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ASEMI快恢复二极管US1G参数,us1g封装,us1g资料

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    发表于 2022-1-13 16:51:12 | 显示全部楼层 |阅读模式
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    ASEMI快恢复二极管US1G参数
    型号:US1G
    最大重复峰值反向电压VRRM):400V
    最大有效值电压VRMS):280V
    最大直流阻断电压VDC):400V
    最大平均正向整流电流I(AV)):1A
    峰值正向浪涌电流IFSM ):30A
    最大瞬时正向电压VF):1.3V
    额定最大直流反向电流IR):5uA       
    典型的反向恢复时间trr):50nS
    典型结电容CJ):20pF
    典型热阻RθJA ):88/W
    工作结温TJ):-55 to +150
    储存温度范围TSTG):-55 to +150
    US1G.jpg
    US1G封装尺寸:
    总长度:5.28mm
    本体长度:4.6mm
    引脚宽度:1.6mm
    宽度:2.9mm
    高度:2.62mm

    US1G特征资料
    塑料包装有保证实验室可燃性分类94V-0
    内置应力消除装置,非常适合自动放置
    玻璃钝化芯片结
    快速切换以实现高效率
    高温焊接260 / 10
    2-1.png 2-2.png

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