基于STM32F103单片机RFID智能超市收银结账系统方案设计(含原理图+源代码+资料)
发布时间:2020-05-16 更新时间:2020-05-22
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基于STM32F103单片机RFID智能超市收银结账系统方案设计(含原理图+源代码+资料)
发布:2020-05-16 更新:2020-05-22
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电路图文件
1、原理图.zip

描述:原理图

源代码
程序.zip

描述:源代码

其它文件
超市收银.zip

描述:全部资料

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RCX700N20
电压 - 电源:1.6 V ~ 5.5 V,时钟频率:20MHz,工作温度:-40°C ~ 85°C(TA),封装/外壳:8-TSSOP,存储容量:256Kb (32K x 8),存储器类型:非易失,存储器格式:EEPROM,存储器接口:SPI,写周期时间 - 字,页:5ms
RPI-121
集电极连续电流:30A,集电极最大连续电流 Ic:58A,集电极—射极饱和电压:1.6V,集电极—发射极最大电压 VCEO:650V,系列:RGTH60TS65,栅极—射极漏泄电流:±200nA,栅极/发射极最大电压:±30V,工作温度:-40°C ~ 175°C,封装/外壳:Tube,在25 C的连续集电极电流:58A,功率(W):194W
RCX330N25
速度:400kHz,电压 - 电源:1.6 V ~ 5.5 V,格式 - 存储器:EEPROM,接口:I²C,2 线串口,工作温度:-40°C ~ 85°C(TA),封装/外壳:8-TSSOP,存储容量:256Kb (32K x 8),存储器类型:非易失
RF501BM2STL
速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io),正向电流If:10A,正向电压Vf:1.5V@10A,工作温度-结:150°C(最大),反向电压Vr:350V,反向漏电流Ir:10µA @ 350V,反向恢复时间trr:30ns,FET类型:标准
RGTH60TS65DGC11
输出类型:电流,电压-电源:2.4 V ~ 5.5 V,波长:560nm,接近探测:无,工作温度:-40°C ~ 85°C,封装/外壳:5-WSOF,FET类型:环境
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