MOSFET

• 英飞凌为汽车应用推出业内导通电阻最低的 80 V MOSFET OptiMOS™ 7
  

  英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出其最新先进功率MOSFET 技术—— OptiMOS™ 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显著提高，和采用通用且稳健的高电流SSO8 5 x 6 mm² SMD封装。这款OptiMOS™ 7 80 V产品非常适合即将推出的 48 V板网应用。它专为满足高要求汽车应用所需的高性能、高质

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  04/15 07:06

  英飞凌 MOSFET
• MOS管参数解析及国内外大厂技术对比
  

  MOSFET的单位面积导通电阻和优值系数(FOM)参数代表了MOSFET的性能，是各大MOSFET厂商产品参数展示的关键指标，也是体现MOSFET芯片制造工艺核心技术能力的关键指标。

  老虎说芯

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  04/11 15:29

  MOSFET
• 英飞凌推出业界首款用于电信基础设施的宽输入电压热插拔控制器XDP700-002
  

  英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出了业界首款-48 V宽输入电压数字热插拔控制器XDP700-002，扩展了其XDP™数字功率保护控制器系列。这款控制器具有专为电信基础设施设计的可编程安全工作区域（SOA）控制功能，以及不超过±0.7%的超低电流报告误差，能提高系统故障检测和报告的准确性。此外，该产品还采用升压模式控制技术，可在非最佳SOA系统中更安全地开

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  04/10 17:19

  英飞凌 MOSFET
• 非同步降压控制器▪简介
  

  高边开关使用P-MOSFET的优点是，驱动电路简单，不需要自举电路，所以成本更低（可以节省自举电路成本）。但缺点是，在相同的其他电路参数下，P-MOSFET的导通电阻RDS(ON)比N-MOSFET的大，导致的导通损耗大，转换效率稍低。TPS64203DBVR非同步降压控制器需要外置高边开关管P-MOSFET和续流二极管，而且该器件仅能驱动P-MOSFET。

  电源先生公众号

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  04/07 11:50

  MOSFET 降压控制器
• 意法半导体车规MDmesh DM9超结MOSFET提升硅片能效
  

  STPOWER MDmesh DM9 AG系列的车规600V/650V超结 MOSFET为车载充电机(OBC)和采用软硬件开关拓扑的DC/DC转换器应用带来卓越的能效和鲁棒性。 这些硅基晶体管具有出色的单位芯片面积导通电阻RDS(on)和非常低的栅极电荷，兼备很低的能量损耗和优异的开关性能，同时，品质因数成为新的市场标杆。与上一代产品相比，意法半导体最新的MDmesh DM9 技术确保栅源阈值电压

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  03/29 16:24

  二极管 意法半导体
• AMEYA360 | MOSFET器件选型考虑哪些因素？4大法则搞定MOSFET器件选型
  功率MOSFET恐怕是工程师们最常用的器件之一了，但你知道吗?关于MOSFET的器件选型要考虑方方面面的因素，小到选N型还是P型、封装类型，大到MOSFET的耐压、导通电阻等，不同的应用需求千变万化，下面这篇文章总结了MOSFET器件相关选型法则，相信看完你会大有收获。

  AMEYA360电子元器件供应平台

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  03/26 08:24

  MOSFET 功率MOSFET
• 英飞凌全新CoolSiC™ MOSFET 750 V G1产品系列推动汽车和工业解决方案的发展
  

  英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出750V G1分立式CoolSiC™ MOSFET，以满足工业和汽车功率应用对更高能效和功率密度日益增长的需求。该产品系列包含工业级和车规级SiC MOSFET，针对图腾柱 PFC、T型、LLC/CLLC、双有源桥（DAB）、HERIC、降压/升压和移相全桥（PSFB）拓扑结构进行了优化。这些MOSFET适用于典型的工

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  03/14 17:49

  英飞凌 MOSFET
• 英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC™ MOSFET G2， 推动低碳化的高性能系统
  

  英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，开启功率系统和能量转换的新篇章。与上一代产品相比， 英飞凌全新的CoolSiC™ MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技术在确保质量和可靠性的前提下，将MOSFET的主要性能指标（如能量和电荷储量）提高了20%，不仅提升了整体能效，更进一步推动了低碳

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  03/12 13:23

  英飞凌 MOSFET
• 意法半导体推出灵活多变的同步整流控制器，提高硅基或氮化镓功率转换器能效
  

  意法半导体 SRK1004 同步整流控制器降低采用硅基或 GaN 晶体管的功率转换器的设计难度，提高转换能效，目标应用包括工业电源、便携式设备充电器和 AC/DC适配器。 SRK1004的检测输入能够承受高达190V 的电压，可以连接高低边功率开关管。共有四款产品供用户选择，仅器件选型就可以让用户优化应用设计，通过选择5.5V或 9V的栅极驱动电压，可以在设计选用理想的逻辑电平 MOSFET、标准

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  03/07 14:02

  意法半导体 控制器
• 如何利用碳化硅打造下一代固态断路器
  

  如今，碳化硅 (SiC) 器件在电动汽车 (EV) 和太阳能光伏 (PV) 应用中带来的性能优势已经得到了广泛认可。不过，SiC 的材料优势还可能用在其他应用中，其中包括电路保护领域。本文将回顾该领域的发展，同时比较机械保护和使用不同半导体器件实现的固态断路器 (SSCB) 的优缺点。最后，本文还将讨论为什么 SiC 固态断路器日益受到人们青睐。 保护电力基础设施和设备 输配电系统以及灵敏设备都需

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  03/05 15:13

  碳化硅 MOSFET
• 四通道 40V 50mΩRDS智能高侧开关芯片反向电流保护及电荷泵
  

  PC8845/G是四通道、高侧功率具有集成NMOS功率FET的开关，以及电荷泵。该设备集成了高级保护功能，例如负载电流限制，通过功率限制进行过载主动管理可配置闩锁关闭的超温停机。全面诊断和高精度电流感应这些功能实现了对负载的智能控制。在里面电池状况相反，PC8845需要外部接地二极管，用于阻挡来自接地的反向电流到电池。而PC8845G不需要这样的接地二极管。

  集芯微电科技

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  03/05 07:43

  MOSFET 高边开关
• Nexperia在APEC 2024上发布拓宽分立式FET解决方案系列
  

  Nexperia再次在APEC上展示产品创新，今天宣布发布几款新型MOSFET，以进一步拓宽其分立开关解决方案的范围，可用于多个终端市场的各种应用。此次发布的产品包括用于PoE、eFuse和继电器替代产品的100 V 应用专用MOSFET (ASFET)，采用DFN2020封装，体积缩小60%，以及改进了电磁兼容性(EMC)的40 V NextPowerS3 MOSFET PoE交换机通常有多达4

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  02/29 16:14

  MOSFET Nexperia
• 萨科微半导体推出SL40T120FL系列等新产品
  

  深圳市萨科微半导体有限公司一直研究新材料新工艺，不断推出新产品，驱动公司不断发展。最近萨科微推出SL40T120FL系列IGBT单管，和CMOS运算放大器SLA333等产品，为新能源汽车、太阳能光伏、交流电机、变频器、开关电源和工业伺服器行业客户服务。总经理宋仕强介绍，萨科微slkor技术团队由中国清华大学和韩国延世大学专家组成，较早掌握碳化硅高电压MOS管生产技术，于2022年获授“国家高新技术

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  02/29 07:10

  连接器 MOSFET
• 轻松了解功率MOSFET的雪崩效应
  

  根据电路条件不同，在雪崩、MOSFET漏极或源极中，电流范围可从微安到数百安。 额定击穿电压，也可称之为“BV”，通常是在给定温度范围（通常是整个工作结温范围）内定义的MOSFET器件的最小阻断电压（例如30V）。数据表中的BVdss值是在低雪崩电流（通常为250μA或1mA）和结温=25°C时测得的器件雪崩电压。数据表中通常也提供结温范围内的BVdss数据或BVdss温度系数。值得注意的是，功率MOSFET雪崩电压是结温和雪崩电流的强函数。

  安森美半导体

  2003

  02/23 10:30

  MOSFET
• 东芝推出新一代DTMOSVI高速二极管型功率MOSFET，助力提高电源效率
  

  东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，在新一代[1]具有超结结构的DTMOSVI系列中推出高速二极管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），该系列适用于包括数据中心和光伏功率调节器等应用的开关电源。首批采用TO-247封装的两款650 V N沟道功率MOSFET产品“TK042N65Z5”和“TK095N65Z5”，于今日开始支持批量出货。 新产品采用高速二极管，旨在改善桥式

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  02/22 18:09

  MOSFET 东芝
• 顶部散热还是底部散热，哪种方式更适合高功率降压转换？
  

  之前我们分享了高功率降压转换的散热评估测试原理概述，对比了三种不同配置下电路板热性能。今天将为大家重点介绍在设计高输出功率预调节器时使用散热片的效果。

  安森美半导体

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  02/22 14:00

  MOSFET 降压转换器
• Vishay推出采用PowerPAK® 1212-F封装的TrenchFET第五代功率MOSFET
  

  器件采用中央栅极结构3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-F封装，提高系统功率密度，改进热性能 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出多功能新型30V n沟道TrenchFET® 第五代功率MOSFET---SiSD5300DN，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度，增强热性能。Vish

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  02/20 15:24

  服务器 MOSFET
• Diodes 公司推出双通道高侧开关为汽车应用提供耐用的保护功能
  

  Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 推出首款符合汽车标准的双通道高侧电源开关 — ZXMS82090S14PQ、ZXMS82120S14PQ 和 ZXMS82180S14PQ，进一步扩展其 IntelliFET® 自我保护型 MOSFET 产品组合。这些智能开关以紧凑的尺寸提供高功率，同时提供耐用的保护和诊断功能。此系列专为驱动 12V 车用装置负载设计，如汽车车身控

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  01/31 15:57

  led MOSFET
• 贸泽科普实验室 | 据说这三个器件关系不一般
  

  在现代电子中，三极管、MOSFET（以下简称MOS管）、IGBT是电子人口中的“常客”，但很多人可能一知半解，或只知其一不知其二，尤其是电子新手，接下来跟着我们重新认识一下他们吧——三极管VS MOSFET VS IGBT。

  贸泽电子

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  1评论

  01/31 12:30

  MOSFET IGBT
• 均衡电流，实现车规智能驱动器的最佳性能
  

  在汽车电源管理系统中做分布式智能设计时，对于智能功率开关，确保保护机制是否真正实现了智能至关重要，尤其是在涉及多通道驱动器的场景中，因为即使是轻微的电流失衡或意外的负载短路都会影响保护效果。 智能驱动器在管理和分配汽车电池包到各种组件（ECU、电机、车灯、传感器等）方面发挥着关键作用，这些多通道驱动器同时控制不同的电气负载，例如，电阻式执行器、电感式执行器和电容式执行器。所有通道的电流都保持均衡对

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  01/29 17:05

  MOSFET 电源管理

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