STM32单片机实现的四轴飞行器,含PCB/SCH文件(AD打开)
发布时间:2016-12-09 更新时间:2016-12-09
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STM32单片机实现的四轴飞行器,含PCB/SCH文件(AD打开)
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四轴飞行器 PCB&电路图.zip

描述:四轴飞行器 PCB&电路图(AD打开)

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ROHM BR24T系列 EEPROM存储器
这些EEPROM提供1Kband 1Mb的存储密度
RGW00TS65DGC11
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min):10V,连续漏极电流Id:20A(Tc),漏源极电压Vds:600V,栅极电压Vgs:±20V,工作温度:-55°C~150°C(TJ),封装/外壳:TO-247-3,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):40nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1550pF @ 25V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA,Rds On(Max)@Id,Vgs:196m Ohms@9.5A,10V,Pd-功率耗散(Max):231W(Tc),FET类型:N-Channel
SCT3160KLGC11
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min):18V,连续漏极电流Id:17A(Tc),漏源极电压Vds:1200V,栅极电压Vgs:+22V,-4V,工作温度:175°C(TJ),封装/外壳:TO-247-3,不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):42nC @ 18V,不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):398pF @ 800V,不同Id时的Vgs(th)(最大值):5.6V @ 2.5mA,Rds On(Max)@Id,Vgs:208m Ohms@5A,18V,Pd-功率耗散(Max):103W(Tc),FET类型:N-Channel
R6076MNZ1C9
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min):10V,连续漏极电流Id:76A(Tc),电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds:25V,电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs:10V,漏源极电压Vds:600V,栅极电压Vgs:±30V,工作温度:-55°C~150°C(TJ),封装/外壳:TO-247-3,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):115nC,不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):7nF,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA,Rds On(Max)@Id,Vgs:55m Ohms@38A,10V,Pd-功率耗散(Max):740W(Tc),FET类型:N-Channel
RGT8BM65DTL
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min):4V,10V,连续漏极电流Id:7A(Ta),漏源极电压Vds:45V,栅极电压Vgs:±20V,工作温度:-55°C~150°C(TJ),封装/外壳:8-SOIC,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):47.6nC @ 5V,不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):4100pF @ 10V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA,Rds On(Max)@Id,Vgs:27m Ohms@7A,10V,Pd-功率耗散(Max):2W(Ta),FET类型:P-Channel
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这个名字好好听 ·  2017-01-13
这个名字好好听 ·  2017-01-13

好的,谢谢

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邱丽君 ·  2017-01-13

你好,我是电路城管理员。建议下载更全的免费设计资料:http://www.cirmall.com/circuit/1389/detail?3

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11人评价,平均分4.91

很不错的内容,有学习价值。
2017-05-22
好评好评好评好评。
2017-03-14
不错,有很多新知识,都好,很牛逼,自己又学到了很多
2016-12-16
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2017-05-22
好评好评好评好评。
2017-03-14
不错,有很多新知识,都好,很牛逼,自己又学到了很多
2016-12-16