基于TI AM3352的电表数据集中器方案
发布时间:2020-03-27 更新时间:2020-03-30
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RS1G300GNTB
频率:1MHz,输出数:6,调光:I²C,电流 - 输出/通道:20mA,电压 - 供电(最高):5.5V,电压 - 供电(最低):2.7V,拓扑:切换式电容器(充电泵),工作温度:-30°C ~ 85°C(TA),封装/外壳:16-VQFN裸露焊盘,内部开关:是,FET类型:DC DC 稳压器
ROHM RASMID瞬态电压抑制器二极管
ROHM RASMID瞬态电压抑制器二极管为ROHM采用击穿技术的超紧凑RASMID系列产品
R6076MNZ1C9
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min):10V,连续漏极电流Id:76A(Tc),电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds:25V,电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs:10V,漏源极电压Vds:600V,栅极电压Vgs:±30V,工作温度:-55°C~150°C(TJ),封装/外壳:TO-247-3,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):115nC,不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):7nF,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA,Rds On(Max)@Id,Vgs:55m Ohms@38A,10V,Pd-功率耗散(Max):740W(Tc),FET类型:N-Channel
R6024ENZC8
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min):10V,连续漏极电流Id:24A(Tc),漏源极电压Vds:600V,栅极电压Vgs:±20V,工作温度:150°C(TJ),封装/外壳:TO-3P-3,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):70nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1650pF @ 25V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA,Rds On(Max)@Id,Vgs:165m Ohms@11.3A,10V,Pd-功率耗散(Max):120W(Tc),FET类型:N-Channel
HP8S36TB
高度:2.3mm,长度:6.5mm,输出类型:Fixed,输出端数量:1Output,输出电流:1 A,输出电压:3 V,负载调节:150mV,线路调整率:100mV,系列:BAxxCC0FP,电压调节准确度:2%,极性:Positive,最小输入电压:4V,最大输入电压:25V,工作温度:-40°C ~ 125°C,宽度:5.5mm,回动电压—最大值:500mVat500mA,回动电压:0.3V,功率(W):1.2W
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