GL823K原理图和PCB图Gerber元件清单全套文件(AD软件打开)
发布时间:2019-09-19 更新时间:2019-09-20
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描述:gl823k

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RGTH60TS65DGC11
输出类型:电流,电压-电源:2.4 V ~ 5.5 V,波长:560nm,接近探测:无,工作温度:-40°C ~ 85°C,封装/外壳:5-WSOF,FET类型:环境
HP8MA2TB1
速度:400kHz,电压 - 电源:2.5 V ~ 5.5 V,格式 - 存储器:EEPROM,接口:I²C,2 线串口,工作温度:-40°C ~ 85°C(TA),封装/外壳:8-LSSOP,存储容量:1Kb (128 x 8),存储器类型:非易失
RSJ550N10TL
速度:1MHz,电压 - 电源:1.7 V ~ 5.5 V,格式 - 存储器:EEPROM,接口:I²C,2 线串口,工作温度:-40°C ~ 85°C(TA),封装/外壳:8-SOIC,存储容量:256Kb (32K x 8),存储器类型:非易失
RR601BM4STL
配置:1 对共阴极,速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io),正向电流If:10A,正向电压Vf:880mV@5A,工作温度-结:150°C(最大),反向电压Vr:150V,反向漏电流Ir:15µA @ 150V,FET类型:肖特基
SCT3160KLGC11
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min):18V,连续漏极电流Id:17A(Tc),漏源极电压Vds:1200V,栅极电压Vgs:+22V,-4V,工作温度:175°C(TJ),封装/外壳:TO-247-3,不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):42nC @ 18V,不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):398pF @ 800V,不同Id时的Vgs(th)(最大值):5.6V @ 2.5mA,Rds On(Max)@Id,Vgs:208m Ohms@5A,18V,Pd-功率耗散(Max):103W(Tc),FET类型:N-Channel
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l1066548960 ·  2020-05-20