基于51单片机的GPS公交车自动语音报站系统设计(含原理图+PCB+源代码+资料文件)
发布时间:2020-05-08 更新时间:2020-05-22
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发布:2020-05-08 更新:2020-05-22
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RPI-0226
电路数:4,电流 - 漏泄(IS(off))(最大值):300nA,电压 - 电源,单(V+):3 V ~ 18 V,沟道电容 (CS(off),CD(off)):10pF,开关电路:SPST - 常开,工作温度:-40°C ~ 85°C(TA),封装/外壳:14-LSSOP,导通电阻(最大值):280 欧姆,多路复用器/解复用器电路:1:1,串扰:-50dB @ 1MHz
R6024ENZC8
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min):10V,连续漏极电流Id:24A(Tc),漏源极电压Vds:600V,栅极电压Vgs:±20V,工作温度:150°C(TJ),封装/外壳:TO-3P-3,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):70nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1650pF @ 25V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA,Rds On(Max)@Id,Vgs:165m Ohms@11.3A,10V,Pd-功率耗散(Max):120W(Tc),FET类型:N-Channel
RFN30TS6SGC11
输出端数量:1Output,输出电流:2 A,湿气敏感性等级(MSL):3(168 小时),工作电源电流(mA):2 mA,工作电源电压:8 V to 28 V,工作温度:-25°C~85°C,封装/外壳:28-VSSOP,Pd-功率耗散(Max):4.7W
RF601BM2DTL
高度:1.15mm,长度:5mm,通道数量:8 Channel,输出类型:OpenDrain,输出电流:50 mA,输入电压:3 V to 5.5 V,电源电流—最大值:1 mA,工作频率:1.25 MHz,工作温度:-40°C ~ 105°C,封装/外壳:SSOP-B-16,宽度:4.4mm,功率(W):0.87W
ROHM N沟道SiC功率MOSFET
ROHM N沟道SiC功率MOSFET在开关时不会产生尾电流,因此动作较快并能减少开关损耗
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er2 ·  2020-05-18