm,颜色:红色,透镜颜色:白,透镜透明度:散射,透镜样式/尺寸:矩形,带平顶,1.20mm x 0.80mm,系列:SML-D15,电流-测试:20mA,电压-正向(Vf)(典型值):2V,波长-主:615nm,毫烛光等级:140mcd,封装/外壳:1608 免费样片申请
ROHM SML-M13PTT86N 光电子产品 高度(最大值):0.65mm,颜色:黄绿,透镜颜色:白,透镜透明度:散射,透镜样式/尺寸:矩形,带平顶,1.20mm x 0.80mm,系列:SML-D15,电流-测试:20mA,电压-正向(Vf)(典型值):2.1V,波长-主:571nm,毫烛光等级:71mcd,封装/外壳:1608 免费样片申请
ROHM SML-M13VTT86R 光电子产品 高度(最大值):0.65mm,颜色:红色,透镜颜色:白,透镜透明度:散射,透镜样式/尺寸:矩形,带平顶,1.20mm x 0.80mm,系列:SML-D15,电流-测试:20mA,电压-正向(Vf)(典型值):2V,波长-主:630nm,毫烛光等级:90mcd,封装/外壳:1608 免费样片申请
ROHM SML-M13MTT86Q 光电子产品 齐纳电压Vz:6.8V,工作温度:150°C(TJ),反向电压Vr:3.5V,反向漏电流Ir:10µA,功率耗散Pd:500mW,偏差:±8.82% 免费样片申请
ROHM SML-M13YTT86T 光电子产品 齐纳电压Vz:5.1V,湿气敏感性等级(MSL):1(无限),工作温度:150°C(TJ),封装/外壳:2-SMD,反向漏电流Ir:10µA @ 1.5V,功率耗散Pd:500mW,偏差:±9.8% 免费样片申请
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