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东芝全球首发16 Die堆叠闪存

发布时间:2015-08-07
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东芝全球首发16 Die堆叠闪存

发布时间:2015-08-07
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东芝闪存这两天好嗨啊。全球第一个做到48层堆叠、单Die容量256Gb之后,今天又宣布利用TSV硅穿孔技术,开发出全球第一个16 Die堆叠NAND闪存。两项技术相结合,意味着一颗闪存芯片的容量可以达到256×16÷8=512GB!四颗就能轻松搞定2TB固态硬盘!不过现阶段,东芝还没能将二者融为一体,这里使用的每一颗Die容量为128Gb,但即便如此,单颗闪存容量也能有256GB,四颗就可以1TB,八颗即可2TB。

同时,东芝还提供了8 Die堆叠版本,单颗容量也可达128GB。

东芝介绍说,此前的堆叠闪存都是借助封装内引线接合(wire bonding)实现的,TSV技术则使用垂直电极和通道,打通各个硅芯片来实现连接,可以大大提高数据的输入输出,并降低功耗。

东芝的这种TSV立体堆叠闪存还支持Toggle DDR界面,I/O数据率可以超过1Gbps,电压也十分低:核心电路仅1.8V,I/O电路更是只有1.2V,因此读写和I/O数据传输的功耗可以降低大约50%。

东芝表示,这种新闪存延迟低、带宽高、能效高,尤其适合高端企业级SSD。

不过东芝并未透露何时能够出货,估计还得一段时间,毕竟只是刚刚开发出来。

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