标准逻辑封装库大合集
发布时间:2019-01-11 更新时间:2019-01-11
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发布:2019-01-11 更新:2019-01-11
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描述:标准逻辑封装库合集(持续更新中)

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RCJ700N20TL
输出类型:满摆幅,电路数:1 Ohms,电流 - 输出/通道:1mA,电流 - 输入偏置:1pA,电流 - 电源:440µA,电压 - 输入失调:1mV,电压 - 电源,单/双(±):5 V ~ 14.5 V,±2.5 V ~ 7.25 V,工作温度:-40°C ~ 85°C,封装/外壳:SC-74A,SOT-753,增益带宽积:1MHz,压摆率:1 V/µs
R6076ENZ1C9
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min):10V,连续漏极电流Id:76A,漏源极电压Vds:600V,栅极电压Vgs:±20V,工作温度:150°C(TJ),封装/外壳:TO-247,不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):260nC @ 10V,不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):6500pF @ 25V,不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA,Rds On(Max)@Id,Vgs:42m Ohms@44.4A,10V,Pd-功率耗散(Max):120W(Tc),FET类型:N-Channel
RS1G260MNTB
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min):10V,连续漏极电流Id:8A(Ta),漏源极电压Vds:800V,栅极电压Vgs:±30V,工作温度:150°C(TJ),封装/外壳:TO-220-3,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):39nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1080pF @ 25V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA,Rds On(Max)@Id,Vgs:1.03 Ohms@4A,10V,Pd-功率耗散(Max):50W(Tc),FET类型:N-Channel
RFN10BM3STL
高度:2.3mm,长度:6.5mm,输出配置:正,输出类型:Fixed,输出端数量:1Output,输出电流:1A,输出电压:5V,负载调节:75mV,线路调整率:35mV,系列:BA50BC0WFP,稳压器数:1 Ohms,电流-静态:0.5mA,电流-输出:1A,电流-电源(最大值):0.9mA,电流-电源:0.5mA ~ 0.9mA,电压调节准确度:2%,电压-输出(最小值/固定):5V,电压-输入(最大值):16V,极性:Positive,最小输入电压:6V,最大输入电压:16V,控制特性:使能,工作温度:-40°C ~ 105°C,封装/外壳:TO-252-5,宽度:5.5mm,参考电压:1.28V,功率(W):1.3W,保护功能:过流,超温,PSRR:55dB(120Hz)
R6015ENX
输出类型:满摆幅,电路数:2,电流-输出/通道:12mA,电流-输入偏置:1pA,电流-电源:550µA,电压-输入失调:1mV,电压-电源,单/双(±):1.8 V ~ 5.5 V,±0.9 V ~ 2.75 V,工作温度:-40°C ~ 85°C,封装/外壳:8-SOP,增益带宽积:2MHz,压摆率:1.1 V/µs
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