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GaN

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氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器（Diode-pumped solid-state laser）的条件下，产生紫光（405nm）激光。2014年，日本名古屋大学和名城大学教授赤崎勇、名古屋大学教授天野浩和美国加州大学圣塔芭芭拉分校教授中村修二因发明蓝光LED而获得当年的诺贝尔物理奖。

氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器（Diode-pumped solid-state laser）的条件下，产生紫光（405nm）激光。2014年，日本名古屋大学和名城大学教授赤崎勇、名古屋大学教授天野浩和美国加州大学圣塔芭芭拉分校教授中村修二因发明蓝光LED而获得当年的诺贝尔物理奖。收起

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  • 氮化镓的高功率时代，渐行渐近
    氮化镓的高功率时代，渐行渐近
    氮化镓（GaN）作为一种先进的第三代半导体材料，以其优异的特性，在射频器件、光电器件、功率器件等领域展现出强大的竞争力和发展潜力。尤其在功率器件方面，近年来氮化镓已实现显著的商业化进展，其应用已经不再局限于PD快充等消费电子，而是向高功率市场持续推进。 D-mode GaN在高功率市场的优势 提到氮化镓功率器件，就不得不提到其主要的两种技术路线，按照栅极特性差异，氮化镓分为常开的耗尽型（D-mod
    1514
    04/20 10:30
    GaN
  • 25亿、1万台！国内新增GaN充电桩项目
    25亿、1万台！国内新增GaN充电桩项目
    近日，国内新增了一个氮化镓汽车充电桩项目，项目总投资超25亿元！4月16日，据“喀左融媒”消息，叁奇镓氮化镓超高速新能源汽车充电桩和光储充一体数字高速充电站智造项目生产启动仪式在辽宁省朝阳市大城子街道举行，相关单位主要负责人以及企业和施工方代表参加项目生产启动仪式。
    738
    04/18 08:44
    GaN 充电桩
  • 发力GaN射频市场，两家厂商达成跨国合作！
    发力GaN射频市场，两家厂商达成跨国合作！
    场虽不如SiC市场火热，但今年以来行业内动作也不少，既反映了GaN市场格局处于调整期的事实，也透露出GaN厂商在各应用市场稳步前行的信号。
    562
    04/17 09:00
    GaN GaN射频器件
  • 江西GaN企业被拍卖，估值或超1亿
    此前，报道了2家国外氮化镓企业的倒闭状况，近日，我们发现国内也有一家氮化镓企业宣告拍卖。4月6日，赣州沃泰芯半导体科技有限公司管理人发布了“关于赣州沃泰芯半导体科技有限公司重整投资人招募竞价公告”，竞标项目为沃泰芯半导体旗下主要资产，起拍价约为0.76亿，起拍时间为5月4日上午10点至5月5日上午10点。
    582
    04/16 08:33
    GaN 氮化镓
  • 8英寸GaN上市公司或+1！
    自2023年英飞凌收购GaN Systems以来，氮化镓（GaN）领域的竞争格局便开始发生变化，在近一年多起出售、并购、倒闭案出现之后，市场动荡的局面达到了一个新的高点，并且目前仍在发酵中。近日，又有一家公司宣布拟调整GaN业务，但值得注意的是，此消息背后隐藏着积极的信号。
    642
    04/15 20:42
    GaN
  • 梁剑波教授：金刚石是GaN最好的朋友！实现GaN与金刚石的直接键合，有望解决半导体发热问题
    梁剑波教授：金刚石是GaN最好的朋友！实现GaN与金刚石的直接键合，有望解决半导体发热问题
    自从2012年梁剑波教授加入大阪市立大学（2020年，大阪市立大学和大阪府立大学进行合并，更名为日本大阪公立大学）以来，“GaN/金刚石/Ga2O3、键合工艺、界面研究、异质结、界面热阻、热管理……”成为其主页标签。
    1005
    04/09 10:10
    GaN 散热
  • 11.6亿！2个GaN项目将竣工/开工
    近期，国内又新增2个GaN项目动态：井冈山经开区：GaN项目投资11.6亿，计划今年10月竣工验收；穿越光电材料：GaN项目已立项备案，产能达10万吨。
    610
    03/27 07:10
    GaN
  • 四种将被氮化镓革新电子设计的中压应用
    四种将被氮化镓革新电子设计的中压应用
    随着技术的迅速发展，人们对电源的需求亦在不断攀升。为了可持续地推动这一发展，太阳能等可再生能源被越来越多地用于电网供电。同样，为了实现更快的数据处理、大数据存储以及人工智能 (AI)，服务器的需求也在呈指数级增长。鉴于这些趋势，设计人员面临着一项重大挑战：如何在持续提升设计效率的同时，在相同的尺寸内实现更高的功率。
    1167
    03/20 16:56
    放大器 GaN
  • 全球GaN最新应用进展！
    全球GaN最新应用进展！
    自2018年10月25日，Anker发布全球首款GaN充电器，将GaN正式引入消费电子领域以来，短短几年间，各大GaN厂商纷纷涉足相关产品。当前，GaN消费电子产品市场已是一片红海，竞争日趋激烈。面对GaN在消费电子领域应用现状，相关企业开始寻求新的增量市场，GaN技术应用由此逐步向新能源汽车、光伏、数据中心等其他应用场景延伸。GaN的特殊价值，正在消费电子之外的多个领域持续释放。
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    03/19 10:20
    数据中心 GaN
  • GaN冰火两重天：出售倒闭 VS 扩产降本
    GaN冰火两重天：出售倒闭 VS 扩产降本
    作为第三代半导体的翘楚，氮化镓早已是企业跑马圈地的重点赛道。而在近期，这一赛场风云不断，砥砺前行者有之，中途撤场者亦有之。3月13日，美国垂直GaN器件厂商Odyssey官宣出售公司资产。据悉，Odyssey已与客户签署最终协议，将以952万美元（约合人民币0.67亿）现金，将其大部分资产出售给一家大型半导体公司，目前买家信息处于保密状态。
    1363
    03/18 13:10
    GaN 氮化镓
  • 近1亿！这家GaN企业也被收购
    近1亿！这家GaN企业也被收购
    最近，GaN行业风波不断，多家企业倒闭或被收购，昨日，又有一家GaN企业宣布出售公司资产，具体情况如何？3月13日，美国垂直GaN器件厂商Odyssey在官网宣布，他们已与客户签署最终协议，将以 952 万美元（约合人民币0.67亿）现金，将其大部分资产出售给一家大型半导体公司，目前买家信息处于保密状态。
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    03/16 11:25
    GaN 晶圆厂
  • 应用材料公司在华40周年 携精彩主题演讲亮相SEMICON China 2024
    2024年时逢应用材料公司在华40周年，应用材料公司将继续参加3月20-22日在上海举行的SEMICON China。同时，集成电路科学技术大会（CSTIC）2024也将于3月17-18日在上海举办。应用材料公司将在两场盛会中发表多场主题演讲并展示多篇学术海报。 伴随时代发展，半导体已成为电子信息产业发展的基石，也是电子设备的核心组成部分，广泛应用于通信、物联网、计算机、汽车等产业。“早在几年前，
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    半导体设备 GaN
  • 面向数据中心、光伏和车载市场，TI推出100V 集成GaN功率级
    面向数据中心、光伏和车载市场，TI推出100V 集成GaN功率级
    LMG2100R044和LMG3100R017这两款100V GaN 功率级已量产，同时TI为其提供了丰富的参考设计，覆盖微逆系统、数字中心设计和车载 48V 转 12V 等应用。
    2220
    03/14 10:57
    与非观察 电源
  • 英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC™ MOSFET G2， 推动低碳化的高性能系统
    英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC™ MOSFET G2， 推动低碳化的高性能系统
    英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，开启功率系统和能量转换的新篇章。与上一代产品相比， 英飞凌全新的CoolSiC™ MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技术在确保质量和可靠性的前提下，将MOSFET的主要性能指标（如能量和电荷储量）提高了20%，不仅提升了整体能效，更进一步推动了低碳
    1543
    03/12 13:23
    英飞凌 MOSFET
  • 英飞凌携手Worksport利用氮化镓降低便携式发电站的重量和成本
    英飞凌携手Worksport利用氮化镓降低便携式发电站的重量和成本
    英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）宣布与Worksport Ltd.（Nasdaq代码：WKSP；WKSPW）合作，共同利用氮化镓（GaN）降低便携式发电站的重量和成本。Worksport将在其便携式发电站转换器中使用英飞凌的GaN功率半导体GS-065-060-5-B-A提高效能和功率密度。在采用英飞凌GaN晶体管后，该功率转换器将变得更轻、更小，系统成本也
    1550
    03/11 16:14
    英飞凌 GaN
  • 6吋！3家企业公布GaN单晶技术新进展
    6吋！3家企业公布GaN单晶技术新进展
    近期，国内外多家GaN单位在氮化镓单晶扩径上取得突破：● 丰田合成、大阪大学等：已成功制备高质量6英寸GaN衬底，并开发了8吋长晶设备。● 镓数：已顺利生产4吋氮化镓单晶衬底，正在攻克6吋及更大尺寸的单晶生长。● 住友化学：4英寸GaN衬底已量产，6吋衬底正在开发中。
    1904
    03/10 08:25
    GaN 单晶
  • 8吋、40亿...5个GaN项目公布新进展
    8吋、40亿...5个GaN项目公布新进展
    近期，“行家说三代半”观察到，国内外又新增4个GaN项目相关动态：● 德州仪器：GaN工艺向8英寸过渡，美国/日本工厂正在改装产线；● 新微半导体：投资30亿建新项目，或用于GaN晶圆代工；● 麦斯克：新建6英寸GaN外延用衬底项目，入选省重点专项清单；● 立国芯：SiC/GaN项目实现规模量产，每小时下线2.5万颗。
    1925
    03/07 08:42
    GaN
  • 德州仪器转型8英寸GaN工艺
    德州仪器转型8英寸GaN工艺
    德州仪器（TI）近日披露了在GaN功率器件工艺方面新的战略规划，该公司正在将其GaN-on-Si生产工艺从6英寸向8英寸过渡。
    1781
    03/07 10:10
    GaN
  • 募资近22亿！这家国内GaN企业即将IPO？
    募资近22亿！这家国内GaN企业即将IPO？
    就在刚刚，据《路透社》旗下IFR最新消息，英诺赛科计划最早于今年内在香港进行IPO，融资规模约3亿美元（约21.6亿人民币）。目前，英诺赛科正与中金公司和招银国际就上市事宜进行合作。英诺赛科成立于2015年，是全球领先的氮化镓IDM企业。今年2月初，英诺赛科公布了2023年出货量等一系列成果——截止12月，英诺赛科氮化镓出货量突破5亿颗，市占率全球第一。
    1586
    03/06 08:39
    GaN IPO
  • 又一GaN企业即将倒闭，原因是？
    又一GaN企业即将倒闭，原因是？
    前段时间，美国一家GaN企业倒闭，前天，又有一家GaN企业也濒临倒闭，什么原因？2月29日，据多家外媒报道，位于新加坡的射频GaN芯片供应商Gallium Semiconductor（“加联赛”）即将解散。据悉，关闭“加联赛”并解散所有员工的决定，来自于投资公司Gaas Labs 。据“加联赛”半导体发言人表示，“这是最令人遗憾的，我们的许多员工、客户和合作伙伴仍然对这个突然的决定感到震惊。” 
    1534
    03/04 12:30
    GaN

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