小身板,大智慧!iCore2 ARM FPGA 双核心板(原理图、ARM 测试工程、虚拟U盘代码及手册)
发布时间:2016-11-29 更新时间:2019-06-28
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发布:2016-11-29 更新:2019-06-28
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源代码
代码.zip

描述:测试代码

教程
iCore2双核心板手册_V0.pdf

描述:iCore2双核心板手册

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驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min):4V,10V,连续漏极电流Id:7A(Ta),漏源极电压Vds:45V,栅极电压Vgs:±20V,工作温度:-55°C~150°C(TJ),封装/外壳:8-SOIC,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):47.6nC @ 5V,不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):4100pF @ 10V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA,Rds On(Max)@Id,Vgs:27m Ohms@7A,10V,Pd-功率耗散(Max):2W(Ta),FET类型:P-Channel
HP8MA2TB1
速度:400kHz,电压 - 电源:2.5 V ~ 5.5 V,格式 - 存储器:EEPROM,接口:I²C,2 线串口,工作温度:-40°C ~ 85°C(TA),封装/外壳:8-LSSOP,存储容量:1Kb (128 x 8),存储器类型:非易失
RGTH00TS65GC11
电压-电源:1.7 V ~ 5.5 V,时钟频率:1MHz,工作温度:-40°C ~ 85°C(TA),封装/外壳:8-SOP-J,存储容量:512Kb (64K x 8),存储器类型:非易失,存储器接口:I²C,写周期时间-字,页:5ms
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