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使用nanoVNA测量电容频率特性

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    [LV.3]偶尔看看II

    发表于 2019-11-4 09:29:26 | 显示全部楼层 |阅读模式
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    关于电容的频率特性,网上相关资料成本抓,包括各种信号完整性书籍,都有大量介绍,所以此处略去1万字,只是复制粘贴书上\网上现成的结果。












    书上/网上,全都是这样说的,那么实际情形如何呢?我们用nanoVNA来测量一下。

    随便找几个待测的电容:









    第一步,要对仪器进行校准,校准部位是待测器件连接处。













    高压陶瓷电容:














    有效电容工作频率范围,不过几十MHz,真正的容性范围是3000k左右。

    看看上面曲线,是不是和想象的有点不一样。





    223J 薄膜电容的频率特性:









    10uF贴片电解电容:










    仪器最低频率是50k,所以看不到容性区,全是感性区了。





    说明:仪器在300M以后,会启动/切换到谐波扩频模式,所以在300M附近,曲线出现不规整变化。










    560P高压陶瓷电容:







    能工作到数百兆。






    仪器自身的校准位置是仪器本身自带的插头:






    即便是使用仪器附带的20cm延长线,到了200M左右就不行了:






    所以,有人说馈线长了就不理想了,那是你校准的位置不对。




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