简单测温仪设计,让你时刻了解温度变化
发布时间:2017-08-08 更新时间:2017-08-09
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发布:2017-08-08 更新:2017-08-09
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RGTH60TS65DGC11
输出类型:电流,电压-电源:2.4 V ~ 5.5 V,波长:560nm,接近探测:无,工作温度:-40°C ~ 85°C,封装/外壳:5-WSOF,FET类型:环境
RBQ10BM45ATL
速度:2MHz,电压 - 电源:1.8 V ~ 5.5 V,格式 - 存储器:EEPROM,接口:Microwire 3 线串行,工作温度:-40°C ~ 85°C(TA),封装/外壳:8-TSSOP,存储容量:8Kb (512 x 16),存储器类型:非易失
R6076ENZ1C9
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min):10V,连续漏极电流Id:76A,漏源极电压Vds:600V,栅极电压Vgs:±20V,工作温度:150°C(TJ),封装/外壳:TO-247,不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):260nC @ 10V,不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):6500pF @ 25V,不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA,Rds On(Max)@Id,Vgs:42m Ohms@44.4A,10V,Pd-功率耗散(Max):120W(Tc),FET类型:N-Channel
RPI-222
速度:400kHz,电压 - 电源:1.6 V ~ 5.5 V,格式 - 存储器:EEPROM,接口:I²C,2 线串口,工作温度:-40°C ~ 85°C(TA),封装/外壳:8-SOIC,存储容量:256Kb (32K x 8),存储器类型:非易失
RGTH50TS65GC11
稳压器数:1 Ohms,稳压器拓扑:正,固定式,电流 - 输出:1A,电压 - 输出:6V,电压 - 输入:8.5 V ~ 21 V,电压 - 跌落(典型值):2V @ 1A,工作温度:-40°C ~ 85°C,封装/外壳:TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63
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如果有仿真或者原理图就好了
2019-06-26
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2019-06-26