智能存包柜控制系统设计(1602)
发布时间:2020-02-24 更新时间:2020-05-22
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发布:2020-02-24 更新:2020-05-22
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仿真电路.DSN

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RB085BM-90TL
输出配置:前置驱动器 - 半桥(3),电流 - 输出:1.5A,电机类型 - AC,DC:无刷 DC(BLDC),电压 - 电源:8 V ~ 28 V,湿气敏感性等级(MSL):1(无限),接口:逻辑,工作温度:-40°C~85°C(TA),封装/外壳:24-VFQFN,功能:驱动器
ROHM N沟道SiC功率MOSFET
ROHM N沟道SiC功率MOSFET在开关时不会产生尾电流,因此动作较快并能减少开关损耗
RGTH80TS65DGC11
输出配置:正,输出类型:固定,稳压器数:1 Ohms,电流-静态:90µA,电流-输出:200mA,电流-电源(最大值):150µA,电流-电源:90µA ~ 150µA,电压-输出(最小值/固定):3.3V,电压-输入(最大值):42V,控制特性:使能,工作温度:-40°C ~ 150°C,封装/外壳:SOT-223-4F,压降(最大值):0.45V @ 100mA,保护功能:过流,超温,PSRR:65dB(120Hz)
RGTH00TS65GC11
电压-电源:1.7 V ~ 5.5 V,时钟频率:1MHz,工作温度:-40°C ~ 85°C(TA),封装/外壳:8-SOP-J,存储容量:512Kb (64K x 8),存储器类型:非易失,存储器接口:I²C,写周期时间-字,页:5ms
R6009ENX
组织:4kx8,电源电流—最大值:4mA,电源电压-最小:2.5V,电源电压-最大:5.5V,最大时钟频率:10MHz,数据保留:100Year,接口类型:Serial,SPI,工作电源电压:2.5Vto5.5V,工作温度:-40°C ~ 125°C,封装/外壳:SOP-8,存储容量:32kB
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