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ST推出新功率MOSFET,实现近乎完美的开关性能

发布时间:2015-09-16
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ST推出新功率MOSFET,实现近乎完美的开关性能

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意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)MDmesh M2系列的N-沟道功率MOSFETs再增添新成员,新系列产品能够为服务器、笔记本电脑、电信设备及消费电子产品电源提供业内最高能效的电源解决方案,在低负载条件下的节能效果尤为显著,让设计人员能够开发更轻、更小的开关式电源,同时轻松达到日益严格的能效目标要求。

新款600V MDmesh M2 EP产品整合意法半导体经过市场检验的条形布局(strip layout)和全新改进的垂直结构和优化的扩散工艺(diffusion process),拥有接近理想的开关设计,包括超低的导通电阻和最低的关断开关损耗,是特别为甚高频功率转换器(f>150 kHz)专门设计,为要求最严格的电源供应器(PSU, Power Supply Unit)的理想选择。

硬开关和软开关电路拓扑均适用,包括谐振拓扑(resonant topologies),例如LLC谐振,新器件的开关损耗极低,特别是在低负载条件下,低损耗更为明显。除MDmesh M2产品的共性栅电荷量(Qg)极低外,M2 EP产品的关断能量(Eoff)还可降低20%,而在硬开关转换器中,关断开关损耗同样降低20%。在低电流范围内降低Eoff损耗,有助于提高低负载能效,进而帮助电源厂商顺利达到日益严格的能效认证要求。

改进后的关断波形(turn-off waveforms)可提高谐振转换器的能效,降低噪声,每周期回收再利用更多的电能,而不是以散热的形式浪费掉。

新款MDmesh M2 EP系列的主要特性包括:

  • 极低的Qg(低至16 nC)
  • 针对轻负载条件优化电容曲线(capacitance profile)
  • 针对软件开关优化Vth和Rg参数
  • 稳健的本体二极管(body diode)

MDmesh M2 EP系列瞄准需要高能效的电源应用,提供多种封装选择(PowerFLAT 5x6 HV, DPAK, D2PAK, TO-220, TO-220FP, I2PAKFP, TO-247),所有产品均已量产。

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