基于三星4412开发的平板电脑项目
发布时间:2019-11-13 更新时间:2019-11-14
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基于三星4412开发的平板电脑项目
发布:2019-11-13 更新:2019-11-14
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电路图文件
平板电脑原理图PCB.rar

描述:原理图PCB

源代码
驱动.rar

描述:驱动源码

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RGTH80TS65DGC11
输出配置:正,输出类型:固定,稳压器数:1 Ohms,电流-静态:90µA,电流-输出:200mA,电流-电源(最大值):150µA,电流-电源:90µA ~ 150µA,电压-输出(最小值/固定):3.3V,电压-输入(最大值):42V,控制特性:使能,工作温度:-40°C ~ 150°C,封装/外壳:SOT-223-4F,压降(最大值):0.45V @ 100mA,保护功能:过流,超温,PSRR:65dB(120Hz)
RFN10NS3STL
输出配置:正,输出类型:固定,稳压器数:1 Ohms,电流 - 静态(Iq):0.5mA,电流 - 输出:1A,电流 - 电源(最大值):900µA,电压 - 输出(最小值/固定):1.5V,电压 - 输入(最大值):16V,工作温度:-40°C ~ 105°C,封装/外壳:TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63,保护功能:过流,超温
R6020ENX
输出配置:正,输出类型:固定,稳压器数:1 Ohms,电流-输出:500mA,电流-电源:0.35mA ~ 0.55mA,电压-输出(最小值/固定):2.5V,电压-输入(最大值):5.5V,工作温度:-40°C ~ 105°C,封装/外壳:TO-252,(D-Pak),压降(最大值):0.2V @ 200mA,保护功能:过流,超温,PSRR:50dB(120Hz)
ROHM BR24T系列 EEPROM存储器
这些EEPROM提供1Kband 1Mb的存储密度
RGW00TS65DGC11
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min):10V,连续漏极电流Id:20A(Tc),漏源极电压Vds:600V,栅极电压Vgs:±20V,工作温度:-55°C~150°C(TJ),封装/外壳:TO-247-3,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):40nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1550pF @ 25V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA,Rds On(Max)@Id,Vgs:196m Ohms@9.5A,10V,Pd-功率耗散(Max):231W(Tc),FET类型:N-Channel
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