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内存硬盘通吃?英特尔推首颗非易失性内存
发布时间:2015-08-20
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内存硬盘通吃?英特尔推首颗非易失性内存
发布时间:2015-08-20
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8月20日消息,本月早些时候英特尔和美光公开了全新的3D XPoint(即交叉点)非易失性内存技术,这种技术弥补了计算机DRAM与NAND各自的局限性。今日,英特尔公开了基于英特尔3D XPoint技术的DIMM内存条,实现了首次将非易失性技术应用于主内存的记录。

据英特尔介绍,该内存比传统DDR内存的容量高4倍,成本则为后者的一半,其接口及电气特性都兼容DDR4,同时又兼备了硬盘的有点。

该内存条将用于数据中心以及大数据分析,英特尔还没有公布该产品的发布时间,不过按照这样的趋势英特尔又要再次走上垄断之路啊。

众所周知,DRAM与NAND已经诞生了数十年,二者各有优缺点:DRAM能够提供纳秒级延迟水平与几乎无限的耐久能力,但其存在着存储单元较大而价格昂贵、存储单元拥有易失性以及功耗较高等问题;而NAND的延迟过高(特别是写入操作),写入周期有限,但其存储单元为非易失性而且整套结构更为高效。因此一直以来,二者都是协同合作,即DRAM作为内存/缓存机制,而NAND则负责处理数据存储。

英特尔3D XPoint则有望打破这一僵局,该技术介于DRAM和NAND之间,其使用寿命是NAND的千倍,读取延迟也可以降到纳秒级别。因此,3D XPoint完全可以弥补了NAND的致命缺陷,但是要取代DRAM还需要时间。

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