导通损耗功率 Pcond = d * Vcesat(@Ic) * Ic,其中d为IGBT的导通占空比,Ic为实际流过IGBT的电流值,可能是个线性(硬开关)或非线性(LLC)的变化值,如果你追求精确可以用Ic(t)来表示,即随时间变化的Ic方程式。如果你嫌麻烦,可以用一次导通过程中的平均电流作为Ic,虽然有点误差,但是方便很多。Vcesat也是要用此实际导通电流下的饱和压降,千万别用成了IGBT额定电流的饱和压降。二极管同理。
对于SPWM逆变拓扑的计算方法,一般采用论文[D.Srajber, W. Lukasch: The calculation of the power dissipation for
the IGBT and the inverse diode in circuits with the sinusoidal output voltage; electronica ´92
Proceedings, pp. 51-58] 中介绍的方法,我就直接贴公式了,大家下载IPOSIM离线版的压缩包,里面有一个PDF文件介绍了这些计算公式。