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Transphorm被收,GaN公司寥寥无几了
1月11日,瑞萨电子收购Transphorm消息一出,后者股价高开高走,收盘大涨25.86%。这种情况并不多见,可见市场投资者认知惊人的一致。反观瑞萨股价,由于已在高位,并没有大涨。
TechSugar
3778
01/16 14:20
GaN
Transphorm
瑞萨电子宣布收购Transphorm,拓展氮化镓版图
1月11日,瑞萨电子宣布与全球氮化镓(GaN)功率半导体供应商Transphorm达成最终协议。根据协议,瑞萨子公司将以每股5.10美元现金收购Transphorm所有已发行普通股,该公司估值约为3.39亿美元。
中国电子报
2147
01/15 10:10
氮化镓
Transphorm
Transphorm为何会被瑞萨电子选中?
1月11日,瑞萨电子与Transphorm共同宣布双方已达成最终收购协议,根据该协议,瑞萨子公司将以每股5.10美元现金收购Transphorm所有已发行普通股,此次交易对Transphorm的估值约为3.39亿美元(约24.27亿人民币)。
化合物半导体市场
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01/15 13:10
Transphorm
Transphorm携手Allegro MicroSystems提升大功率应用中氮化镓电源系统性能
全球领先的氮化镓(GaN)功率半导体供应商 Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN)宣布与为运动控制和节能系统提供电源及传感半导体技术的全球领先企业Allegro MicroSystems, Inc.(Allegro)(Nasdaq: ALGM)开展合作,使用Transphorm 的 SuperGaN® 场效应晶体管和Allegro的AHV85110隔离式栅极驱动器,针对大功率应用扩展氮化镓电源系统设计。
与非网编辑
2409
2023/12/07
栅极驱动器
Transphorm
Transphorm推出顶部散热型TOLT封装FET器件
代表着下一代电源系统未来的,氮化镓(GaN)功率半导体的全球领先供应商 Transphorm, Inc.(纳斯达克股票代码:TGAN)近日宣布新推出一款TOLT封装形式的SuperGaN® FET。新产品TP65H070G4RS 晶体管的导通电阻为72毫欧,为业界首个采用JEDEC标准(MO-332)TOLT封装的顶部散热型表面贴装氮化镓器件。针对不适合使用传统底部散热型表贴器件的系统,TOLT封装为客户提供了更为灵活的热管理方案。
与非网编辑
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2023/11/29
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Transphorm
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