(分享)D类功放完整解决方案(原理图、PCB源文件、程序源码、制作步骤等)
发布时间:2016-12-28 更新时间:2016-12-28
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发布:2016-12-28 更新:2016-12-28
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电路图文件
原理图、PCB及bom.zip

描述:原理图、PCB源文件及bom

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代码.zip

描述:程序源码

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制作讲解+相关参考资料.txt

描述:制作讲解+相关参考资料

其它文件
DIY功放例程烧写文件.zip

描述:烧写文件

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R6020KNZ1C9
输出端数量:1Output,输出电流:3 A,输出电压:1 V to 28.8 V,输入电压:7Vto36V,系列:BD9E303EFJ-LB(H2),最小输入电压:7V,最大输入电压:36V,拓扑结构:Buck,开发套件:BD9E303EFJ-EVK-001,开关频率:0.3MHz,工作电源电流(mA):2.2mA,工作温度:-40°C ~ 150°C,封装/外壳:8-SOIC,关闭:Shutdown
RB088BM150TL
输出配置:正,输出类型:固定,稳压器数:1 Ohms,电流 - 静态(Iq):0.5mA,电流 - 输出:1A,电流 - 电源(最大值):900µA,电压 - 输出(最小值/固定):3V,电压 - 输入(最大值):16V,工作温度:-40°C ~ 105°C,封装/外壳:TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63,保护功能:过流,超温
RGW00TS65DGC11
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min):10V,连续漏极电流Id:20A(Tc),漏源极电压Vds:600V,栅极电压Vgs:±20V,工作温度:-55°C~150°C(TJ),封装/外壳:TO-247-3,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):40nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1550pF @ 25V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA,Rds On(Max)@Id,Vgs:196m Ohms@9.5A,10V,Pd-功率耗散(Max):231W(Tc),FET类型:N-Channel
RR601BM4STL
配置:1 对共阴极,速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io),正向电流If:10A,正向电压Vf:880mV@5A,工作温度-结:150°C(最大),反向电压Vr:150V,反向漏电流Ir:15µA @ 150V,FET类型:肖特基
R6030KNZ1C9
频率-开关:10kHz ~ 800kHz,输出配置:正或负,输出类型:晶体管驱动器,输出数:2,电压-电源(Vcc/Vdd):3.6 V ~ 35 V,时钟同步:无,控制特性:空载时间控制,软启动,拓扑:降压,升压,工作温度:-40°C ~ 85°C(TA),封装/外壳:16-SOP,同步整流器:是,占空比(最大):1 Ohms,功能:升压,降压
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taideel ·  2018-03-12
szrmyy ·  2017-01-03
邱丽君 ·  2017-01-04

你好,我是电路城管理员。该设计资料来自电子产品世界,设计资料是开源出来的,板子是免费申请适用板,活动现在已经截止了。麻烦自己看看“相关文件”里的原文出处就可以看到了。

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szrmyy ·  2017-01-03
szrmyy ·  2016-12-31
szrmyy ·  2017-01-03

看到15年2月有购买,现在有吗?

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