为鼓励大家动手动脑，早日成为技术大牛。电路城论坛现在推出#每日一练#栏目，由版块版主出题及提供答案，内容涉及电源，射频，单片机等各种技术话题。我们会在周一至周五的早上10：30更新问题和前天问题的解题思路及答案。欢迎大家参与。
我们知道MOSFET和三极管，在ON 状态时，MOSFET通常用Rds，三极管通常用饱和Vce。那么是否存在能够反过来的情况，三极管用饱和Rce，而MOSFET用饱和Vds呢？
MOSFET和三极管，在ON 状态时，MOSFET通常用Rds，三极管通常用饱和Vce。那么是否存在能够反过来的情况，三极管用饱和Rce，而MOSFET用饱和Vds呢？
三极管ON状态时工作于饱和区，导通电流Ice主要由Ib与Vce决定，由于三极管的基极驱动电流Ib一般不能保持恒定，因而Ice就不能简单的仅 由Vce来决定，即不能采用饱和Rce来表示（因Rce会变化）。由于饱和状态下Vce较小，所以三极管一般用饱和Vce表示。
MOS管在ON状态时工作于线性区（相当于三极管的饱和区），与三极管相似，电流Ids由Vgs和Vds决定，但MOS管的驱动电压Vgs一般可保持不变，因而Ids可仅受Vds影响，即在Vgs固定的情况下，导通阻抗Rds基本保持不变，所以MOS管采用Rds方式。
电流可以双向流过 MOSFET的D和S ，正是MOSFET这个突出的优点，让同步整流中没有DCM的概念，能量可以从输入传递到输出，也可以从输出返还给输入。能实现能量双向流动。
第一点、MOS的D和S既然可以互换，那为什么又定义DS呢？ 第三点、D和S互换之后，MOS表现出来的特性，跟原来有何不同呢？比如Vth、弥勒效应、寄生电容、导通电阻、击穿电压Vds。
答案：
想成为论坛版主？想在#每日一练#展现你的技术才华？请联系工程师小助手Q：2740521371
| 
发表于 2020-1-8 10:39:18
/1 
