三星推出新一代移动设备芯片将支持4GB RAM 或应用于Galaxy S5

2014年01月02日 作者:糖悦之果飞

你认为现在三星Galaxy Note 3所配备的3GB运行内存已经很大了?那么我告诉你这仅仅是一个开始。最近三星公司刚刚公布了旗下首个8GB低功率的LPDDR4内存芯片,并且可以在移动设备大小的多层结构芯片中肩负4GB运行内存的功能。这颗8GB LPDDR4移动DRAM芯片,由20nm工艺制作,三星表示该DRAM可以在降低功耗的同时提供高标准的性能表现。

据悉,,4个8GB芯片如果进行结合,那么会产生4GB的LPDDR4,即总容量为4GB的DRAM产品。今年下半年,Galaxy Note 3已经开始启用3GB RAM,明年 Galaxy S5或者Galaxy Note 4有望采用4GB运行内存。

另外,该LPDDR4颗粒还使用了低电压摆幅中断逻辑I/O界面,将会成为LPDDR4标准规范的一部分。基于此技术,三星将运行频率提高到了3200MHz,是当前量产的20nm LPDDR3-1600的整整两倍。

三星公司表示,LPDDR4的性能将比LPDDR3、DDR3高出50%,同时因为电压降至1.1V,因此还会在能耗上降低40%。

怎么样,大内存移动设备的时代已经正式开启了,三星公司表示该技术将应用于拥有超清显示器的笔记本电脑、智能机以及平板,额外的内存对于驱动更多像素将会非常重要。

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