唯样电阻样片免费申请
发布时间:2020-05-18
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制造商 商品型号 分类 参数描述 免费申请
ROHM UMD3NTR 电阻 频率-跃迁:250MHz,集电极最大允许电流Ic:100mA,集电极_发射极击穿电压VCEO:50V,电阻器-基底(R1)(欧姆):10k,电阻器-发射极基底(R2)(欧姆):47K Ohms,电流-集电极截止(最大值):500nA,封装/外壳:EMT,功率(W):3/20W,不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值):68 @ 5mA,5V,不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA,FET类型:PNP 免费样片申请
ROHM UMX1NTN 电阻 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min):10V,连续漏极电流Id:0.25A,漏源极电压Vds:60V,栅极电压Vgs:±20V,工作温度:-55°C~150°C(TJ),封装/外壳:EMTF,不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):15pF @ 25V,不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.3V @ 1mA,Rds On(Max)@Id,Vgs:2.4 Ohms@250mA,10V,Pd-功率耗散(Max):150W(Tc),FET类型:N-Channel 免费样片申请
ROHM UMT1NTN 电阻 频率 - 跃迁:250MHz,电阻器 - 基底(R1):22 kOhms,电阻器 - 发射极基底(R2):47 kOhms,电流 - 集电极(Ic)(最大值):50mA,电流 - 集电极截止(最大值):500nA,电压 - 集射极击穿(最大值):50V,封装/外壳:VMT3,功率(W):3/20W,不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):80 @ 5mA,10V,不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA,FET类型:NPN - 预偏压 免费样片申请
ROHM IMZ1AT108 电阻 齐纳阻抗Zz:37 Ohm,齐纳电压Vz:13V,工作温度:-55°C~150°C,反向漏电流Ir:100nA @ 10V,功率耗散Pd:150mW,偏差:±2% 免费样片申请
ROHM SST4403T116 电阻 齐纳阻抗Zz:200 Ohm,齐纳电压Vz:30V,工作温度:-55°C~150°C,反向漏电流Ir:100nA @ 23V,功率耗散Pd:150mW,偏差:±3% 免费样片申请
ROHM DTC123JMT2L 电阻 齐纳阻抗Zz:150 Ohms,齐纳电压Vz:27V,工作温度:-55°C~150°C,反向漏电流Ir:100nA @ 21V,功率耗散Pd:150mW,偏差:±2% 免费样片申请
ROHM DTC143ZMT2L 电阻 齐纳阻抗Zz:42 Ohms,齐纳电压Vz:14.66V,工作温度:-55°C~150°C,反向漏电流Ir:100nA @ 11V,功率耗散Pd:150mW,偏差:±2% 免费样片申请
ROHM UMZ1NTR 电阻 齐纳阻抗Zz:120 Ohms,齐纳电压Vz:3.3V,工作温度:150°C,反向漏电流Ir:20µA @ 1V,功率耗散Pd:100mW 免费样片申请
ROHM UMG8NTR 电阻 频率 - 跃迁:360MHz,电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A,电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO),电压 - 集射极击穿(最大值):50V,工作温度:150°C(TJ),封装/外壳:MPT3,功率(W):1/2W,不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):180 @ 50mA,2V,不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):350mV @ 35mA,700mA,FET类型:NPN 免费样片申请
ROHM 2SAR522MT2L 电阻 速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io),正向电流If:100mA,正向电压Vf:490mV@100mA,工作温度-结:125°C(最大),反向电压Vr:30V,反向漏电流Ir:45µA @ 30V,FET类型:肖特基 免费样片申请
ROHM DTA144EETL 电阻 频率 - 跃迁:250MHz,电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47K Ohms,电流 - 集电极(Ic)(最大值):30mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50V,封装/外壳:SC-85,功率(W):1/5W,不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):80 @ 5mA,10V,不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA,FET类型:NPN - 预偏压 免费样片申请
ROHM DTC144EETL 电阻 齐纳电压Vz:6.8V,工作温度:150°C,封装/外壳:0201,反向漏电流Ir:500nA @ 3.5V,功率耗散Pd:100mW,偏差:±5% 免费样片申请
ROHM DTC114YUAFRAT106 电阻 齐纳电压Vz:51V,工作温度:150°C,反向漏电流Ir:1µA @ 39V,功率耗散Pd:200mW 免费样片申请
ROHM BC847BT116 电阻 齐纳阻抗Zz:30 Ohms,齐纳电压Vz:7.44V,工作温度:-55°C~150°C,反向漏电流Ir:500nA @ 4V,功率耗散Pd:200mW 免费样片申请
ROHM DTC114EETL 电阻 齐纳电压Vz:3V,工作温度:-55°C~150°C,功率耗散Pd:200mW 免费样片申请
ROHM 2SAR554P5T100 电阻 频率 - 跃迁:250MHz,电阻器 - 基底(R1)(欧姆):22k,电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47K Ohms,电流 - 集电极(Ic)(最大值):50mA,电流 - 集电极截止(最大值):500nA,电压 - 集射极击穿(最大值):50V,封装/外壳:SC-70,SOT-323,功率(W):1/5W,不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):68 @ 5mA,5V,不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA,FET类型:PNP - 预偏压 免费样片申请
ROHM 2SCR554P5T100 电阻 频率-跃迁:250MHz,集电极最大允许电流Ic:100mA,集电极_发射极击穿电压VCEO:50V,电阻器-发射极基底(R2)(欧姆):4.7k,电流-集电极截止(最大值):500nA,封装/外壳:UMT,功率(W):1/5W,不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值):30 @ 10mA,5V,不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA,FET类型:NPN 免费样片申请
ROHM MCR03EZPJ473 电阻 频率-跃迁:250MHz,集电极最大允许电流Ic:100mA,集电极_发射极击穿电压VCEO:50V,电阻器-发射极基底(R2)(欧姆):47K Ohms,电流-集电极截止(最大值):500nA,封装/外壳:UMT,不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值):68 @ 5mA,5V,不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA,Power-Max:200mW,FET类型:PNP,Current-Collector(Ic)(Max):30mA 免费样片申请
ROHM 2SAR533P5T100 电阻 频率 - 跃迁:250MHz,电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10k,电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA,电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO),电压 - 集射极击穿(最大值):50V,封装/外壳:SC-70,SOT-323,功率(W):1/5W,不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,5V,不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA,FET类型:NPN - 预偏压 免费样片申请
ROHM DTC023EMT2L 电阻 齐纳阻抗Zz:85 Ohms,齐纳电压Vz:20.39V,配置:Single,系列:EDZV 20B,稳压电流Izt:5 mA,工作温度:-55°C~150°C,封装/外壳:SMD/SMT,反向漏电流Ir:100nA,功率耗散Pd:150 mW 免费样片申请
ROHM DTC023JMT2L 电阻 高度-安装(最大值):0.026"(0.65mm),系列:MCR,端子数:2,电阻:100 Ohms,温度系数:±100ppm/°C,成分:厚膜,工作温度:-55°C ~ 155°C,封装/外壳:1206,功率(W):1/4W,偏差:±1% 免费样片申请
ROHM DTC043TMT2L 电阻 频率 - 跃迁:250MHz,电阻器 - 基底(R1)(欧姆):10k,电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47K Ohms,电流 - 集电极(Ic)(最大值):70mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50V,封装/外壳:SC-89,SOT-490,功率(W):3/20W,不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):80 @ 5mA,10V,不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA,FET类型:PNP - 预偏压 免费样片申请
ROHM DTC014EMT2L 电阻 频率 - 跃迁:250MHz,电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):100k,电流 - 集电极(Ic)(最大值):20mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50V,封装/外壳:SC-89,SOT-490,功率(W):3/20W,不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):80 @ 5mA,10V,不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):100mV @ 500µA,5mA,FET类型:NPN - 预偏压 免费样片申请
ROHM DTC014YMT2L 电阻 频率 - 跃迁:250MHz,电阻器 - 基底(R1)(欧姆):2.2k,电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47K Ohms,电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50V,封装/外壳:SC-89,SOT-490,功率(W):3/20W,不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):80 @ 5mA,10V,不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,5mA,FET类型:NPN - 预偏压 免费样片申请
ROHM 2SCR512P5T100 电阻 频率 - 跃迁:250MHz,电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):2.2k,电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50V,封装/外壳:SC-89,SOT-490,功率(W):3/20W,不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):20 @ 20mA,10V,不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):200mV @ 1mA,10mA,FET类型:NPN - 预偏压 免费样片申请
ROHM DTC014YUBTL 电阻 频率 - 跃迁:250MHz,电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):10k,电流 - 集电极(Ic)(最大值):50mA,电流 - 集电极截止(最大值):500nA,电压 - 集射极击穿(最大值):50V,封装/外壳:SC-85,功率(W):1/5W,不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):20 @ 5mA,5V,不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA,FET类型:PNP - 预偏压 免费样片申请
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