手机电路图大全
发布时间:2016-03-20 更新时间:2019-09-05
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RGW00TS65DGC11
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min):10V,连续漏极电流Id:20A(Tc),漏源极电压Vds:600V,栅极电压Vgs:±20V,工作温度:-55°C~150°C(TJ),封装/外壳:TO-247-3,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):40nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1550pF @ 25V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA,Rds On(Max)@Id,Vgs:196m Ohms@9.5A,10V,Pd-功率耗散(Max):231W(Tc),FET类型:N-Channel
R6020ENJTL
稳压器数:1 Ohms,稳压器拓扑:正,固定式,电流 - 输出:2A,电压 - 输出:3.3V,电压 - 输入:最高 25V,电压 - 跌落(典型值):0.45V @ 2A,工作温度:-40°C ~ 125°C,封装/外壳:TO-220-3整包
R6009ENX
组织:4kx8,电源电流—最大值:4mA,电源电压-最小:2.5V,电源电压-最大:5.5V,最大时钟频率:10MHz,数据保留:100Year,接口类型:Serial,SPI,工作电源电压:2.5Vto5.5V,工作温度:-40°C ~ 125°C,封装/外壳:SOP-8,存储容量:32kB
RF501BM2STL
速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io),正向电流If:10A,正向电压Vf:1.5V@10A,工作温度-结:150°C(最大),反向电压Vr:350V,反向漏电流Ir:10µA @ 350V,反向恢复时间trr:30ns,FET类型:标准
RFN30TS6SGC11
输出端数量:1Output,输出电流:2 A,湿气敏感性等级(MSL):3(168 小时),工作电源电流(mA):2 mA,工作电源电压:8 V to 28 V,工作温度:-25°C~85°C,封装/外壳:28-VSSOP,Pd-功率耗散(Max):4.7W
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ttur ·  2020-04-03
BINer ·  2019-11-26
不好想 ·  2019-09-18
cmyall ·  2016-03-26