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三星成功试产首款14nm制程 FinFET芯片
发布时间:2012-12-27
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三星成功试产首款14nm制程 FinFET芯片
发布时间:2012-12-27
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继扩建美国德州奥斯丁晶片生产线的计划获得批准以后,三星又迎来了一个和芯片生产有关的好消息。他们于日前正式宣布已经成功试产首款采用 14nm 制程的 FinFET 芯片,据悉和现有产品相比该款芯片的设计(有人会把这种设计和英特尔 Ivy Bridge 芯片上使用的「Tri-Gate」晶体管技术相比)可以大大改善电力和性能表现,同时其还能将漏电率控制在较低的水平。三星表示这款晶片是与 ARM、Cadence、Mentor 以及 Synopsis 共同合作的成果,而对我们用户来说自然是希望它能够早日上市啦。访问来源可以阅读完整的新闻稿。

引用来源:Yonhap news

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