巧用双极型晶体管实现降压电路设计的最佳能效转换
发布时间:2020-01-13
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在驱动双极型晶体管时,基极 “驱动”电流和正向电流增益  (Β/hFE)将决定晶体管将吸纳多少电流。如果晶体管被单片机 I/O 端口驱动,使用端口电压和端口电流上限 (典型值 20  mA)来计算基极驱动电流。如果使用的是 3.3V 技术,应改用阻值较小的基极电流限流电阻,以确保有足够的基极驱动电流使晶体管饱和。

RBASE的值取决于单片机电源电压。公式1 说明了如何计算 RBASE。

如果将双极型晶体管用作开关,开启或关闭由单片机 I/O 端口引脚控制的负载,应使用最小的 hFE规范和裕度,以确保器件完全饱和。

3V 技术示例

对于这两个示例,提高基极电流留出裕度是不错的做法。将 1mA 的基极电流驱动至 2 mA 能确保饱和,但代价是提高了输入功耗。

 

 

文章来源于网络

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