6层全志H3电视机顶盒PCB电路设计方案源文件(allegro/Altium/PADS)
发布时间:2020-05-04 更新时间:2020-05-22
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描述:6层全志H3电视机顶盒

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R6076ENZ1C9
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min):10V,连续漏极电流Id:76A,漏源极电压Vds:600V,栅极电压Vgs:±20V,工作温度:150°C(TJ),封装/外壳:TO-247,不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):260nC @ 10V,不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):6500pF @ 25V,不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA,Rds On(Max)@Id,Vgs:42m Ohms@44.4A,10V,Pd-功率耗散(Max):120W(Tc),FET类型:N-Channel
RFN30TS6DGC11
速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io),正向电流If:5A,正向电压Vf:920mV@5A,工作温度-结:150°C(最大),反向电压Vr:200V,反向漏电流Ir:1µA @ 200V,反向恢复时间trr:25ns,FET类型:标准
RGTH40TS65GC11
输出类型:满摆幅,电路数:1 Ohms,电流 - 输出/通道:2mA,电流 - 输入偏置:1pA,电流 - 电源:400nA,电压 - 输入失调:1mV,电压 - 电源,单/双(±):1.8 V ~ 5.5 V,±0.9 V ~ 2.75 V,工作温度:-40°C ~ 85°C,封装/外壳:SOT-665,增益带宽积:2.5kHz,压摆率:0.0025 V/µs
HP8MA2TB1
速度:400kHz,电压 - 电源:2.5 V ~ 5.5 V,格式 - 存储器:EEPROM,接口:I²C,2 线串口,工作温度:-40°C ~ 85°C(TA),封装/外壳:8-LSSOP,存储容量:1Kb (128 x 8),存储器类型:非易失
ROHM RASMID瞬态电压抑制器二极管
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不错哦,值得学习哦
2020-05-28
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