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晶体管

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晶体管（transistor）是一种固体半导体器件（包括二极管、三极管、场效应管、晶闸管等，有时特指双极型器件），具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关（如Relay、switch）不同，晶体管利用电信号来控制自身的开合，所以开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可达100GHz以上。

晶体管（transistor）是一种固体半导体器件（包括二极管、三极管、场效应管、晶闸管等，有时特指双极型器件），具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关（如Relay、switch）不同，晶体管利用电信号来控制自身的开合，所以开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可达100GHz以上。收起

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    英特尔在IEDM 2023（2023 IEEE 国际电子器件会议）上展示了多项技术突破，为其未来的制程路线图提供了丰富的创新技术储备，充分说明了摩尔定律仍在不断演进。具体而言，英特尔研究人员在大会上展示了结合背面供电和直接背面触点（direct backside contacts）的3D堆叠CMOS晶体管，分享了近期背面供电研发突破的扩展路径（如背面触点），并率先在同一块300毫米晶圆上，而非封装中，成功实现了硅晶体管与氮化镓（GaN）晶体管的大规模单片3D集成。
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    选型IGBT（绝缘栅双极晶体管）是电子设备设计中的重要任务，因为正确的IGBT选择对于设备性能和可靠性至关重要。本文将介绍如何选择适合您应用的IGBT，并解释IGBT的关键特性以及如何阅读IGBT的数据表。
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    2023/11/22
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    晶体管 FinFET
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    2023/09/29
    集成电路 晶体管
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    Intel断言没戏的碳基晶体管来了
    近日，北京大学彭练矛院士、张志勇教授团队制造出了一款基于阵列碳纳米管的90nm碳纳米管晶体管，其具备高度集成能力。这意味着在90nm及以下技术节点数字集成电路中碳纳米管半导体具备一定的应用潜力，也为进一步探索全碳基集成电路提供了深入见解。相关成果已发表在《Nature Electronics》上。
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    2023/09/21
    晶体管 碳基材料
  • 如何有效利用氮化镓提高晶体管的应用？
    晶体管，无论是由硅还是氮化镓制成，都不是理想的器件，有两个主要因素导致其效率下降（在简化模型中）：一个是串联电阻，称为 RDS（ON），另一个是并联电容器称为 COSS。这两个晶体管参数限制了电源的性能。 GaN是一种新技术，设计人员可以利用它来减少由于晶体管特性差异而对功率性能的影响。在所有晶体管中，随着 RDS(ON) 减小，芯片尺寸增大，从而导致寄生 COSS 增大。在 GaN 晶体管中，COSS 增加与 RDS(ON) 减少的比率要低一个数量级。
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    2023/09/13
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  • 意法半导体1350V新系列IGBT晶体管提高耐变性和能效
    意法半导体1350V新系列IGBT晶体管提高耐变性和能效
    意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V，最高工作温度拓宽到175°C，更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。
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  • 3D DRAM时代即将到来，泛林集团这样构想3D DRAM的未来架构
    3D DRAM时代即将到来，泛林集团这样构想3D DRAM的未来架构
    3D DRAM技术有望成为推动DRAM微缩的关键因素。单位存储单元面积和电容器尺寸（长度）之间的适当平衡需要通过各种工艺/设计优化来确定，就如上述的这些方案。 通过虚拟加工新架构设计的原型，测试不同存储密度下的不同DRAM设计方案，并为可以帮助制造未经测试器件技术的单位工艺提升规格要求，SEMulator3D可以在制造中发挥重要作用。 这项研究是未来技术评估的起点，有助于确定详细的工艺和设备规格要求、可制造性和良率分析，并因此助力工艺可用性和变异性、技术性能以及面积和成本方面的分析。
    4396
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    存储器 dram
  • 意法半导体量产PowerGaN器件，让电源产品更小巧、更清凉、更节能
    意法半导体量产PowerGaN器件，让电源产品更小巧、更清凉、更节能
    意法半导体宣布已开始量产能够简化高效功率转换系统设计的增强模式PowerGaN HEMT(高电子迁移率晶体管)器件。STPOWER™ GaN晶体管提高了墙插电源适配器、充电器、照明系统、工业电源、可再生能源发电、汽车电气化等应用的性能。
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  • 不同类型的晶体管及其功能
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    晶体管
  • 意法半导体高集成度高压驱动器缩小高性能超声波扫描仪尺寸，简化设计
    意法半导体高集成度高压驱动器缩小高性能超声波扫描仪尺寸，简化设计
    意法半导体 STHV200超声波 IC单片集成线性驱动器、脉冲驱动器与钳位电路、开关和诊断电路，简化医用和工业用扫描仪设计，缩减尺寸，降低物料成本。 STHV200的线性驱动输出电流3A，脉冲驱动输出电流2A，主要用于驱动高级推车式医学超声诊断仪、工业无损检测 (NDT) 设备和压电变送器。线性驱动和脉冲驱动电路各自有两个通道，共用一个高压输出节点，方便用户根据应用灵活地选择最适合的输出。STHV
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    2023/07/18
    意法半导体 晶体管
  • 晶体管的第一个76年：变小了，却变大了？
    晶体管的第一个76年：变小了，却变大了？
    1947年，当John Bardeen、Walter Brattain和William Shockley成功制造出了世界上第一个能正常工作的晶体管时，他们未曾想到，晶体管如今会成为电子产品的最重要组成部分。晶体管被誉为20世纪最伟大的发明之一，它改进了真空管在功耗和尺寸方面的缺陷，为电子设备的发展奠定了基础，也为人们带来了便捷高效的数字化生活。
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    晶体管
  • 晶体管，到底是谁发明的？
    大家新年好，我是小枣君。
    1935
    2023/01/31
    晶体管
  • 后FinFET时代的继任者
    2011年，英特尔推出商业化的FinFET（鳍式场效晶体管）工艺技术，将FinFET技术应用到了自家的22nm制程工艺上，显著提高了性能并降低了功耗。之后台积电、三星等全球各大厂商陆续跟进，采用 FinFET 技术取得了巨大成功，使得FinFET大放异彩。 之后为了提高晶体管性能并进一步减小面积，FinFET体系结构也进行了持续的改进，从16/14nm开始，FinFET成为了半导体器件的主流选择，
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    2022/12/26
    英特尔 晶体管
  • 芯片科普 | 学模拟IC必须掌握什么？
    初入行或者还没入行的同学，只是模糊地知道模拟难度要大于数字，但是对于模拟设计的具体内容和难度却并不清楚。
    2068
    2022/12/18
    晶体管 模拟IC
  • 英特尔继续推进摩尔定律，为在2030年打造出万亿晶体管芯片铺平道路
    在晶体管诞生75周年之际，英特尔在IEDM 2022上宣布将把封装技术的密度再提升10倍，并使用厚度仅三个原子的新材料推进晶体管微缩。 在IEDM 2022（2022 IEEE国际电子器件会议）上，英特尔发布了多项突破性研究成果，继续探索技术创新，以在未来十年内持续推进摩尔定律，最终实现在单个封装中集成一万亿个晶体管。英特尔的研究人员展示了以下研究成果：3D封装技术的新进展，可将密度再提升10倍；
    1609
    2022/12/06
    英特尔 晶体管

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