3D NAND_3D NAND是什么意思

最近，铠侠首席技术官 (CTO) Hidefumi Miyajima表示，计划将在2031年批量生产超过 1,000 层的 3D NAND 存储器。不少人感叹，NAND终究是卷到了1000层。其实，在去年的IEEE论坛上，三星也提出了类似的观点，预测到2030年将出现1000层NAND。1000层NAND，是“勇者”的游戏。

半导体产业纵横

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04/23 09:30

NAND 3D NAND

闪存大会上几个好消息

每年春天，半导体产业最让人期待的盛会莫过于闪存大会和SEMICON。今天来聊聊闪存大会（CFMS | MemoryS 2024）。3月20日，2024年闪存大会在深圳前海举行，大会汇集了全球三大存储原厂以及众多产业链企业。据主办方透露，今年大会总参与企业超过1500家，预计到场人数超过4000人。

芯师爷

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03/25 08:40

闪存 3D NAND

千亿美元蛋糕！3D DRAM分食之战悄然开局

从目前公开的DRAM（内存）技术来看，业界认为，3D DRAM是DRAM技术困局的破解方法之一，是未来内存市场的重要发展方向。3D DRAM与3D NAND是否异曲同工？如何解决尺寸限制等行业技术痛点？大厂布局情况？

全球半导体观察

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01/31 16:22

dram 内存

使用SEMulator3D进行虚拟工艺故障排除和研究

SEMulator3D 工艺建模在开发早期识别工艺和设计问题，减少了开发延迟、晶圆制造成本和上市时间现代半导体工艺极其复杂，包含成百上千个互相影响的独立工艺步骤。在开发这些工艺步骤时，上游和下游的工艺模块之间常出现不可预期的障碍，造成开发周期延长和成本增加。本文中，我们将讨论如何使用 SEMulator3D®中的实验设计 (DOE) 功能来解决这一问题。在 3D NAND 存储器件的制造中，有