高通骁龙855性能评测:领跑安卓阵营

2019年01月17日 作者:糖悦之果飞

随着一代设备的发布,高通依旧传承着提前展示最新一代SoC性能的传统。不过意外的是,高通今年没有像往常一样选择在圣地亚哥总部举办活动,而是在CES上公开展示了骁龙855,抢先于三星Exynos 9820让我们了解其实际表现。

自骁龙835开始,高通一直坚持Arm授权的BoC(Built on ARM Cortex Technology)模式,在公版架构的基础上进行“微调”,骁龙855也不例外,其使用的Kyro 485核心是基于Cortex A76优化定制而来。

既是微调,所做的自然都是小改动,高通也并没有公开细节,只透露Kyro 485扩充了重排序缓冲区(CortexA76公版为128条目)、优化了预取器并改进了分支数据结构。

骁龙855的CPU集群虽然仍使用“4+4”的big.LITTLE配置,但其大核心集群实际上为“1+3”设计, 其中1颗大核使用了更适合高频率的物理电路设计,最高频率可达2857MHz,并为其配备了更大的512KB L2缓存;剩余3颗大核心的最高频率为2439MHz,配备256KB L2缓存。

不过,这个“1+3”大核心集群虽然使用了异步时钟平面设计,但4颗核心仍然共享相同的电压平面。为此高通解释说,这是出于成本、复杂性以及效率之间的折衷,因为增加额外的电压平面则需增加另一个带有电感器和电容器的PMIC轨道。

大体来看,Kryo 485可能是高通有史以来性能提升幅度最大的核心,与骁龙845所使用的Kryo 385相比,Kryo 485的性能提升了45%。而与同样使用了Cortex A76的麒麟980相比,二者的总体性能应处于相仿的水平,高通的“微调”可能在某些场景下有一定优势,此外他们的缓存/内存子系统性能也可能会有一些不同。

本次测试骁龙855所用的是高通最新的骁龙855 QRD平台(Qualcomm Reference Design,高通参考设计)。不得不说,今年这款QRD是高通历来最“商业化”的设计,一改以往“傻大黑粗”的demo风格,如果不是那些标签,很难让人联想到这只是一个参考平台。

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