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Diodes优化互补式MOSFET,提升降压转换器功率密度
发布时间:2015-06-18
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Diodes优化互补式MOSFET,提升降压转换器功率密度
发布时间:2015-06-18
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Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出互补式双 MOSFET組合DMC1028UFDB,旨在提升直流-直流转换器的功率密度。新产品把N通道MOSFET及P通道MOSFET集成到单一DFN2020封装。

器件设计针对负载点转换器,为专用集成电路提供从3.3V下降到1V的核心电压。目标应用包括以太网络控制器、路由器、网络接口控制器、交换机、数字用户线路适配器、以及服务器和机顶盒等设备的处理器。

降压转换器可利用独立的脉冲宽度调制控制器及外部MOSFET来提升设计灵活性,同时从开关元件提供分布式热耗散。DMC1028UFDB MOSFET組合优化了性能,可尽量提高3.3V到1V降压转换器的效率,并驱动高达3A的负载。这些优化性能包括针对在三分之二的开关周期都处于导通状态的低侧N通道MOSFET,Vgs=3.3V下的19mΩ低导通电阻,还有为P通道MOSFET而设,Vgs=3.3V下的5nc低栅极电荷,从而把开关损耗减到最低。

DMC1028UFDB利用P通道MOSFET部署高侧开关元件,相比需要充电泵的N通道MOSFET,能够简化设计及减少元件数量。与采用了相同尺寸封装的独立MOSFET相比,这种把P通道和N通道器件集成到单一DFN2020封装的互补式双 MOSFET組合可使整体功率密度翻倍。

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