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描述
此参考设计基于 LMG1210 半桥 GaN 驱动器和 GaN 功率的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，实现了一款数兆赫兹功率级设计。凭借高效的开关和灵活的死区时间调节，此参考设计不仅可以显著改善功率密度，同时还能实现良好的效率和较宽的控制带宽。此功率级设计可广泛应用于众多需要快速响应的空间受限型应用，例如 5G 电信电源、服务器和工业电源。
特性
基于 GaN 的紧凑型功率级设计，具有高达 50MHz 的开关频率
适用于高侧和低侧的彼此独立的 PWM 输入，或具有可调节死区时间的单一 PWM 输入
最小脉冲宽度为 3ns
300V/ns 的高压摆率抗扰性
驱动器 UVLO 和过热保护
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HX5401NL | 1 | Pulse Electronics Corporation | Telecom and Datacom Connector, ROHS COMPLIANT |
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$17.05 | 查看 |
| LM358AM/NOPB | 1 | Texas Instruments | Dual, 32-V, 1-MHz op amp 8-SOIC 0 to 70 |
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$0.88 | 查看 |
| LS14250 | 1 | Saft Batteries | Primary Battery, Lithium-thionyl Chloride, 1/2AA, 3.6V, 1.2Ah, |
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$7.94 | 查看 |
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