嵌入式开发学习经典资料汇集
发布时间:2014-07-21 更新时间:2019-06-21
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SH8J65TB1
输出配置:半桥(2),电流 - 输出:700mA,电机类型 - AC,DC:有刷直流,电压 - 电源:8 V ~ 28 V,湿气敏感性等级(MSL):1(无限),接口:PWM,工作温度:-25°C~85°C(TA),封装/外壳:8-SOIC,功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级
RGT00TS65DGC11
输出配置:正,输出类型:固定,稳压器数:2,电流 - 静态(Iq):0.7mA,电流 - 输出:500mA,500mA,电流 - 电源(最大值):1.6mA,电压 - 输出(最小值/固定):1.8V,3.3V,电压 - 输入(最大值):16V,工作温度:-25°C ~ 105°C,封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5引线+接片),TO-263BA,保护功能:过流,超温,PSRR:58dB(120Hz)
R6076ENZ1C9
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min):10V,连续漏极电流Id:76A,漏源极电压Vds:600V,栅极电压Vgs:±20V,工作温度:150°C(TJ),封装/外壳:TO-247,不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):260nC @ 10V,不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):6500pF @ 25V,不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA,Rds On(Max)@Id,Vgs:42m Ohms@44.4A,10V,Pd-功率耗散(Max):120W(Tc),FET类型:N-Channel
R6024ENZC8
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min):10V,连续漏极电流Id:24A(Tc),漏源极电压Vds:600V,栅极电压Vgs:±20V,工作温度:150°C(TJ),封装/外壳:TO-3P-3,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):70nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1650pF @ 25V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA,Rds On(Max)@Id,Vgs:165m Ohms@11.3A,10V,Pd-功率耗散(Max):120W(Tc),FET类型:N-Channel
R6030KNX
输出配置:高端,输出类型:N 通道,输出数:1 Ohms,输入类型:非反相,电流-输出(最大值):250mA,电压-负载:2.7 V ~ 5.5 V,电压-电源(Vcc/Vdd):不需要,比率-输入:输出:1:1,故障保护:限流(固定),超温,反向电流,UVLO,接口:开/关,开关类型:USB 开关,工作温度:-40°C ~ 85°C(TA),封装/外壳:8-SOP-J,导通电阻(典型值):80 毫欧
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es13523295901 ·  2019-08-07
模数世界 ·  2018-04-25
asd1078067353 ·  2019-03-25

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2018-05-15
非常感谢楼主
2017-01-19
适合学习
2016-12-12
资料全,适合学习研究
2016-10-30
谢了
2016-01-18
还没看,谢了
2015-07-15
还没来得及看,但谢谢分享
2015-04-28
赞一个楼主的分享精神,但是没有链接了
2014-09-03
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