活动预告 | 风口来了，SiC产业即将起势！

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作为半导体产业的新黄金赛道，碳化硅以及氮化镓等化合物半导体材料的研究，一直是各国进行研究的重点。


碳化硅(SiC)材料的禁带宽度是硅的3倍；导热率为Si的4-5倍；击穿电压为Si的8倍；电子饱和漂移速率为Si的2倍。

具有禁带宽度大、电子漂移饱和速度高、耐高温、介电常数小、导电性能好等特点，非常适用于制作抗辐射、高频、高功率密度的电子器件。可以广泛用于工业机电、新能源汽车、高铁、光伏逆变器、消费电子等各个领域，性能远超目前硅基的器件。

随着技术的不断成熟，商业化进程也不断加快，包括英飞凌、意法半导体、科锐、罗姆等领先企业等，均不断投入巨额资金抢占市场先机。

应用场景：汽车电子

汽车电子是近几年增长非常快的市场，特别是新能源汽车的不断推进，对于汽车功率单元提出更高的要求。

SiC相对于与硅基功率器件，使用SiC使得PCU体积下降2/3，重量减轻30%，负债系统提高10%-20%，电机损耗下降5%-10%，功率密度远超硅，使得整车综合效率提升10%以上，效果十分明显。

目前Cree、Rohm开始大规模投资，预计在2022年前后，Cree、ROHM等企业将完成扩产准备，单个SiC芯片成本将降低到Si的两倍附近，但是整体方案比硅低10%左右，这会是新能源汽车电机控制器大批量使用SiC的拐点。

除此之外，在高压大功率领域，更是碳化硅大显身手的地方，比如光伏逆变、高铁、智能电网、工业电机等领域，SiC耐高压、耐高温、承受大电流、更大功率密度的优势体现的淋漓尽致。

在未来的几年里，SiC在提供更大输出功率的同时成本也在不断降低，随之而来的是便是终端市场的大爆发，这也是目前称为“风来了”的原因。

此外作为一种衬底材料，3C-SiC可以生长GaN外延产品，领用于射频领域、光电领域、SiC基GaN优越的理化性能正不断的被开发出来。

但是SiC依然面临着长晶速度慢、晶圆过于昂贵，甚至市场有价无货等各种问题，但是痛点就是投资机会。从全产业链角度来看，从单晶到外延、设计、制造、封装、终端市场，都存在巨大投资机会。

随着技术的发展，SiC的先天优势被不断挖掘，功率器件市场将要爆发，浙江带来了众多的投资机会，所有人都跃跃欲试，前景一片光明。

如果您对SiC材料感到不解，对终端市场的成长性充满不确定性，或者对相关行业公司想进行更加深入的了解，作为中国未来20年的重点产业-半导体，品利基金将带您完整梳理产业链现况和未来发展趋势。

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