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关于碳化硅SiC、氮化镓CaN器件的介绍及未来市场

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发表于 2019-8-3 14:00:14 | 显示全部楼层 |阅读模式
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在SiC MOSFET的开发与应用方面,与相同功率等级的Si MOSFET相比,SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低,适用于更高的工作频率,另由于其高温工作特性,大大提高了高温稳定性。

1背景介绍
在电力电子行业的发展过程中,半导体技术起到了决定性作用。其中,功率半导体器件一直被认为是电力电子设备的关键组成部分。随着电力电子技术在工业、医疗、交通、消费等行业的广泛应用,功率半导体器件直接影响着这些电力电子设备的成本和效率。自从二十世纪五十年代真空管被固态器件代替以来,以硅(Si)材料为主的功率半导体器件就一直扮演着重要的角色。功率双极性晶体管及晶闸管的问世,大大减小的电力电子设备的体积重量,同时提高了变换效率。为了满足更高工作频率及更高功率等级的要求,IR(International Rectifier)公司研发出首款功率MOSFET,接下来的二十年,功率半导体器件进入一个蓬勃发展的时期,很多新型的功率器件,比如IGBT、GTO、IPM相继问世,并且在相关领域内得到越来越广泛的应用。功率硅器件的应用已经相当成熟,但随着日益增长的行业需求,硅器件由于其本身物理特性的限制,已经开始不适用于一些高压、高温、高效率及高功率密度的应用场合。

半导体技术一直是推动电力电子行业发展的决定性力量。功率硅器件(silicon,Si)的应用已经相当成熟,但随着日益增长的行业需求,硅器件由于其本身物理特性的限制,已经开始不适用于一些高压、高温、高效率及高功率密度的应用场合。

碳化硅(SiC)材料因其优越的物理特性,开始受到人们的关注和研究。自从碳化硅1824年被瑞典科学家Jöns Jacob Berzelius发现以来,直到二十世纪五十年代后半期,才真正被纳入到固体器件的研究中来。二十世纪九十年代以来,碳化硅技术得到了迅速发展。

20 世纪90 年代以来,碳化硅(silicon carbide,SiC)MOSFET 技术的迅速发展,引起人们对这种新一代功率器件的广泛关注[2-4]。与Si 材料相比,碳化硅材料较高的热导率决定了其高电流密度的特性,较高的禁带宽度又决定了SiC 器件的高击穿场强和高工作温度[5-6]。尤其在SiC MOSFET 的开发与应用方面,与相同功率等级的Si MOSFET 相比,SiC MOSFET 导通电阻、开关损耗大幅降低,适用于更高的工作频率,另由于其高温工作特性,大大提高了高温稳定性。但由于SiC MOSFET 的价格相当昂贵,限制了它的广泛应用。

SiC材料与目前应该广泛的Si材料相比,较高的热导率决定了其高电流密度的特性,较高的禁带宽度又决定了SiC器件的高击穿场强和高工作温度。其优点主要可以概括为以下几点:

1) 高温工作

SiC在物理特性上拥有高度稳定的晶体结构,其能带宽度可达2.2eV至3.3eV,几乎是Si材料的两倍以上。因此,SiC所能承受的温度更高,一般而言,SiC器件所能达到的最大工作温度可到600 ºC。

2) 高阻断电压

与Si材料相比,SiC的击穿场强是Si的十倍多,因此SiC器件的阻断电压比Si器件高很多。

3) 低损耗

一般而言,半导体器件的导通损耗与其击穿场强成反比,故在相似的功率等级下,SiC器件的导通损耗比Si器件小很多。且SiC器件导通损耗对温度的依存度很小,SiC器件的导通损耗 随温度的变化很小,这与传统的Si器件也有很大差别。

4) 开关速度快

SiC的热导系数几乎是Si材料的2.5倍,饱和电子漂移率是Si的2倍,所以SiC器件能在更高的频率下工作。

综合以上优点,在相同的功率等级下,设备中功率器件的数量、散热器的体积、滤波元件体积都能大大减小,同时效率也有大幅度的提升。

在SiC MOSFET的开发与应用方面,与相同功率等级的Si MOSFET相比,SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低,适用于更高的工作频率,另由于其高温工作特性,大大提高了高温稳定性。1200V功率等级下,各类功率器件的特性比较结果,参与比较的SiC MOSFET是GE12N15L。需要指出的是,这些功率器件都为TO-247封装,且IPW90R120C3耐压仅为900V,但它已是所能找到的相似功率等级下,特性较好的Si MOSFET。

2碳化硅(SiC) MOSFET 应用技术研究现状
碳化硅(SiC)MOSFET 建模
虽然SiC MOSFET比传统的Si MOSFET有很多优点,但其昂贵的价格却限制了SiC MOSFET的广泛应用。近年来随着SiC技术的成熟,SiC MOSFET的价格已经有了显著的下降,应用范围也进一步扩展,在不久的将来必将成为新一代主流的低损耗功率器件。在实际的工程应用及设计开发过程中,经常需要对SiC MOSFET的开关特性、静态特性及功率损耗进行分析,以便对整个系统的效率做有效的评估。因此,有必要建立一个精确的SiC MOSFET模型作为工程应用中系统分析和效率评估的基础。近年来,国内外研究人员对于SiC MOSFET的建模研究日渐深入,取得了较多的进展。其中部分文献着重于SiC MOSFET物理特性的建模,但不适用于工程应用中的分析和评估。部分文献采用了传统Si MOSFET的建模思想,一篇弗吉尼亚理工的硕士毕业论文,对1200V20A的SiC MOSFET进行建模,但该模型仅在分立的温度点下设置分立的参数组,其他温度点进行线性插值,模型随温度变化时的准确度不能保证。北卡罗来纳州立大学的王军博士提出了一种适用于10kV SiC MOSFET的变温度参数建模方法,对SiC MOSFET的建模具有普遍的指导意义,已得到业界比较广泛的认可和接受,Rohm公司也相继推出了600V及1200V的SiC MOSFET。因此,建立一个适用于目前主流中低压SiC MOSFET的模型就显得尤为重要。 [1]

SiC MOSFET 的驱动电路
由于SiC MOSFET器件特性与传统的Si MOSFET有较大差别,SiC MOSFET驱动电路也是一项研究的重点。相比于Si MOSFET,SiC MOSFET的寄生电容更小。以量产的CMF20120D 为例, 其输 入 电 容仅 有1915 pF, 但 与 其功 率 等 级 相 同 的 Si MOSFET IXFB30N120P的输入电容有22.5nF,两者相差超过十倍。因此,SiC MOSFET对驱动电路的寄生参数更敏感。另一方面,目前量产的SiC MOSFET的驱动电压范围为 -5V~ +25V ,建议驱动电压一般为-2V/+20V;而传统的Si MOSFET的驱动电压范围为-30V~+30V,建议驱动电压一般为0/+15V。因此,SiC MOSFET与传统的Si MOSFET相比,安全阈值很小,驱动电路的一个电压尖峰很可能就会击穿GS之间的氧化层,这也是驱动电路需要精心设计的另一个原因。

量产的SiC MOSFET设计了专用的驱动芯片。另一家SiCMOSFET也提供了关于驱动的相关资料。CMF20120D技术手册上提供的驱动电路,采用光耦隔离,驱动芯片采用IXDI414,-VEE与地之间需接入多个电容,以抵消线路感抗对驱动波形的影响。然而datasheet中并未给出+VCC和-VEE的电源解决方案,且IXDI414可提供14A的峰值电流,而实际应用过程中,驱动电路一般 很难从驱动芯片中抽取14A的电流,故这款驱动芯片并非很合适。

综上所述,结合SiC MOSFET本身的特点及优势,其驱动电路的设计应满足以下要求:

1) 满足SiC MOSFET高速开关的要求,使用驱动能力较强的驱动芯片。

2) 尽量减小驱动电路寄生电感的影响,在PCB布局时应加入适量的吸收电容。

3) 为保证SiC MOSFET的可靠关断,避免噪声干扰可能导致的误开通,应采用负压关断。

双有源桥(DAB)研究及应用
双有源桥(DAB)作为大功率隔离双向DC-DC变换器的一种,其拓扑最早由DeDoncker于1988年提出DAB主要应用于HEV中蓄电池侧与高压直流母线之间的双向能量传输、航空电源系统及新能源系统中,与其他大功率隔离双向DC-DC变换器相比,DAB的最大优势是其功率密度大,且体积重量相对较小。DAB结构对称,两边各由全桥结构的拓扑构成,可实现能量的双向传输,且能实现两侧的电气隔离。开关管应力较低,且没有额外的滤波电感,仅通过变压器的漏感作为能量传输单元,变换器可实现很高的功率密度。电流纹波不是很大,对输入输出侧的滤波电容的要求不是很高。DAB在一定功率范围内可以实现ZVS软开关,这样DAB的工作频率就可以设置得较高,可进一步减小变压器和滤波电容的体积,提高功率密度。

传统的DAB一般采用移相控制,其中φ为移相角,变压器原副边匝比设为n。当功率从VL流向VH时,开关管Q1、Q4超前Q5、Q8;当功率从VH流向VL时,开关管Q5、Q8超前Q1、Q4。但传统控制策略下的DAB有诸多问题,比如软开关范围窄、轻载时功率回流现象严重、电压输入范围窄等。

功率回流

功率回流是指DAB在功率传输时,电感Ls上的电流和原边侧电压存在相位相反的阶段,导致功率流回电源中。

输入电压范围

结合软开关范围和功率回流的分析,不难看出传统移相控制DAB的又一个缺点:输入电压范围窄。当DAB中变压器原副边匝数比n确定后,如果输入电压V1范围变化较宽,则原副边电压d的变化范围较宽,软开关的范围将受到严重限制,直接影响到变换器的效率。同样的,当输入电压范围变宽后,意味着移相角的变化范围也必须相应变宽,较宽的电压范围必然会导致功率回流现象更严重。因此,为保证DAB能有较高的转换效率,双有源桥的输入必须控制在较小范围内。 [1]

针对传统控制策略下DAB 的诸多不足,从 2008 年起,国内外很多研究人员相继提出了多种改进型的控制策略,对 DAB 的研究也进入了一个新的高度。改进型控制方法的主要思想是,不仅原副边的开关管移相(即传统控制方法,Q1、Q4及 Q5Q8有移相角 D2),而且同一侧桥臂也设置移相角(Q1Q2Q3Q4存在移相 D1)。这些控制方式又能细分,有一侧桥臂设置内移相角 D1,另一侧桥臂仍用传统的移相方法,不设置内移相角;或者原副边都移相,均设置D1,但两侧的内移相角 D1可能不同。又根据 D1与 D2的大小关系,另结合 V1与 nV2的关系,有很多种不同的组合方式,从而有不一样的模态。其最终的控制手段还是通过改变变压器原副边的电压波形,从而改变加在 LS两端的电压,最终改变 LS的电流,达到不同的优化目的。 [1]

通过改变内移相角D1,可以改变变压器两端电压 V1或 V2的波形,V1与 V2 9 的不同(包括幅值大小及相位差),即可达到控制 LS电流的目的,从而对软开关范围、功率回流等问题有所改善。

有文献较系统地介绍了以上一些不同的控制方法,推导了部分控制模式下的数学模型。该文献主要针对的是ZVS 范围及电感电流有效值来提高效率。文献中提出,对于两端口的DAB,两侧桥臂都设置移相角 D1的控制方法优势并不明显。对于这种两侧都移相的控制方法在多端口的情况下还要做进一步分析。

有文献针对功率回流的问题提出了改进的控制方法,该文献采用的是两侧桥臂都移相的控制方法,不仅原副边的Q1Q2和 Q5Q6存在移相,同侧桥臂的 Q1Q2和 Q3Q4也存在移相。这种控制方法的复杂之处在于,输出功率是同时与 D1D2相关的,在同一个输出功率下D1D2有很多种组合方式。如何通过 PI 调节获得最优化的 D1D2组合是控制策略优化的关键。文献中论述了在某些特性条件下,这种两侧移相的控制方法可以使功率回流为零,并论证了该特殊条件下可以实现全负载范围的软开关,动态特性较传统移相控制方法更优。 [1]

国外厂商情况

第三代半导体材料是提升新一代信息技术核心竞争力的重要支撑,是全球战略竞争新的制高点。美、日、欧等各国积极进行战略部署。

美国:2014年1月,美国总统奥巴马亲自主导成立了以SiC为代表的第三代宽禁带半导体产业联盟。这一举措的背后,是美国对以SiC半导体为代表的第三代宽禁带半导体产业的强力支持。据了解,这个产业目前已经获得美国联邦和地方政府总计1.4亿美元的合力支持。

欧洲:德国英飞凌公司(Infineon)与欧洲17家企业共同成立Smart PM(Smart Power Management)组织,拓展碳化硅在电源和电器设备中的应用。欧洲纳米科技咨询委员会(ENIAC)的“高效率电动汽车计划”则专注于碳化硅功率器件在新型电动汽车中的应用技术研发,由英飞凌公司主导。

日本:日本政府在2013年就将SiC纳入“首相战略”,认为未来50%的节能要通过它来实现,创造清洁能源的新时代。日本经济产业省积极开展碳化硅的研发及生产,促进碳化硅在通讯电源、混合动力汽车、可再生能源变频器、工业马达驱动等领域的应用。

SiC的技术主要由海外公司垄断,尤其是美国的Cree 。

Cree 占SiC晶圆制造市场90%以上,Cree和英飞凌在SiC功率器件市场合计占85%以上份额。

由于行业发展潜力大,日本Rohm、美国ST等也在积极进军SiC领域。
SiC产业链环节
相关企业
主要进展
单晶
天科合达(新三板企业)
2、3、4英寸SiC晶片年产7万片;6英寸近期研制成功
山东天岳
2、3、4英寸SiC晶片,6英寸将实现量产
同光晶体
2英寸已量产,4英寸将实现量产
46所
2英寸SiC晶片
神舟科技
2-4 英寸SiC晶片、外延片
中科院硅酸盐所
2、3、4英寸SiC晶片
南车时代电气
4-6 英寸SiC芯片模块封装及功率器件重点实验室
外延
瀚天天成
12年3月3、4寸外延晶片达商业化;14年4月,6寸外延晶片交付日本客户
天域半导体科技
年产2万-3万片SiC外延晶片的产能,产品目前销往日本等国外市场
中科院
中科院半导体所、中科院物理所、天科合达联合研发,年产能2万片4英寸SiC晶片,30片4英寸外延片,年产10万只SiC二极管及1万只SiC模块的小批量生产能力
西电、13所、55所
N/A
器件
泰科天润
肖特基二极管600-1700V系列达到国际先进水平
西电、13所、55所
SiC二极管和结型场效应功率管等研究成果,未量产
南车时代电气
SiC IGBT研发中
派恩杰杭州
SiC  SBD MOS 量产研
器件专用测试设备
绍兴宏邦电子科技
高反压 大电流高精度T862集成电路测试系统
图国外主导厂商产业链分布图

中国厂商情况

“十二五”以来,我国开展了跨学科、跨领域的研发布局,在新材料、能源、交通、信息、自动化、国防等各相关领域分别组织国内科研院所和企业联合攻关,部分解决了第三代半导体材料和器件制备的关键技术问题。

2016年作为“十三五”开局之年,科技部、工信部、国家发改委等多部委出台多项政策,对第三代半导体材料进行布局。从政策的内容来看,科技创新仍是重点,产业化布局、专业人才储备、投资鼓励、产业园规划建设、生产制造扶植等方面的支持政策也逐步出台,力争全面实现“换道超车”。

地方政策也在2016年大量出台,福建、广东、江苏、北京、青海等27个地区出台第三代半导体相关政策(不包括LED)近30条。一方面多地均将第三代半导体写入“十三五”相关规划(17项)另一方面不少地方政府有针对性对当地具有一定优势的SiC和GaN材料企业进行扶持。

1. 成本较高7. SIC器件还不能完全普及的原因

目前SiC器件的成本较普通Si基器件成本高:SiC二极管的成本是硅基肖特基二极管的5-7倍;SiC JFET 的成本是硅基JFET的4-7倍;SiC MOSFET的成本是硅基MOSFET的10-15倍 。

2. 技术壁垒

虽然晶体生长炉在技术上已经非常成熟,但是在晶体生产中温度和气体输送速率和输送角度等技巧则有相当大的难度。

碳化硅从2英寸、4英寸到6英寸的发展过程中,扩晶技术非常关键。

结语

宽禁带半导体材料SiC作为一类新型材料,具有独特的电、光、声等特性,其制备的器件具有优异的性能,在众多方面具有广阔的应用前景。它能够提高功率器件工作温度极限,使其在更恶劣的环境下工作;能够提高器件的功率和效率,提高装备性能;能够拓宽发光光谱,实现全彩显示。

随着宽禁带技术的进步,材料工艺与器件工艺的逐步成熟,其重要性将逐渐显现,在高端领域将逐步取代第一代、第二代半导体材料,成为电子信息产业的主宰。


下面介绍几家SiC器件公司:

1、ST 意法半导体

ST 的碳化硅MOSFET产品系列具有业界最高的200°C额定工作结温,显著降低了总功率损耗,令系统更有效、更小、更轻。即使在高温时,它们也具有每区域超低的导通状态电阻,与最佳的硅技术相比,它们有卓越的开关性能,随温度变化最小。

主要特性:

· 业界最高的200°C额定工作结温(Tj max),增强了系统可靠性,降低了PCB尺寸(简化了热管理)

· 在高达200°C的整个温度范围内有低导通状态电阻,降低了对冷却的需求,具有更高的系统效率

· 降低开关损耗,随温度变化最小,设计更紧凑(无源元件更少)

· 低导通状态电阻(对于650 V设备,典型20 mΩ @ 25 °C;对于1200 V设备,典型80 mΩ @ 25 °C),系统效率更高(降低了对冷却的要求)

· 易于驱动

· 稳定的超快速本体二极管(无需外部续流二极管,从而进一步缩小了系统尺寸)

ST 的碳化硅二极管产品系列电压范围从600到1200 V,包括单、双二极管。它们有多种封装,从DPAK到TO-247以及绝缘的TO-220AB/AC,为设计者们提供了极大的灵活性,具有高效、稳定和快速投放市场等优势。相比于硅,碳化硅有优越的物理属性,SiC肖特基整流器具有好于4倍的动态特性和降低15%的前向电压(VF)。

ST 的SiC二极管显示了显著的功耗降低,通常用于硬开关应用,如高端服务器和电信供电,它还能用于太阳能逆变器、电机驱动器和无中断供电(UPS)。ST 的汽车级650 V SiC二极管 – 具有AEC-Q101认证和PPAP能力 – 具有市场上最低的前向压降(VF),在电动车辆(EV)应用中具有最优的效率。

主要特性:

· 高效功率转换器(得益于低前向导通和开关损耗)

· 与双二极管高功耗集成,降低了PCB尺寸

· 显著降低了功率转换器尺寸和成本。低EMC效应、简化认证和缩短产品上市时间

· 自然的稳定性确保了超高的可靠性

2、美国科瑞

全球SiC晶圆市场规模约为8千多亿美元,SiC晶圆与GaN on SiC磊晶技术大厂Cree为求强化自身功率及射频元件研发能力,决议2019年5月于美国总部北卡罗莱纳州特勒姆市,扩建1座先进自动化8寸SiC晶圆生产工厂与1座材料超级工厂(Mega Factory),期望借此扩建案,提升Cree在SiC晶圆上的生产尺寸与提升晶圆使用市占,并提供GaN on SiC先进磊晶技术进一步应用于功率及射频元件中。

以LED材料与元件起家的Cree,近年将研发方向集中于功率及射频元件领域的理由,可从其与Infineon的并购案渊源说起。原先Cree旗下以功率及射频元件为主力的Wolfspeed事业部因本身经营策略,已规划于2016年7月公告出售该部门至Infineon功率半导体事业体,期望借由此次并购案,使Infineon成为车用SiC元件上的领先霸主;但事情发展并非如此顺利,2017年2月出售案经美国外资投资委员会(CFIUS)评估后,以可能涉及军事管制技术原因决议禁止该并购案,迫使Cree需重新思考因应策略及经营方针。

此后Cree于2018年2月及3月时,提出与Infineon的SiC晶圆长期供货协议,并向Infineon收购其射频功率半导体事业部,试图解决美国外资投资委员会出售禁令的损失,保持与Infineon之合作关系。

2019年5月Cree又提出扩厂计划,说明其已将开发重心逐渐转回功率及射频元件领域上,持续投入8寸SiC晶圆生成技术的提升,藉此拉抬SiC元件于车用、工业及消费型电子领域之市占空间。

各厂于GaN on SiC磊晶技术之目标市场皆不同,后续发展仍需持续观察

现行GaN on SiC磊晶技术主要集中于Cree手中,Cree拥有最大SiC晶圆市占率(超过5成以上);根据官网资料,目前使用的SiC基板尺寸最大可达6寸,主要应用于功率半导体的车用、工业及消费型电子元件中,少量使用于通讯射频领域上;未来扩厂计划完工后,预期可见8寸SiC基板应用于相关功率及射频元件制造。

另外,Cree在GaN on SiC磊晶技术领域的竞争对手为NTT AT(日本电信电话先进技术),其使用的SiC基板最大尺寸为4寸,借由后续磊晶成长如AlGaN(或InAlGaN)缓冲层后,形成HEMT(高电子移动率晶体晶体管)结构,目标开发高频通讯功率元件。

因此现阶段GaN on SiC磊晶技术之应用情形,各家厂商瞄准的目标市场皆不同,该技术仍处于发展阶段,有待后续持续关注。

3、中科院微电子所(江苏中科汉韵半导体有限公司)

徐州中科芯韵半导体产业投资基金(简称“中科芯韵基金”)正式签约落地,基金总规模2.005亿元,将专项支持江苏中科智芯集成科技有限公司先进封装项目和江苏中科汉韵半导体有限公司碳化硅功率器件项目。

据悉,中科智芯半导体封测项目占地50亩,投资20亿元,于2018年9月开工建设。一期项目占地1万平方米,投资5亿元,建成后将可形成年生产12寸精研片12万片的产能,项目二期投产后产能将巨幅增长,销售收入将可达到32亿元。目前,该项目已经全面转入内部装修阶段,5月份,整个厂房可以进行机电安装,预计下半年进行设备的测试和试生产。

中科汉韵的碳化硅器件项目是中国科学院微电子研究所科研成果转化的重要项目之一,主要技术和团队均来自中科院微电子所。该项目总投资8亿元,一期投资3.5亿元,项目达产后的产出预计16亿元/年。预计今年9月完成超净间厂房装修,年底完成设备安装和通线。

4、北京世纪金光

5、杭州派恩杰

派恩杰半导体(杭州)有限公司是杭州滨江区引进的第三代半导体功率器件设计公司,坐落于杭州市滨江区海创基地,并入选国家“芯火计划”。公司致力于碳化硅与氮化镓功率器件的研制与产业化,填补国内产业空白。项目核心技术团队由海外高层次归国人员组成,平均具有10年以上相关经历。团队核心人员曾在国外长期从事相关研究,与该行业学术界泰斗与工业界大咖有长期深度的合作,参与多个国外知名科研项目与产品开发

公司历程

6、绍兴宏邦电子科技有限公司

专业半导体测试设备,为碳化硅氮化镓新的第三代半导体提供最全面,最精准的测试。

T860系列数模混合集成电路测试系统是专门用于测试模拟/数字和数模混合类集成电路的综合测试系统。系统由20多个功能模块组成,可进行合理组合,以柔性组合的形式,给用户提供一个既灵活又方便且性价比合理的数字/模拟混合集成电路的测试系统。   

Ø 测试对像:模拟和数模混合集成电路                       

1.电源管理类, 线性的和开关的器件                       

2. 运放,比较器,基准,模拟开关类器件                        

3. SOC类                        

4. ADC,DAC数据转换器                     

5. ADC,DAC数据转换器                       

6. 汽车类驱动控制器件                       

7. 分立器件: FET,三极管等                       

8. 其它各类器件.Ø 功能模块: 有20多种功能模块                       

1. 最大电流100A                       

2. 最高电压:850V                       

3. 32路/14MHZ 数字驱动和测量通道                        

4. 时间/频率,周期测量单元(TMU)                        

5. 各种精密的VI交直流源                        

6. 各种特殊用途的模块Ø 测试SITE :1—8 工位并行测试控制方式

Ø 控制方式:  PC机Ø 操作系统:  Windows 2000, Windows XP

Ø 编程语言:    VC++6.

Ø 校验与诊断:   外接六位半万用表,软件自动校验与诊断.

Ø 数据统计分析:  具有丰富的数据统计和分析功能,包括灵活的MAPPING图,饼图等等.

Ø 外设联机:                    

1. 探针台 (Prober)                     

2. 分选机 (Handler)

Ø 外设接口方式:                    

1.  TTL方式,BCD/HEX/单线等(隔离或非隔离可选)                  

2.  RS232方式                    

3.  GPIB方式

Ø 性能比对:在用户使用层面上与某比对机向下兼容,性能优于比对机。

Ø 动力要求: AC 220V,50HZ,单相,1.0 KW;

Ø 测试站尺寸(W x D x H):580 x 380 x 280

Ø 重量:约180KG

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