西数发布iNAND EU511闪存芯片:96层3D NAND,UFS 3.0

2019年02月25日 作者:糖悦之果飞

三星S10似乎并未配备LPDDR5内存和UFS 3.0闪存,不过折叠屏Galaxy Fold则内建了512GB UFS 3.0闪存。事实上,LPDDR5由于刚刚公布正式规范,按计划2020年才会登陆消费级产品。而UFS 3.0闪存则提前不少,但可能因为成本和支持的SoC(仅骁龙855、三星Exynos 9820等)较少的缘故,大规模的普及还需要酝酿。

MWC 2019期间,Western Digital(西部数据)发布了iNAND MC EU511闪存芯片,采用96层3D NAND,符合UFS 3.0规范。

性能方面,基于SmartSLC Generation 6,顺序写入速度高达750MB/s。

容量方面,单芯片64GB起步,最大512GB。

此前,iNAND产品归属与SanDisk(闪迪),可以看出被西数收购后,后者要进一步强化统一化的品牌管理,机械硬盘领域的HGST(昱科)也是一样道理。

当然,UFS 3.0设计的最高数据传输速率可达2.9GB/s。

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原文地址:https://www.eeboard.com/news/inand-eu511/

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