上一篇文章继“去耦电容的有效使用方法”的要点1“使用多个去耦电容”之后，介绍了要点2“降低电容的ESL”。本文将介绍最后一个要点“其他注意事项”。 去耦电容的有效使用方法：其他注意事项 ①Q较高的陶瓷电容 电容具有被称为“Q”的特性。下图即表示Q和频率－阻抗特性之间的关系。 当Q值高时，阻抗在特定的窄带会变得非常低。当Q值低时，阻抗虽然不会极度下降，但可以在很宽的频段内降低。这种特性可能有助于符合某些EMC标准。例如，使用电容量变化较大的电容时，如果Q值很高，则可能存在无法消除目标频率噪声的个体。在这种情况下，还有一种通过使用具有低Q的电容来抑制波动影响的手法。 ②热风焊盘等的PCB图形 旨在提高散热性的热风焊盘等的PCB图形，图形的电感分量会增加。电感分量的增加会使谐振频率向低频端移动，所以有时可能无法获得理想的噪声消除效果。
③探讨对策时的电容试装 试制后需要对高频噪声采取对策，可以考虑增加小容量的电容器。此时，如下图所示，如果在大容量电容器上安装要增加的电容器（左例），则纵向会增加额外的电感分量，因此不能充分发挥增加电容器的效果。在中间的例子中，虽然未违背“尽可能使小容量电容靠近噪声源”的理论，但阻抗会与实际修改的PCB布局不同。最好的方法是以尽量接近实际修改的配置进行探讨（右例）。 在探讨对策时，也可能会发生虽然噪声试验OK，但安装到修改后的PCB时NG的现象，因此需要在探讨时就有意识地按照实际来安装。 ④电容的电容量变化率 噪声对策用的电容的电容量变化率较大时，谐振频率的波动会变大，目标消减频段会产生变化或波动，有时很难找到理想的噪声对策。尤其是需要在窄频段大幅消除噪声时，需要格外注意。下表表示电容量变化率和实际的电容量和谐振频率之间的关系。仔细看这个表的话可以看出，虽然视条件而定，不过很多情况是无法接受的。 电容量变化率（%） 电容量（pF） 谐振频率（MHz）
+20 1,200 145
+10 1,100 152
+5 1,050 155
±0 1,000 159
-5 950 163
-10 900 168
-20 800 178 ※ 按L=1nH计算 ⑤电容器的温度特性 众所众知，电容的特性会受温度影响。目前，EMC测试的温度特性尚未标准化，但在某些应用中，不得不在明显的高温或低温条件/环境下工作、或在会产生较大温度变化的条件/环境下使用。 在这类情况下，非常有可能发生“④电容量变化率”中提到的问题，所以，用于噪声对策的电容，需要尽量使用具有CH、C0G特性的温度特性优异的产品。 关键要点:・理解Q与频率－阻抗特性之间的关系，并根据目的区分Q的差异。 ・高Q电容窄带阻抗急剧下降。低Q电容在较宽频段相对平缓下降。 ・PCB图形的热风焊盘等会增加电感分量，使谐振频率向低频端移动。 ・探讨对策时的试装，如果不按照现实的修改实际安装，很可能在修改后的PCB板上无法获得探讨时的效果。 ・电容量变化率大时，谐振频率会变化，无法获得目标频率理想的噪声消除效果。 ・在温度条件和变动较大的严苛应用中，可以探讨使用具有CH、C0G特性的温度特性优异的电容。
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发表于 2019-8-15 10:01:32
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